1、材料物理与化学专业毕业论文 精品论文 低维纳米结构中声学声子的输运性质研究关键词：低维纳米结构 声子输运 缺陷超晶格 透射系数 量子波导摘要：近几十年来，半导体低维量子结构因其新颖的物理性质和广泛的应用前景，已成为凝聚态物理和材料科学中的重要前沿领域。同时，分子束外延等超薄生长技术和精细束加工技术的日益完善和迅猛发展也为量子器件的不断推陈出新给予了重要的技术支持。在本文中，我们对半导体低维纳米结构中的热输运和热导作了较深入的探索，并获得了一些有意义的结果，以期能为相关量子器件的设计和制造提供理论依据。 首先，我们在连续弹性近似模型下，利用转移矩阵方法，研究了扩散层和缺陷层在多层薄膜结构中对声学
2、声子输运的影响，计算结果表明：不同频率的声学声子，大多数都能很好地穿透该结构，但也有若干频率的声学声子只有较低的透射系数而在图像中形成相应的波谷；波谷处的声学声子频率的大小与扩散层和缺陷层的厚度、含 Al 浓度、薄膜周期数的变化没有关系；声学声子通过该结构的透射系数，与扩散层和缺陷层的厚度、含 Al 浓度、薄膜周期数有密切关系，有些声学声子的透射系数对结构参数的变化十分敏感。这些结论，一方面，告诉我们可以通过改变以上结构参数来调节和控制声学声子通过该结构的透射系数；另一方面，可以为声子器件的设计和相应的实验研究提供理论上的参考。 接着，我们利用连续介质弹性模型和散射矩阵方法，研究了四垂直波导中
3、的热输运，计算结果揭示了一些有趣的性质：总透射系数对约化频率的透射谱展示了一系列共振的峰谷结构。当四垂直波导中的一个弯曲高度火于或等于该量子波导中声子通道的最小维度时，透射谱中就会出现禁止频隙；当弯曲高度足够大时，透射谱中会出现一个或多个禁止频隙。有些具有较大弯曲高度的四垂直波导，它们对应的禁止频隙的宽度反而更窄，禁止频隙的数目可能更少。在波导的弯曲部分只有 0 模时，可以看到声子的透射系数随弯曲高度成周期性改变。 在弯曲区域的高度和长度较小时，四垂直波导的热导对弯曲区域的高度和长度的变化十分敏感。随着温度的升高，四垂直波导的热导先减小，达到最小值后再增大。第一个连接在单个波导上的四垂直波导会
4、抑制透射系数的增大和形成禁止频隙。在四垂直波导系列上每增加一个四垂直波导，就会在透射谱上增加二个共振峰。这些结论对人工控制热导和声子器件的设计具有指导意义。 我们也对低温下四通道量子结构的声子输运和热导进行了数值分析。计算的结果表明：当声学声子通过对称四通道量子结构时，声学波将在区域的边界发生多重反射，这些声学波在区域相互干涉形成具有一定波长和周期的驻波。不同的声学声子模在对称四通道量子结构中能够自动选择性地进入不同的输运通道。声学声子模的选择输运特性依赖于区域的的宽度和长度、不同通道的横向宽度和相对位置。通过适当调谐该纳米结构的几何参数，可以加强或者削弱声子在不同通道中的输运强度。当声学声子
5、通过非对称四通道量子结构时，不同的声学声子模也能够自动选择性地进入不同的输运通道。不同声子通道在低温下的热导是非整数量子化的。因此，该半导体四通道纳米结构在低温下可以用作声子模的分离器，或用于控制声学声子输运。 最后，我们研究了两种不同性质的双缺陷对纳米线中的声学声子热输运的影响，研究结果表明：当声学声子通过内含双缺陷的纳米线时，总透射系数（T）随约化声了频率（/）的变化图像呈现一系列的峰谷结构；由于缺陷和纳米线的边缘对声波的多重反射，声波在该纳米线中相互干涉可以形成驻波。透射系数的大小对双缺陷的宽度、长度和双缺陷的距离的变化十分敏感。在有真空缺陷的纳米线中，当 T0 时，声子透射系数趋近于
6、1；当双缺陷是硬材料时，在纳米线中传播的声学声子，其频率必须大于其阈限频率。 这两种缺陷对热导的影响有本质的不同。若双缺陷是真空，当 T0 时，可以看到普适的量子化热导和热导平台。然而，若双缺陷是硬材料，当 T0 时，纳米线的热导为 0，激发 0 模必须大于其阈限温度。这些结论既让人们获得了一些有关缺陷的重要性质，又为实现人工控制热导和声子器件的设计提供了又一新的思路。正文内容近几十年来，半导体低维量子结构因其新颖的物理性质和广泛的应用前景，已成为凝聚态物理和材料科学中的重要前沿领域。同时，分子束外延等超薄生长技术和精细束加工技术的日益完善和迅猛发展也为量子器件的不断推陈出新给予了重要的技术支
