1、材料学专业毕业论文 精品论文 PZN-PZT 三元系压电陶瓷的性能和掺杂改性研究关键词：压电陶瓷 准同型相界 电学性能 掺杂改性摘要：本文选取 0.3PZN-0.7PZT 三元系压电陶瓷作为研究对象，研究了 Zr/Ti对系统准同型相界及压电、介电性能的影响。通过研究得出：当 Zr/Ti 介于51/49 和 48/52 之间时，系统处于准同型相界处。材料性能尤以 Zr/Ti=49/51时最好。主要参数值为：T33/0=2590，d33=440pC/N，Kp=0.65，tan=1.7， Tc=286。本文还研究了烧结温度对压电陶瓷系统微观结构和性能的影响，结果表明：最佳烧结温度是 1230。此时晶
2、粒生长的均匀致密，粒径大小在(35)m。 此外，本文还对不同氧化物掺杂剂对 0.3PZN-0.7PZT 体系压电陶瓷的掺杂改性进行了研究。通过分析掺杂物 Ta2O5 和 Sb2O5 对材料性能的影响，并结合扫描电子显微镜图得出：Ta2O5 最佳的掺杂量为 0.2wt，Sb2O5 最佳的掺杂量为 1wt，比较各掺杂物的影响结果，以 0.20wt Ta2O5 的掺杂对材料性能的提升比较明显：d33=450 pC/N，Kp=0.66，T33/0=2570，Qm=80，tan=1.82。Sb2O5掺杂能促进晶粒的生长，在一定程度上降低烧结温度。 另外，本文对 Sb2O3的掺杂方式(外加和取代)及 Sb
3、 离子的价态(Sb3+和 Sb5+)对Pb0.95Ba0.05(Zn1/3Nb2/3)0.3(Zr1/2Ti1/2)0.7O3 电学性能及温度稳定性的影响进行了研究。结果表明：一定掺杂量能提高陶瓷的电学性能，以外加的方式掺杂时电学性能较好。Sb2O3 掺杂后能够改善其谐振频率温度稳定性，以取代的方式掺杂更有利于压电陶瓷温度稳定性的提高；两种价态(Sb3+和 Sb5+)掺杂所得到的 T33/0、d33 和 Kp 均在烧结温度为 1270时取得最大值，低于或高于 1270各个参数都开始下降。两种价态的掺杂所得到的 T33/0 最大值分别为 3217 和 3357，tan 随温度变化呈相反的趋势，在
4、 1270取得最小值2.36和 2.3。Sb3+掺杂时的谐振频率较高，室温以下，Sb5+掺杂的温度稳定性要比 Sb3+好，而在室温以上，两者的谐振频率变化并无明显的区别。随着温度的变化，两者的 Kp 变化不大，Kp 变化率(Kp/Kp20c)随温度的变化趋势相同，从负的温度系数向正的温度系数转变，Sb5+掺杂时稳定性较好。 最后本文研究了热处理、烧结制度和埋烧气氛对材料电学性能的影响，得出热处理能够有效的提高陶瓷的介电和压电性能，合理烧结制度的选择有利于本实验样品的电学性能的提高，正确埋烧料的选择对高性能材料的获得影响很大。正文内容本文选取 0.3PZN-0.7PZT 三元系压电陶瓷作为研究对
5、象，研究了 Zr/Ti 对系统准同型相界及压电、介电性能的影响。通过研究得出：当 Zr/Ti 介于51/49 和 48/52 之间时，系统处于准同型相界处。材料性能尤以 Zr/Ti=49/51时最好。主要参数值为：T33/0=2590，d33=440pC/N，Kp=0.65，tan=1.7， Tc=286。本文还研究了烧结温度对压电陶瓷系统微观结构和性能的影响，结果表明：最佳烧结温度是 1230。此时晶粒生长的均匀致密，粒径大小在(35)m。 此外，本文还对不同氧化物掺杂剂对 0.3PZN-0.7PZT 体系压电陶瓷的掺杂改性进行了研究。通过分析掺杂物 Ta2O5 和 Sb2O5 对材料性能的
