TO 系列探测器产品简介TO 系列产品是在 InP 衬底上用 MOCVD 方法生长 InGaAs 光吸收区，再经平面扩散工艺制备而成。光敏面尺寸分别是：300 m、500 m，用户可根据需求选择合适的器件。应用范围 近红外波段光学计量 光功率光学检测 光纤损耗测量 光谱测量 微光测量技术指标（20）TO系列光电探测器参数300m 500m单位封装形式TO封装响应波长范围0.65 1.65 m响应度(0V)1310nm 0.75 A/W1550nm 0.80 A/W线性范围(0V) 40 10 dBm电容(5V) 12 20 pF暗电流(5V) 5 10 nA工作电压010 V线性度 0.15 0.15 dB插接偏差 0.1 0.1 dB插接寿命105105次最大不饱和功率3 3 dBm正向电流10 mA光电流10 mA反向偏压25 V功耗100 mW工作温度15 60存储温度10 60焊接条件260 (10sec)封装外形图TO9 平窗管壳外形图TO46 平窗管壳外形图参考曲线1、上述特性曲线是某型号的曲线，只作参考，具体以随探测器附带的测试数据为准。2、如有更多信息需求请联系海特光电有限责任公司。