7、持。在本文中，我们对半导体低维纳米结构中的热输运和热导作了较深入的探索，并获得了一些有意义的结果，以期能为相关量子器件的设计和制造提供理论依据。 首先，我们在连续弹性近似模型下，利用转移矩阵方法，研究了扩散层和缺陷层在多层薄膜结构中对声学声子输运的影响，计算结果表明：不同频率的声学声子，大多数都能很好地穿透该结构，但也有若干频率的声学声子只有较低的透射系数而在图像中形成相应的波谷；波谷处的声学声子频率的大小与扩散层和缺陷层的厚度、含 Al 浓度、薄膜周期数的变化没有关系；声学声子通过该结构的透射系数，与扩散层和缺陷层的厚度、含Al 浓度、薄膜周期数有密切关系，有些声学声子的透射系数对结构参数的
8、变化十分敏感。这些结论，一方面，告诉我们可以通过改变以上结构参数来调节和控制声学声子通过该结构的透射系数；另一方面，可以为声子器件的设计和相应的实验研究提供理论上的参考。 接着，我们利用连续介质弹性模型和散射矩阵方法，研究了四垂直波导中的热输运，计算结果揭示了一些有趣的性质：总透射系数对约化频率的透射谱展示了一系列共振的峰谷结构。当四垂直波导中的一个弯曲高度火于或等于该量子波导中声子通道的最小维度时，透射谱中就会出现禁止频隙；当弯曲高度足够大时，透射谱中会出现一个或多个禁止频隙。有些具有较大弯曲高度的四垂直波导，它们对应的禁止频隙的宽度反而更窄，禁止频隙的数目可能更少。在波导的弯曲部分只有 0
9、 模时，可以看到声子的透射系数随弯曲高度成周期性改变。 在弯曲区域的高度和长度较小时，四垂直波导的热导对弯曲区域的高度和长度的变化十分敏感。随着温度的升高，四垂直波导的热导先减小，达到最小值后再增大。第一个连接在单个波导上的四垂直波导会抑制透射系数的增大和形成禁止频隙。在四垂直波导系列上每增加一个四垂直波导，就会在透射谱上增加二个共振峰。这些结论对人工控制热导和声子器件的设计具有指导意义。 我们也对低温下四通道量子结构的声子输运和热导进行了数值分析。计算的结果表明：当声学声子通过对称四通道量子结构时，声学波将在区域的边界发生多重反射，这些声学波在区域相互干涉形成具有一定波长和周期的驻波。不同的
10、声学声子模在对称四通道量子结构中能够自动选择性地进入不同的输运通道。声学声子模的选择输运特性依赖于区域的的宽度和长度、不同通道的横向宽度和相对位置。通过适当调谐该纳米结构的几何参数，可以加强或者削弱声子在不同通道中的输运强度。当声学声子通过非对称四通道量子结构时，不同的声学声子模也能够自动选择性地进入不同的输运通道。不同声子通道在低温下的热导是非整数量子化的。因此，该半导体四通道纳米结构在低温下可以用作声子模的分离器，或用于控制声学声子输运。 最后，我们研究了两种不同性质的双缺陷对纳米线中的声学声子热输运的影响，研究结果表明：当声学声子通过内含双缺陷的纳米线时，总透射系数（T）随约化声了频率（
11、/）的变化图像呈现一系列的峰谷结构；由于缺陷和纳米线的边缘对声波的多重反射，声波在该纳米线中相互干涉可以形成驻波。透射系数的大小对双缺陷的宽度、长度和双缺陷的距离的变化十分敏感。在有真空缺陷的纳米线中，当 T0 时，声子透射系数趋近于 1；当双缺陷是硬材料时，在纳米线中传播的声学声子，其频率必须大于其阈限频率。 这两种缺陷对热导的影响有本质的不同。若双缺陷是真空，当 T0 时，可以看到普适的量子化热导和热导平台。然而，若双缺陷是硬材料，当 T0 时，纳米线的热导为 0，激发 0 模必须大于其阈限温度。这些结论既让人们获得了一些有关缺陷的重要性质，又为实现人工控制热导和声子器件的设计提供了又一新
12、的思路。近几十年来，半导体低维量子结构因其新颖的物理性质和广泛的应用前景，已成为凝聚态物理和材料科学中的重要前沿领域。同时，分子束外延等超薄生长技术和精细束加工技术的日益完善和迅猛发展也为量子器件的不断推陈出新给予了重要的技术支持。在本文中，我们对半导体低维纳米结构中的热输运和热导作了较深入的探索，并获得了一些有意义的结果，以期能为相关量子器件的设计和制造提供理论依据。 首先，我们在连续弹性近似模型下，利用转移矩阵方法，研究了扩散层和缺陷层在多层薄膜结构中对声学声子输运的影响，计算结果表明：不同频率的声学声子，大多数都能很好地穿透该结构，但也有若干频率的声学声子只有较低的透射系数而在图像中形成