6、影响，并结合扫描电子显微镜图得出：Ta2O5 最佳的掺杂量为 0.2wt，Sb2O5 最佳的掺杂量为 1wt，比较各掺杂物的影响结果，以 0.20wt Ta2O5 的掺杂对材料性能的提升比较明显：d33=450 pC/N，Kp=0.66，T33/0=2570，Qm=80，tan=1.82。Sb2O5掺杂能促进晶粒的生长，在一定程度上降低烧结温度。 另外，本文对 Sb2O3的掺杂方式(外加和取代)及 Sb 离子的价态(Sb3+和 Sb5+)对Pb0.95Ba0.05(Zn1/3Nb2/3)0.3(Zr1/2Ti1/2)0.7O3 电学性能及温度稳定性的影响进行了研究。结果表明：一定掺杂量能提高陶
7、瓷的电学性能，以外加的方式掺杂时电学性能较好。Sb2O3 掺杂后能够改善其谐振频率温度稳定性，以取代的方式掺杂更有利于压电陶瓷温度稳定性的提高；两种价态(Sb3+和 Sb5+)掺杂所得到的 T33/0、d33 和 Kp 均在烧结温度为 1270时取得最大值，低于或高于 1270各个参数都开始下降。两种价态的掺杂所得到的 T33/0 最大值分别为 3217 和 3357，tan 随温度变化呈相反的趋势，在 1270取得最小值2.36和 2.3。Sb3+掺杂时的谐振频率较高，室温以下，Sb5+掺杂的温度稳定性要比 Sb3+好，而在室温以上，两者的谐振频率变化并无明显的区别。随着温度的变化，两者的
8、Kp 变化不大，Kp 变化率(Kp/Kp20c)随温度的变化趋势相同，从负的温度系数向正的温度系数转变，Sb5+掺杂时稳定性较好。 最后本文研究了热处理、烧结制度和埋烧气氛对材料电学性能的影响，得出热处理能够有效的提高陶瓷的介电和压电性能，合理烧结制度的选择有利于本实验样品的电学性能的提高，正确埋烧料的选择对高性能材料的获得影响很大。本文选取 0.3PZN-0.7PZT 三元系压电陶瓷作为研究对象，研究了 Zr/Ti 对系统准同型相界及压电、介电性能的影响。通过研究得出：当 Zr/Ti 介于 51/49 和48/52 之间时，系统处于准同型相界处。材料性能尤以 Zr/Ti=49/51 时最好。
9、主要参数值为：T33/0=2590，d33=440pC/N，Kp=0.65，tan=1.7， Tc=286。本文还研究了烧结温度对压电陶瓷系统微观结构和性能的影响，结果表明：最佳烧结温度是 1230。此时晶粒生长的均匀致密，粒径大小在(35)m。 此外，本文还对不同氧化物掺杂剂对 0.3PZN-0.7PZT 体系压电陶瓷的掺杂改性进行了研究。通过分析掺杂物 Ta2O5 和 Sb2O5 对材料性能的影响，并结合扫描电子显微镜图得出：Ta2O5 最佳的掺杂量为 0.2wt，Sb2O5 最佳的掺杂量为 1wt，比较各掺杂物的影响结果，以 0.20wt Ta2O5 的掺杂对材料性能的提升比较明显：d3
10、3=450 pC/N，Kp=0.66，T33/0=2570，Qm=80，tan=1.82。Sb2O5 掺杂能促进晶粒的生长，在一定程度上降低烧结温度。 另外，本文对 Sb2O3 的掺杂方式(外加和取代)及 Sb 离子的价态(Sb3+和 Sb5+)对 Pb0.95Ba0.05(Zn1/3Nb2/3)0.3(Zr1/2Ti1/2)0.7O3 电学性能及温度稳定性的影响进行了研究。结果表明：一定掺杂量能提高陶瓷的电学性能，以外加的方式掺杂时电学性能较好。Sb2O3掺杂后能够改善其谐振频率温度稳定性，以取代的方式掺杂更有利于压电陶瓷温度稳定性的提高；两种价态(Sb3+和 Sb5+)掺杂所得到的 T33
11、/0、d33 和Kp 均在烧结温度为 1270时取得最大值，低于或高于 1270各个参数都开始下降。两种价态的掺杂所得到的 T33/0 最大值分别为 3217 和 3357，tan随温度变化呈相反的趋势，在 1270取得最小值 2.36和 2.3。Sb3+掺杂时的谐振频率较高，室温以下，Sb5+掺杂的温度稳定性要比 Sb3+好，而在室温以上，两者的谐振频率变化并无明显的区别。随着温度的变化，两者的 Kp 变化不大，Kp 变化率(Kp/Kp20c)随温度的变化趋势相同，从负的温度系数向正的温度系数转变，Sb5+掺杂时稳定性较好。 最后本文研究了热处理、烧结制度和埋烧气氛对材料电学性能的影响，得出