13、相应的波谷；波谷处的声学声子频率的大小与扩散层和缺陷层的厚度、含 Al 浓度、薄膜周期数的变化没有关系；声学声子通过该结构的透射系数，与扩散层和缺陷层的厚度、含 Al浓度、薄膜周期数有密切关系，有些声学声子的透射系数对结构参数的变化十分敏感。这些结论，一方面，告诉我们可以通过改变以上结构参数来调节和控制声学声子通过该结构的透射系数；另一方面，可以为声子器件的设计和相应的实验研究提供理论上的参考。 接着，我们利用连续介质弹性模型和散射矩阵方法，研究了四垂直波导中的热输运，计算结果揭示了一些有趣的性质：总透射系数对约化频率的透射谱展示了一系列共振的峰谷结构。当四垂直波导中的一个弯曲高度火于或等于该
14、量子波导中声子通道的最小维度时，透射谱中就会出现禁止频隙；当弯曲高度足够大时，透射谱中会出现一个或多个禁止频隙。有些具有较大弯曲高度的四垂直波导，它们对应的禁止频隙的宽度反而更窄，禁止频隙的数目可能更少。在波导的弯曲部分只有 0 模时，可以看到声子的透射系数随弯曲高度成周期性改变。 在弯曲区域的高度和长度较小时，四垂直波导的热导对弯曲区域的高度和长度的变化十分敏感。随着温度的升高，四垂直波导的热导先减小，达到最小值后再增大。第一个连接在单个波导上的四垂直波导会抑制透射系数的增大和形成禁止频隙。在四垂直波导系列上每增加一个四垂直波导，就会在透射谱上增加二个共振峰。这些结论对人工控制热导和声子器件
15、的设计具有指导意义。 我们也对低温下四通道量子结构的声子输运和热导进行了数值分析。计算的结果表明：当声学声子通过对称四通道量子结构时，声学波将在区域的边界发生多重反射，这些声学波在区域相互干涉形成具有一定波长和周期的驻波。不同的声学声子模在对称四通道量子结构中能够自动选择性地进入不同的输运通道。声学声子模的选择输运特性依赖于区域的的宽度和长度、不同通道的横向宽度和相对位置。通过适当调谐该纳米结构的几何参数，可以加强或者削弱声子在不同通道中的输运强度。当声学声子通过非对称四通道量子结构时，不同的声学声子模也能够自动选择性地进入不同的输运通道。不同声子通道在低温下的热导是非整数量子化的。因此，该半
16、导体四通道纳米结构在低温下可以用作声子模的分离器，或用于控制声学声子输运。 最后，我们研究了两种不同性质的双缺陷对纳米线中的声学声子热输运的影响，研究结果表明：当声学声子通过内含双缺陷的纳米线时，总透射系数（T）随约化声了频率（/）的变化图像呈现一系列的峰谷结构；由于缺陷和纳米线的边缘对声波的多重反射，声波在该纳米线中相互干涉可以形成驻波。透射系数的大小对双缺陷的宽度、长度和双缺陷的距离的变化十分敏感。在有真空缺陷的纳米线中，当 T0 时，声子透射系数趋近于 1；当双缺陷是硬材料时，在纳米线中传播的声学声子，其频率必须大于其阈限频率。 这两种缺陷对热导的影响有本质的不同。若双缺陷是真空，当 T
17、0 时，可以看到普适的量子化热导和热导平台。然而，若双缺陷是硬材料，当 T0 时，纳米线的热导为 0，激发 0 模必须大于其阈限温度。这些结论既让人们获得了一些有关缺陷的重要性质，又为实现人工控制热导和声子器件的设计提供了又一新的思路。近几十年来，半导体低维量子结构因其新颖的物理性质和广泛的应用前景，已成为凝聚态物理和材料科学中的重要前沿领域。同时，分子束外延等超薄生长技术和精细束加工技术的日益完善和迅猛发展也为量子器件的不断推陈出新给予了重要的技术支持。在本文中，我们对半导体低维纳米结构中的热输运和热导作了较深入的探索，并获得了一些有意义的结果，以期能为相关量子器件的设计和制造提供理论依据。
18、 首先，我们在连续弹性近似模型下，利用转移矩阵方法，研究了扩散层和缺陷层在多层薄膜结构中对声学声子输运的影响，计算结果表明：不同频率的声学声子，大多数都能很好地穿透该结构，但也有若干频率的声学声子只有较低的透射系数而在图像中形成相应的波谷；波谷处的声学声子频率的大小与扩散层和缺陷层的厚度、含 Al 浓度、薄膜周期数的变化没有关系；声学声子通过该结构的透射系数，与扩散层和缺陷层的厚度、含 Al浓度、薄膜周期数有密切关系，有些声学声子的透射系数对结构参数的变化十分敏感。这些结论，一方面，告诉我们可以通过改变以上结构参数来调节和控制声学声子通过该结构的透射系数；另一方面，可以为声子器件的设计和相应的
19、实验研究提供理论上的参考。 接着，我们利用连续介质弹性模型和散射矩阵方法，研究了四垂直波导中的热输运，计算结果揭示了一些有趣的性质：总透射系数对约化频率的透射谱展示了一系列共振的峰谷结构。当四垂直波导中的一个弯曲高度火于或等于该量子波导中声子通道的最小维度时，透射谱中就会出现禁止频隙；当弯曲高度足够大时，透射谱中会出现一个或多个禁止频隙。有些具有较大弯曲高度的四垂直波导，它们对应的禁止频隙的宽度反而更窄，禁止频隙的数目可能更少。在波导的弯曲部分只有 0 模时，可以看到声子的透射系数随弯曲高度成周期性改变。 在弯曲区域的高度和长度较小时，四垂直波导的热导对弯曲区域的高度和长度的变化十分敏感。随着
20、温度的升高，四垂直波导的热导先减小，达到最小值后再增大。第一个连接在单个波导上的四垂直波导会抑制透射系数的增大和形成禁止频隙。在四垂直波导系列上每增加一个四垂直波导，就会在透射谱上增加二个共振峰。这些结论对人工控制热导和声子器件的设计具有指导意义。 我们也对低温下四通道量子结构的声子输运和热导进行了数值分析。计算的结果表明：当声学声子通过对称四通道量子结构时，声学波将在区域的边界发生多重反射，这些声学波在区域相互干涉形成具有一定波长和周期的驻波。不同的声学声子模在对称四通道量子结构中能够自动选择性地进入不同的输运通道。声学声子模的选择输运特性依赖于区域的的宽度和长度、不同通道的横向宽度和相对位
21、置。通过适当调谐该纳米结构的几何参数，可以加强或者削弱声子在不同通道中的输运强度。当声学声子通过非对称四通道量子结构时，不同的声学声子模也能够自动选择性地进入不同的输运通道。不同声子通道在低温下的热导是非整数量子化的。因此，该半导体四通道纳米结构在低温下可以用作声子模的分离器，或用于控制声学声子输运。 最后，我们研究了两种不同性质的双缺陷对纳米线中的声学声子热输运的影响，研究结果表明：当声学声子通过内含双缺陷的纳米线时，总透射系数（T）随约化声了频率（/）的变化图像呈现一系列的峰谷结构；由于缺陷和纳米线的边缘对声波的多重反射，声波在该纳米线中相互干涉可以形成驻波。透射系数的大小对双缺陷的宽度、
22、长度和双缺陷的距离的变化十分敏感。在有真空缺陷的纳米线中，当 T0 时，声子透射系数趋近于 1；当双缺陷是硬材料时，在纳米线中传播的声学声子，其频率必须大于其阈限频率。 这两种缺陷对热导的影响有本质的不同。若双缺陷是真空，当 T0 时，可以看到普适的量子化热导和热导平台。然而，若双缺陷是硬材料，当 T0 时，纳米线的热导为 0，激发 0 模必须大于其阈限温度。这些结论既让人们获得了一些有关缺陷的重要性质，又为实现人工控制热导和声子器件的设计提供了又一新的思路。近几十年来，半导体低维量子结构因其新颖的物理性质和广泛的应用前景，已成为凝聚态物理和材料科学中的重要前沿领域。同时，分子束外延等超薄生长
23、技术和精细束加工技术的日益完善和迅猛发展也为量子器件的不断推陈出新给予了重要的技术支持。在本文中，我们对半导体低维纳米结构中的热输运和热导作了较深入的探索，并获得了一些有意义的结果，以期能为相关量子器件的设计和制造提供理论依据。 首先，我们在连续弹性近似模型下，利用转移矩阵方法，研究了扩散层和缺陷层在多层薄膜结构中对声学声子输运的影响，计算结果表明：不同频率的声学声子，大多数都能很好地穿透该结构，但也有若干频率的声学声子只有较低的透射系数而在图像中形成相应的波谷；波谷处的声学声子频率的大小与扩散层和缺陷层的厚度、含 Al 浓度、薄膜周期数的变化没有关系；声学声子通过该结构的透射系数，与扩散层和
24、缺陷层的厚度、含 Al浓度、薄膜周期数有密切关系，有些声学声子的透射系数对结构参数的变化十分敏感。这些结论，一方面，告诉我们可以通过改变以上结构参数来调节和控制声学声子通过该结构的透射系数；另一方面，可以为声子器件的设计和相应的实验研究提供理论上的参考。 接着，我们利用连续介质弹性模型和散射矩阵方法，研究了四垂直波导中的热输运，计算结果揭示了一些有趣的性质：总透射系数对约化频率的透射谱展示了一系列共振的峰谷结构。当四垂直波导中的一个弯曲高度火于或等于该量子波导中声子通道的最小维度时，透射谱中就会出现禁止频隙；当弯曲高度足够大时，透射谱中会出现一个或多个禁止频隙。有些具有较大弯曲高度的四垂直波导
25、，它们对应的禁止频隙的宽度反而更窄，禁止频隙的数目可能更少。在波导的弯曲部分只有 0 模时，可以看到声子的透射系数随弯曲高度成周期性改变。 在弯曲区域的高度和长度较小时，四垂直波导的热导对弯曲区域的高度和长度的变化十分敏感。随着温度的升高，四垂直波导的热导先减小，达到最小值后再增大。第一个连接在单个波导上的四垂直波导会抑制透射系数的增大和形成禁止频隙。在四垂直波导系列上每增加一个四垂直波导，就会在透射谱上增加二个共振峰。这些结论对人工控制热导和声子器件的设计具有指导意义。 我们也对低温下四通道量子结构的声子输运和热导进行了数值分析。计算的结果表明：当声学声子通过对称四通道量子结构时，声学波将在