12、热处理能够有效的提高陶瓷的介电和压电性能，合理烧结制度的选择有利于本实验样品的电学性能的提高，正确埋烧料的选择对高性能材料的获得影响很大。本文选取 0.3PZN-0.7PZT 三元系压电陶瓷作为研究对象，研究了 Zr/Ti 对系统准同型相界及压电、介电性能的影响。通过研究得出：当 Zr/Ti 介于 51/49 和48/52 之间时，系统处于准同型相界处。材料性能尤以 Zr/Ti=49/51 时最好。主要参数值为：T33/0=2590，d33=440pC/N，Kp=0.65，tan=1.7， Tc=286。本文还研究了烧结温度对压电陶瓷系统微观结构和性能的影响，结果表明：最佳烧结温度是 1230
13、。此时晶粒生长的均匀致密，粒径大小在(35)m。 此外，本文还对不同氧化物掺杂剂对 0.3PZN-0.7PZT 体系压电陶瓷的掺杂改性进行了研究。通过分析掺杂物 Ta2O5 和 Sb2O5 对材料性能的影响，并结合扫描电子显微镜图得出：Ta2O5 最佳的掺杂量为 0.2wt，Sb2O5 最佳的掺杂量为 1wt，比较各掺杂物的影响结果，以 0.20wt Ta2O5 的掺杂对材料性能的提升比较明显：d33=450 pC/N，Kp=0.66，T33/0=2570，Qm=80，tan=1.82。Sb2O5 掺杂能促进晶粒的生长，在一定程度上降低烧结温度。 另外，本文对 Sb2O3 的掺杂方式(外加和取
14、代)及 Sb 离子的价态(Sb3+和 Sb5+)对 Pb0.95Ba0.05(Zn1/3Nb2/3)0.3(Zr1/2Ti1/2)0.7O3 电学性能及温度稳定性的影响进行了研究。结果表明：一定掺杂量能提高陶瓷的电学性能，以外加的方式掺杂时电学性能较好。Sb2O3掺杂后能够改善其谐振频率温度稳定性，以取代的方式掺杂更有利于压电陶瓷温度稳定性的提高；两种价态(Sb3+和 Sb5+)掺杂所得到的 T33/0、d33 和Kp 均在烧结温度为 1270时取得最大值，低于或高于 1270各个参数都开始下降。两种价态的掺杂所得到的 T33/0 最大值分别为 3217 和 3357，tan随温度变化呈相反的
15、趋势，在 1270取得最小值 2.36和 2.3。Sb3+掺杂时的谐振频率较高，室温以下，Sb5+掺杂的温度稳定性要比 Sb3+好，而在室温以上，两者的谐振频率变化并无明显的区别。随着温度的变化，两者的 Kp 变化不大，Kp 变化率(Kp/Kp20c)随温度的变化趋势相同，从负的温度系数向正的温度系数转变，Sb5+掺杂时稳定性较好。 最后本文研究了热处理、烧结制度和埋烧气氛对材料电学性能的影响，得出热处理能够有效的提高陶瓷的介电和压电性能，合理烧结制度的选择有利于本实验样品的电学性能的提高，正确埋烧料的选择对高性能材料的获得影响很大。本文选取 0.3PZN-0.7PZT 三元系压电陶瓷作为研究
16、对象，研究了 Zr/Ti 对系统准同型相界及压电、介电性能的影响。通过研究得出：当 Zr/Ti 介于 51/49 和48/52 之间时，系统处于准同型相界处。材料性能尤以 Zr/Ti=49/51 时最好。主要参数值为：T33/0=2590，d33=440pC/N，Kp=0.65，tan=1.7， Tc=286。本文还研究了烧结温度对压电陶瓷系统微观结构和性能的影响，结果表明：最佳烧结温度是 1230。此时晶粒生长的均匀致密，粒径大小在(35)m。 此外，本文还对不同氧化物掺杂剂对 0.3PZN-0.7PZT 体系压电陶瓷的掺杂改性进行了研究。通过分析掺杂物 Ta2O5 和 Sb2O5 对材料性