26、区域的边界发生多重反射，这些声学波在区域相互干涉形成具有一定波长和周期的驻波。不同的声学声子模在对称四通道量子结构中能够自动选择性地进入不同的输运通道。声学声子模的选择输运特性依赖于区域的的宽度和长度、不同通道的横向宽度和相对位置。通过适当调谐该纳米结构的几何参数，可以加强或者削弱声子在不同通道中的输运强度。当声学声子通过非对称四通道量子结构时，不同的声学声子模也能够自动选择性地进入不同的输运通道。不同声子通道在低温下的热导是非整数量子化的。因此，该半导体四通道纳米结构在低温下可以用作声子模的分离器，或用于控制声学声子输运。 最后，我们研究了两种不同性质的双缺陷对纳米线中的声学声子热输运的影响
27、，研究结果表明：当声学声子通过内含双缺陷的纳米线时，总透射系数（T）随约化声了频率（/）的变化图像呈现一系列的峰谷结构；由于缺陷和纳米线的边缘对声波的多重反射，声波在该纳米线中相互干涉可以形成驻波。透射系数的大小对双缺陷的宽度、长度和双缺陷的距离的变化十分敏感。在有真空缺陷的纳米线中，当 T0 时，声子透射系数趋近于 1；当双缺陷是硬材料时，在纳米线中传播的声学声子，其频率必须大于其阈限频率。 这两种缺陷对热导的影响有本质的不同。若双缺陷是真空，当 T0 时，可以看到普适的量子化热导和热导平台。然而，若双缺陷是硬材料，当 T0 时，纳米线的热导为 0，激发 0 模必须大于其阈限温度。这些结论既
28、让人们获得了一些有关缺陷的重要性质，又为实现人工控制热导和声子器件的设计提供了又一新的思路。近几十年来，半导体低维量子结构因其新颖的物理性质和广泛的应用前景，已成为凝聚态物理和材料科学中的重要前沿领域。同时，分子束外延等超薄生长技术和精细束加工技术的日益完善和迅猛发展也为量子器件的不断推陈出新给予了重要的技术支持。在本文中，我们对半导体低维纳米结构中的热输运和热导作了较深入的探索，并获得了一些有意义的结果，以期能为相关量子器件的设计和制造提供理论依据。 首先，我们在连续弹性近似模型下，利用转移矩阵方法，研究了扩散层和缺陷层在多层薄膜结构中对声学声子输运的影响，计算结果表明：不同频率的声学声子，
29、大多数都能很好地穿透该结构，但也有若干频率的声学声子只有较低的透射系数而在图像中形成相应的波谷；波谷处的声学声子频率的大小与扩散层和缺陷层的厚度、含 Al 浓度、薄膜周期数的变化没有关系；声学声子通过该结构的透射系数，与扩散层和缺陷层的厚度、含 Al浓度、薄膜周期数有密切关系，有些声学声子的透射系数对结构参数的变化十分敏感。这些结论，一方面，告诉我们可以通过改变以上结构参数来调节和控制声学声子通过该结构的透射系数；另一方面，可以为声子器件的设计和相应的实验研究提供理论上的参考。 接着，我们利用连续介质弹性模型和散射矩阵方法，研究了四垂直波导中的热输运，计算结果揭示了一些有趣的性质：总透射系数对
30、约化频率的透射谱展示了一系列共振的峰谷结构。当四垂直波导中的一个弯曲高度火于或等于该量子波导中声子通道的最小维度时，透射谱中就会出现禁止频隙；当弯曲高度足够大时，透射谱中会出现一个或多个禁止频隙。有些具有较大弯曲高度的四垂直波导，它们对应的禁止频隙的宽度反而更窄，禁止频隙的数目可能更少。在波导的弯曲部分只有 0 模时，可以看到声子的透射系数随弯曲高度成周期性改变。 在弯曲区域的高度和长度较小时，四垂直波导的热导对弯曲区域的高度和长度的变化十分敏感。随着温度的升高，四垂直波导的热导先减小，达到最小值后再增大。第一个连接在单个波导上的四垂直波导会抑制透射系数的增大和形成禁止频隙。在四垂直波导系列上
31、每增加一个四垂直波导，就会在透射谱上增加二个共振峰。这些结论对人工控制热导和声子器件的设计具有指导意义。 我们也对低温下四通道量子结构的声子输运和热导进行了数值分析。计算的结果表明：当声学声子通过对称四通道量子结构时，声学波将在区域的边界发生多重反射，这些声学波在区域相互干涉形成具有一定波长和周期的驻波。不同的声学声子模在对称四通道量子结构中能够自动选择性地进入不同的输运通道。声学声子模的选择输运特性依赖于区域的的宽度和长度、不同通道的横向宽度和相对位置。通过适当调谐该纳米结构的几何参数，可以加强或者削弱声子在不同通道中的输运强度。当声学声子通过非对称四通道量子结构时，不同的声学声子模也能够自
32、动选择性地进入不同的输运通道。不同声子通道在低温下的热导是非整数量子化的。因此，该半导体四通道纳米结构在低温下可以用作声子模的分离器，或用于控制声学声子输运。 最后，我们研究了两种不同性质的双缺陷对纳米线中的声学声子热输运的影响，研究结果表明：当声学声子通过内含双缺陷的纳米线时，总透射系数（T）随约化声了频率（/）的变化图像呈现一系列的峰谷结构；由于缺陷和纳米线的边缘对声波的多重反射，声波在该纳米线中相互干涉可以形成驻波。透射系数的大小对双缺陷的宽度、长度和双缺陷的距离的变化十分敏感。在有真空缺陷的纳米线中，当 T0 时，声子透射系数趋近于 1；当双缺陷是硬材料时，在纳米线中传播的声学声子，其
33、频率必须大于其阈限频率。 这两种缺陷对热导的影响有本质的不同。若双缺陷是真空，当 T0 时，可以看到普适的量子化热导和热导平台。然而，若双缺陷是硬材料，当 T0 时，纳米线的热导为 0，激发 0 模必须大于其阈限温度。这些结论既让人们获得了一些有关缺陷的重要性质，又为实现人工控制热导和声子器件的设计提供了又一新的思路。近几十年来，半导体低维量子结构因其新颖的物理性质和广泛的应用前景，已成为凝聚态物理和材料科学中的重要前沿领域。同时，分子束外延等超薄生长技术和精细束加工技术的日益完善和迅猛发展也为量子器件的不断推陈出新给予了重要的技术支持。在本文中，我们对半导体低维纳米结构中的热输运和热导作了较
34、深入的探索，并获得了一些有意义的结果，以期能为相关量子器件的设计和制造提供理论依据。 首先，我们在连续弹性近似模型下，利用转移矩阵方法，研究了扩散层和缺陷层在多层薄膜结构中对声学声子输运的影响，计算结果表明：不同频率的声学声子，大多数都能很好地穿透该结构，但也有若干频率的声学声子只有较低的透射系数而在图像中形成相应的波谷；波谷处的声学声子频率的大小与扩散层和缺陷层的厚度、含 Al 浓度、薄膜周期数的变化没有关系；声学声子通过该结构的透射系数，与扩散层和缺陷层的厚度、含 Al浓度、薄膜周期数有密切关系，有些声学声子的透射系数对结构参数的变化十分敏感。这些结论，一方面，告诉我们可以通过改变以上结构
35、参数来调节和控制声学声子通过该结构的透射系数；另一方面，可以为声子器件的设计和相应的实验研究提供理论上的参考。 接着，我们利用连续介质弹性模型和散射矩阵方法，研究了四垂直波导中的热输运，计算结果揭示了一些有趣的性质：总透射系数对约化频率的透射谱展示了一系列共振的峰谷结构。当四垂直波导中的一个弯曲高度火于或等于该量子波导中声子通道的最小维度时，透射谱中就会出现禁止频隙；当弯曲高度足够大时，透射谱中会出现一个或多个禁止频隙。有些具有较大弯曲高度的四垂直波导，它们对应的禁止频隙的宽度反而更窄，禁止频隙的数目可能更少。在波导的弯曲部分只有 0 模时，可以看到声子的透射系数随弯曲高度成周期性改变。 在弯
36、曲区域的高度和长度较小时，四垂直波导的热导对弯曲区域的高度和长度的变化十分敏感。随着温度的升高，四垂直波导的热导先减小，达到最小值后再增大。第一个连接在单个波导上的四垂直波导会抑制透射系数的增大和形成禁止频隙。在四垂直波导系列上每增加一个四垂直波导，就会在透射谱上增加二个共振峰。这些结论对人工控制热导和声子器件的设计具有指导意义。 我们也对低温下四通道量子结构的声子输运和热导进行了数值分析。计算的结果表明：当声学声子通过对称四通道量子结构时，声学波将在区域的边界发生多重反射，这些声学波在区域相互干涉形成具有一定波长和周期的驻波。不同的声学声子模在对称四通道量子结构中能够自动选择性地进入不同的输
37、运通道。声学声子模的选择输运特性依赖于区域的的宽度和长度、不同通道的横向宽度和相对位置。通过适当调谐该纳米结构的几何参数，可以加强或者削弱声子在不同通道中的输运强度。当声学声子通过非对称四通道量子结构时，不同的声学声子模也能够自动选择性地进入不同的输运通道。不同声子通道在低温下的热导是非整数量子化的。因此，该半导体四通道纳米结构在低温下可以用作声子模的分离器，或用于控制声学声子输运。 最后，我们研究了两种不同性质的双缺陷对纳米线中的声学声子热输运的影响，研究结果表明：当声学声子通过内含双缺陷的纳米线时，总透射系数（T）随约化声了频率（/）的变化图像呈现一系列的峰谷结构；由于缺陷和纳米线的边缘对