17、能的影响，并结合扫描电子显微镜图得出：Ta2O5 最佳的掺杂量为 0.2wt，Sb2O5 最佳的掺杂量为 1wt，比较各掺杂物的影响结果，以 0.20wt Ta2O5 的掺杂对材料性能的提升比较明显：d33=450 pC/N，Kp=0.66，T33/0=2570，Qm=80，tan=1.82。Sb2O5 掺杂能促进晶粒的生长，在一定程度上降低烧结温度。 另外，本文对 Sb2O3 的掺杂方式(外加和取代)及 Sb 离子的价态(Sb3+和 Sb5+)对 Pb0.95Ba0.05(Zn1/3Nb2/3)0.3(Zr1/2Ti1/2)0.7O3 电学性能及温度稳定性的影响进行了研究。结果表明：一定掺杂
18、量能提高陶瓷的电学性能，以外加的方式掺杂时电学性能较好。Sb2O3掺杂后能够改善其谐振频率温度稳定性，以取代的方式掺杂更有利于压电陶瓷温度稳定性的提高；两种价态(Sb3+和 Sb5+)掺杂所得到的 T33/0、d33 和Kp 均在烧结温度为 1270时取得最大值，低于或高于 1270各个参数都开始下降。两种价态的掺杂所得到的 T33/0 最大值分别为 3217 和 3357，tan随温度变化呈相反的趋势，在 1270取得最小值 2.36和 2.3。Sb3+掺杂时的谐振频率较高，室温以下，Sb5+掺杂的温度稳定性要比 Sb3+好，而在室温以上，两者的谐振频率变化并无明显的区别。随着温度的变化，两
19、者的 Kp 变化不大，Kp 变化率(Kp/Kp20c)随温度的变化趋势相同，从负的温度系数向正的温度系数转变，Sb5+掺杂时稳定性较好。 最后本文研究了热处理、烧结制度和埋烧气氛对材料电学性能的影响，得出热处理能够有效的提高陶瓷的介电和压电性能，合理烧结制度的选择有利于本实验样品的电学性能的提高，正确埋烧料的选择对高性能材料的获得影响很大。本文选取 0.3PZN-0.7PZT 三元系压电陶瓷作为研究对象，研究了 Zr/Ti 对系统准同型相界及压电、介电性能的影响。通过研究得出：当 Zr/Ti 介于 51/49 和48/52 之间时，系统处于准同型相界处。材料性能尤以 Zr/Ti=49/51 时
20、最好。主要参数值为：T33/0=2590，d33=440pC/N，Kp=0.65，tan=1.7， Tc=286。本文还研究了烧结温度对压电陶瓷系统微观结构和性能的影响，结果表明：最佳烧结温度是 1230。此时晶粒生长的均匀致密，粒径大小在(35)m。 此外，本文还对不同氧化物掺杂剂对 0.3PZN-0.7PZT 体系压电陶瓷的掺杂改性进行了研究。通过分析掺杂物 Ta2O5 和 Sb2O5 对材料性能的影响，并结合扫描电子显微镜图得出：Ta2O5 最佳的掺杂量为 0.2wt，Sb2O5 最佳的掺杂量为 1wt，比较各掺杂物的影响结果，以 0.20wt Ta2O5 的掺杂对材料性能的提升比较明显
21、：d33=450 pC/N，Kp=0.66，T33/0=2570，Qm=80，tan=1.82。Sb2O5 掺杂能促进晶粒的生长，在一定程度上降低烧结温度。 另外，本文对 Sb2O3 的掺杂方式(外加和取代)及 Sb 离子的价态(Sb3+和 Sb5+)对 Pb0.95Ba0.05(Zn1/3Nb2/3)0.3(Zr1/2Ti1/2)0.7O3 电学性能及温度稳定性的影响进行了研究。结果表明：一定掺杂量能提高陶瓷的电学性能，以外加的方式掺杂时电学性能较好。Sb2O3掺杂后能够改善其谐振频率温度稳定性，以取代的方式掺杂更有利于压电陶瓷温度稳定性的提高；两种价态(Sb3+和 Sb5+)掺杂所得到的
22、T33/0、d33 和Kp 均在烧结温度为 1270时取得最大值，低于或高于 1270各个参数都开始下降。两种价态的掺杂所得到的 T33/0 最大值分别为 3217 和 3357，tan随温度变化呈相反的趋势，在 1270取得最小值 2.36和 2.3。Sb3+掺杂时的谐振频率较高，室温以下，Sb5+掺杂的温度稳定性要比 Sb3+好，而在室温以上，两者的谐振频率变化并无明显的区别。随着温度的变化，两者的 Kp 变化不大，Kp 变化率(Kp/Kp20c)随温度的变化趋势相同，从负的温度系数向正的温度系数转变，Sb5+掺杂时稳定性较好。 最后本文研究了热处理、烧结制度和埋烧气氛对材料电学性能的影响