38、声波的多重反射，声波在该纳米线中相互干涉可以形成驻波。透射系数的大小对双缺陷的宽度、长度和双缺陷的距离的变化十分敏感。在有真空缺陷的纳米线中，当 T0 时，声子透射系数趋近于 1；当双缺陷是硬材料时，在纳米线中传播的声学声子，其频率必须大于其阈限频率。 这两种缺陷对热导的影响有本质的不同。若双缺陷是真空，当 T0 时，可以看到普适的量子化热导和热导平台。然而，若双缺陷是硬材料，当 T0 时，纳米线的热导为 0，激发 0 模必须大于其阈限温度。这些结论既让人们获得了一些有关缺陷的重要性质，又为实现人工控制热导和声子器件的设计提供了又一新的思路。近几十年来，半导体低维量子结构因其新颖的物理性质和广
39、泛的应用前景，已成为凝聚态物理和材料科学中的重要前沿领域。同时，分子束外延等超薄生长技术和精细束加工技术的日益完善和迅猛发展也为量子器件的不断推陈出新给予了重要的技术支持。在本文中，我们对半导体低维纳米结构中的热输运和热导作了较深入的探索，并获得了一些有意义的结果，以期能为相关量子器件的设计和制造提供理论依据。 首先，我们在连续弹性近似模型下，利用转移矩阵方法，研究了扩散层和缺陷层在多层薄膜结构中对声学声子输运的影响，计算结果表明：不同频率的声学声子，大多数都能很好地穿透该结构，但也有若干频率的声学声子只有较低的透射系数而在图像中形成相应的波谷；波谷处的声学声子频率的大小与扩散层和缺陷层的厚度
40、、含 Al 浓度、薄膜周期数的变化没有关系；声学声子通过该结构的透射系数，与扩散层和缺陷层的厚度、含 Al浓度、薄膜周期数有密切关系，有些声学声子的透射系数对结构参数的变化十分敏感。这些结论，一方面，告诉我们可以通过改变以上结构参数来调节和控制声学声子通过该结构的透射系数；另一方面，可以为声子器件的设计和相应的实验研究提供理论上的参考。 接着，我们利用连续介质弹性模型和散射矩阵方法，研究了四垂直波导中的热输运，计算结果揭示了一些有趣的性质：总透射系数对约化频率的透射谱展示了一系列共振的峰谷结构。当四垂直波导中的一个弯曲高度火于或等于该量子波导中声子通道的最小维度时，透射谱中就会出现禁止频隙；当
41、弯曲高度足够大时，透射谱中会出现一个或多个禁止频隙。有些具有较大弯曲高度的四垂直波导，它们对应的禁止频隙的宽度反而更窄，禁止频隙的数目可能更少。在波导的弯曲部分只有 0 模时，可以看到声子的透射系数随弯曲高度成周期性改变。 在弯曲区域的高度和长度较小时，四垂直波导的热导对弯曲区域的高度和长度的变化十分敏感。随着温度的升高，四垂直波导的热导先减小，达到最小值后再增大。第一个连接在单个波导上的四垂直波导会抑制透射系数的增大和形成禁止频隙。在四垂直波导系列上每增加一个四垂直波导，就会在透射谱上增加二个共振峰。这些结论对人工控制热导和声子器件的设计具有指导意义。 我们也对低温下四通道量子结构的声子输运
42、和热导进行了数值分析。计算的结果表明：当声学声子通过对称四通道量子结构时，声学波将在区域的边界发生多重反射，这些声学波在区域相互干涉形成具有一定波长和周期的驻波。不同的声学声子模在对称四通道量子结构中能够自动选择性地进入不同的输运通道。声学声子模的选择输运特性依赖于区域的的宽度和长度、不同通道的横向宽度和相对位置。通过适当调谐该纳米结构的几何参数，可以加强或者削弱声子在不同通道中的输运强度。当声学声子通过非对称四通道量子结构时，不同的声学声子模也能够自动选择性地进入不同的输运通道。不同声子通道在低温下的热导是非整数量子化的。因此，该半导体四通道纳米结构在低温下可以用作声子模的分离器，或用于控制
43、声学声子输运。 最后，我们研究了两种不同性质的双缺陷对纳米线中的声学声子热输运的影响，研究结果表明：当声学声子通过内含双缺陷的纳米线时，总透射系数（T）随约化声了频率（/）的变化图像呈现一系列的峰谷结构；由于缺陷和纳米线的边缘对声波的多重反射，声波在该纳米线中相互干涉可以形成驻波。透射系数的大小对双缺陷的宽度、长度和双缺陷的距离的变化十分敏感。在有真空缺陷的纳米线中，当 T0 时，声子透射系数趋近于 1；当双缺陷是硬材料时，在纳米线中传播的声学声子，其频率必须大于其阈限频率。 这两种缺陷对热导的影响有本质的不同。若双缺陷是真空，当 T0 时，可以看到普适的量子化热导和热导平台。然而，若双缺陷是
44、硬材料，当 T0 时，纳米线的热导为 0，激发 0 模必须大于其阈限温度。这些结论既让人们获得了一些有关缺陷的重要性质，又为实现人工控制热导和声子器件的设计提供了又一新的思路。近几十年来，半导体低维量子结构因其新颖的物理性质和广泛的应用前景，已成为凝聚态物理和材料科学中的重要前沿领域。同时，分子束外延等超薄生长技术和精细束加工技术的日益完善和迅猛发展也为量子器件的不断推陈出新给予了重要的技术支持。在本文中，我们对半导体低维纳米结构中的热输运和热导作了较深入的探索，并获得了一些有意义的结果，以期能为相关量子器件的设计和制造提供理论依据。 首先，我们在连续弹性近似模型下，利用转移矩阵方法，研究了扩
45、散层和缺陷层在多层薄膜结构中对声学声子输运的影响，计算结果表明：不同频率的声学声子，大多数都能很好地穿透该结构，但也有若干频率的声学声子只有较低的透射系数而在图像中形成相应的波谷；波谷处的声学声子频率的大小与扩散层和缺陷层的厚度、含 Al 浓度、薄膜周期数的变化没有关系；声学声子通过该结构的透射系数，与扩散层和缺陷层的厚度、含 Al浓度、薄膜周期数有密切关系，有些声学声子的透射系数对结构参数的变化十分敏感。这些结论，一方面，告诉我们可以通过改变以上结构参数来调节和控制声学声子通过该结构的透射系数；另一方面，可以为声子器件的设计和相应的实验研究提供理论上的参考。 接着，我们利用连续介质弹性模型和
46、散射矩阵方法，研究了四垂直波导中的热输运，计算结果揭示了一些有趣的性质：总透射系数对约化频率的透射谱展示了一系列共振的峰谷结构。当四垂直波导中的一个弯曲高度火于或等于该量子波导中声子通道的最小维度时，透射谱中就会出现禁止频隙；当弯曲高度足够大时，透射谱中会出现一个或多个禁止频隙。有些具有较大弯曲高度的四垂直波导，它们对应的禁止频隙的宽度反而更窄，禁止频隙的数目可能更少。在波导的弯曲部分只有 0 模时，可以看到声子的透射系数随弯曲高度成周期性改变。 在弯曲区域的高度和长度较小时，四垂直波导的热导对弯曲区域的高度和长度的变化十分敏感。随着温度的升高，四垂直波导的热导先减小，达到最小值后再增大。第一
47、个连接在单个波导上的四垂直波导会抑制透射系数的增大和形成禁止频隙。在四垂直波导系列上每增加一个四垂直波导，就会在透射谱上增加二个共振峰。这些结论对人工控制热导和声子器件的设计具有指导意义。 我们也对低温下四通道量子结构的声子输运和热导进行了数值分析。计算的结果表明：当声学声子通过对称四通道量子结构时，声学波将在区域的边界发生多重反射，这些声学波在区域相互干涉形成具有一定波长和周期的驻波。不同的声学声子模在对称四通道量子结构中能够自动选择性地进入不同的输运通道。声学声子模的选择输运特性依赖于区域的的宽度和长度、不同通道的横向宽度和相对位置。通过适当调谐该纳米结构的几何参数，可以加强或者削弱声子在
48、不同通道中的输运强度。当声学声子通过非对称四通道量子结构时，不同的声学声子模也能够自动选择性地进入不同的输运通道。不同声子通道在低温下的热导是非整数量子化的。因此，该半导体四通道纳米结构在低温下可以用作声子模的分离器，或用于控制声学声子输运。 最后，我们研究了两种不同性质的双缺陷对纳米线中的声学声子热输运的影响，研究结果表明：当声学声子通过内含双缺陷的纳米线时，总透射系数（T）随约化声了频率（/）的变化图像呈现一系列的峰谷结构；由于缺陷和纳米线的边缘对声波的多重反射，声波在该纳米线中相互干涉可以形成驻波。透射系数的大小对双缺陷的宽度、长度和双缺陷的距离的变化十分敏感。在有真空缺陷的纳米线中，当
49、 T0 时，声子透射系数趋近于 1；当双缺陷是硬材料时，在纳米线中传播的声学声子，其频率必须大于其阈限频率。 这两种缺陷对热导的影响有本质的不同。若双缺陷是真空，当 T0 时，可以看到普适的量子化热导和热导平台。然而，若双缺陷是硬材料，当 T0 时，纳米线的热导为 0，激发 0 模必须大于其阈限温度。这些结论既让人们获得了一些有关缺陷的重要性质，又为实现人工控制热导和声子器件的设计提供了又一新的思路。近几十年来，半导体低维量子结构因其新颖的物理性质和广泛的应用前景，已成为凝聚态物理和材料科学中的重要前沿领域。同时，分子束外延等超薄生长技术和精细束加工技术的日益完善和迅猛发展也为量子器件的不断推陈出新给予了重要的技术支持。在本文中，我们对半导体低维纳米结构中的热输运和热导作了较深入的探索，并获得了一些有意义的结果，以期能为相关量子器件的设计和制造提供理论依据。 首先，我们在连续弹性近似模型下，利用转移矩阵方法，研究了扩散层和缺陷层在多层薄膜结构中对声学声子输运的影响，计算结果表明：不同频率的声学声子，大多数都能很