23、，得出热处理能够有效的提高陶瓷的介电和压电性能，合理烧结制度的选择有利于本实验样品的电学性能的提高，正确埋烧料的选择对高性能材料的获得影响很大。本文选取 0.3PZN-0.7PZT 三元系压电陶瓷作为研究对象，研究了 Zr/Ti 对系统准同型相界及压电、介电性能的影响。通过研究得出：当 Zr/Ti 介于 51/49 和48/52 之间时，系统处于准同型相界处。材料性能尤以 Zr/Ti=49/51 时最好。主要参数值为：T33/0=2590，d33=440pC/N，Kp=0.65，tan=1.7， Tc=286。本文还研究了烧结温度对压电陶瓷系统微观结构和性能的影响，结果表明：最佳烧结温度是 1
24、230。此时晶粒生长的均匀致密，粒径大小在(35)m。 此外，本文还对不同氧化物掺杂剂对 0.3PZN-0.7PZT 体系压电陶瓷的掺杂改性进行了研究。通过分析掺杂物 Ta2O5 和 Sb2O5 对材料性能的影响，并结合扫描电子显微镜图得出：Ta2O5 最佳的掺杂量为 0.2wt，Sb2O5 最佳的掺杂量为 1wt，比较各掺杂物的影响结果，以 0.20wt Ta2O5 的掺杂对材料性能的提升比较明显：d33=450 pC/N，Kp=0.66，T33/0=2570，Qm=80，tan=1.82。Sb2O5 掺杂能促进晶粒的生长，在一定程度上降低烧结温度。 另外，本文对 Sb2O3 的掺杂方式(外
25、加和取代)及 Sb 离子的价态(Sb3+和 Sb5+)对 Pb0.95Ba0.05(Zn1/3Nb2/3)0.3(Zr1/2Ti1/2)0.7O3 电学性能及温度稳定性的影响进行了研究。结果表明：一定掺杂量能提高陶瓷的电学性能，以外加的方式掺杂时电学性能较好。Sb2O3掺杂后能够改善其谐振频率温度稳定性，以取代的方式掺杂更有利于压电陶瓷温度稳定性的提高；两种价态(Sb3+和 Sb5+)掺杂所得到的 T33/0、d33 和Kp 均在烧结温度为 1270时取得最大值，低于或高于 1270各个参数都开始下降。两种价态的掺杂所得到的 T33/0 最大值分别为 3217 和 3357，tan随温度变化呈
26、相反的趋势，在 1270取得最小值 2.36和 2.3。Sb3+掺杂时的谐振频率较高，室温以下，Sb5+掺杂的温度稳定性要比 Sb3+好，而在室温以上，两者的谐振频率变化并无明显的区别。随着温度的变化，两者的 Kp 变化不大，Kp 变化率(Kp/Kp20c)随温度的变化趋势相同，从负的温度系数向正的温度系数转变，Sb5+掺杂时稳定性较好。 最后本文研究了热处理、烧结制度和埋烧气氛对材料电学性能的影响，得出热处理能够有效的提高陶瓷的介电和压电性能，合理烧结制度的选择有利于本实验样品的电学性能的提高，正确埋烧料的选择对高性能材料的获得影响很大。本文选取 0.3PZN-0.7PZT 三元系压电陶瓷作
27、为研究对象，研究了 Zr/Ti 对系统准同型相界及压电、介电性能的影响。通过研究得出：当 Zr/Ti 介于 51/49 和48/52 之间时，系统处于准同型相界处。材料性能尤以 Zr/Ti=49/51 时最好。主要参数值为：T33/0=2590，d33=440pC/N，Kp=0.65，tan=1.7， Tc=286。本文还研究了烧结温度对压电陶瓷系统微观结构和性能的影响，结果表明：最佳烧结温度是 1230。此时晶粒生长的均匀致密，粒径大小在(35)m。 此外，本文还对不同氧化物掺杂剂对 0.3PZN-0.7PZT 体系压电陶瓷的掺杂改性进行了研究。通过分析掺杂物 Ta2O5 和 Sb2O5 对
28、材料性能的影响，并结合扫描电子显微镜图得出：Ta2O5 最佳的掺杂量为 0.2wt，Sb2O5 最佳的掺杂量为 1wt，比较各掺杂物的影响结果，以 0.20wt Ta2O5 的掺杂对材料性能的提升比较明显：d33=450 pC/N，Kp=0.66，T33/0=2570，Qm=80，tan=1.82。Sb2O5 掺杂能促进晶粒的生长，在一定程度上降低烧结温度。 另外，本文对 Sb2O3 的掺杂方式(外加和取代)及 Sb 离子的价态(Sb3+和 Sb5+)对 Pb0.95Ba0.05(Zn1/3Nb2/3)0.3(Zr1/2Ti1/2)0.7O3 电学性能及温度稳定性的影响进行了研究。结果表明：一
29、定掺杂量能提高陶瓷的电学性能，以外加的方式掺杂时电学性能较好。Sb2O3掺杂后能够改善其谐振频率温度稳定性，以取代的方式掺杂更有利于压电陶瓷温度稳定性的提高；两种价态(Sb3+和 Sb5+)掺杂所得到的 T33/0、d33 和Kp 均在烧结温度为 1270时取得最大值，低于或高于 1270各个参数都开始下降。两种价态的掺杂所得到的 T33/0 最大值分别为 3217 和 3357，tan随温度变化呈相反的趋势，在 1270取得最小值 2.36和 2.3。Sb3+掺杂时的谐振频率较高，室温以下，Sb5+掺杂的温度稳定性要比 Sb3+好，而在室温以上，两者的谐振频率变化并无明显的区别。随着温度的变
30、化，两者的 Kp 变化不大，Kp 变化率(Kp/Kp20c)随温度的变化趋势相同，从负的温度系数向正的温度系数转变，Sb5+掺杂时稳定性较好。 最后本文研究了热处理、烧结制度和埋烧气氛对材料电学性能的影响，得出热处理能够有效的提高陶瓷的介电和压电性能，合理烧结制度的选择有利于本实验样品的电学性能的提高，正确埋烧料的选择对高性能材料的获得影响很大。本文选取 0.3PZN-0.7PZT 三元系压电陶瓷作为研究对象，研究了 Zr/Ti 对系统准同型相界及压电、介电性能的影响。通过研究得出：当 Zr/Ti 介于 51/49 和48/52 之间时，系统处于准同型相界处。材料性能尤以 Zr/Ti=49/5
31、1 时最好。主要参数值为：T33/0=2590，d33=440pC/N，Kp=0.65，tan=1.7， Tc=286。本文还研究了烧结温度对压电陶瓷系统微观结构和性能的影响，结果表明：最佳烧结温度是 1230。此时晶粒生长的均匀致密，粒径大小在(35)m。 此外，本文还对不同氧化物掺杂剂对 0.3PZN-0.7PZT 体系压电陶瓷的掺杂改性进行了研究。通过分析掺杂物 Ta2O5 和 Sb2O5 对材料性能的影响，并结合扫描电子显微镜图得出：Ta2O5 最佳的掺杂量为 0.2wt，Sb2O5 最佳的掺杂量为 1wt，比较各掺杂物的影响结果，以 0.20wt Ta2O5 的掺杂对材料性能的提升比
32、较明显：d33=450 pC/N，Kp=0.66，T33/0=2570，Qm=80，tan=1.82。Sb2O5 掺杂能促进晶粒的生长，在一定程度上降低烧结温度。 另外，本文对 Sb2O3 的掺杂方式(外加和取代)及 Sb 离子的价态(Sb3+和 Sb5+)对 Pb0.95Ba0.05(Zn1/3Nb2/3)0.3(Zr1/2Ti1/2)0.7O3 电学性能及温度稳定性的影响进行了研究。结果表明：一定掺杂量能提高陶瓷的电学性能，以外加的方式掺杂时电学性能较好。Sb2O3掺杂后能够改善其谐振频率温度稳定性，以取代的方式掺杂更有利于压电陶瓷温度稳定性的提高；两种价态(Sb3+和 Sb5+)掺杂所得
33、到的 T33/0、d33 和Kp 均在烧结温度为 1270时取得最大值，低于或高于 1270各个参数都开始下降。两种价态的掺杂所得到的 T33/0 最大值分别为 3217 和 3357，tan随温度变化呈相反的趋势，在 1270取得最小值 2.36和 2.3。Sb3+掺杂时的谐振频率较高，室温以下，Sb5+掺杂的温度稳定性要比 Sb3+好，而在室温以上，两者的谐振频率变化并无明显的区别。随着温度的变化，两者的 Kp 变化不大，Kp 变化率(Kp/Kp20c)随温度的变化趋势相同，从负的温度系数向正的温度系数转变，Sb5+掺杂时稳定性较好。 最后本文研究了热处理、烧结制度和埋烧气氛对材料电学性能
34、的影响，得出热处理能够有效的提高陶瓷的介电和压电性能，合理烧结制度的选择有利于本实验样品的电学性能的提高，正确埋烧料的选择对高性能材料的获得影响很大。本文选取 0.3PZN-0.7PZT 三元系压电陶瓷作为研究对象，研究了 Zr/Ti 对系统准同型相界及压电、介电性能的影响。通过研究得出：当 Zr/Ti 介于 51/49 和48/52 之间时，系统处于准同型相界处。材料性能尤以 Zr/Ti=49/51 时最好。主要参数值为：T33/0=2590，d33=440pC/N，Kp=0.65，tan=1.7， Tc=286。本文还研究了烧结温度对压电陶瓷系统微观结构和性能的影响，结果表明：最佳烧结温度
35、是 1230。此时晶粒生长的均匀致密，粒径大小在(35)m。 此外，本文还对不同氧化物掺杂剂对 0.3PZN-0.7PZT 体系压电陶瓷的掺杂改性进行了研究。通过分析掺杂物 Ta2O5 和 Sb2O5 对材料性能的影响，并结合扫描电子显微镜图得出：Ta2O5 最佳的掺杂量为 0.2wt，Sb2O5 最佳的掺杂量为 1wt，比较各掺杂物的影响结果，以 0.20wt Ta2O5 的掺杂对材料性能的提升比较明显：d33=450 pC/N，Kp=0.66，T33/0=2570，Qm=80，tan=1.82。Sb2O5 掺杂能促进晶粒的生长，在一定程度上降低烧结温度。 另外，本文对 Sb2O3 的掺杂方
36、式(外加和取代)及 Sb 离子的价态(Sb3+和 Sb5+)对 Pb0.95Ba0.05(Zn1/3Nb2/3)0.3(Zr1/2Ti1/2)0.7O3 电学性能及温度稳定性的影响进行了研究。结果表明：一定掺杂量能提高陶瓷的电学性能，以外加的方式掺杂时电学性能较好。Sb2O3掺杂后能够改善其谐振频率温度稳定性，以取代的方式掺杂更有利于压电陶瓷温度稳定性的提高；两种价态(Sb3+和 Sb5+)掺杂所得到的 T33/0、d33 和Kp 均在烧结温度为 1270时取得最大值，低于或高于 1270各个参数都开始下降。两种价态的掺杂所得到的 T33/0 最大值分别为 3217 和 3357，tan随温度
37、变化呈相反的趋势，在 1270取得最小值 2.36和 2.3。Sb3+掺杂时的谐振频率较高，室温以下，Sb5+掺杂的温度稳定性要比 Sb3+好，而在室温以上，两者的谐振频率变化并无明显的区别。随着温度的变化，两者的 Kp 变化不大，Kp 变化率(Kp/Kp20c)随温度的变化趋势相同，从负的温度系数向正的温度系数转变，Sb5+掺杂时稳定性较好。 最后本文研究了热处理、烧结制度和埋烧气氛对材料电学性能的影响，得出热处理能够有效的提高陶瓷的介电和压电性能，合理烧结制度的选择有利于本实验样品的电学性能的提高，正确埋烧料的选择对高性能材料的获得影响很大。本文选取 0.3PZN-0.7PZT 三元系压电
38、陶瓷作为研究对象，研究了 Zr/Ti 对系统准同型相界及压电、介电性能的影响。通过研究得出：当 Zr/Ti 介于 51/49 和48/52 之间时，系统处于准同型相界处。材料性能尤以 Zr/Ti=49/51 时最好。主要参数值为：T33/0=2590，d33=440pC/N，Kp=0.65，tan=1.7， Tc=286。本文还研究了烧结温度对压电陶瓷系统微观结构和性能的影响，结果表明：最佳烧结温度是 1230。此时晶粒生长的均匀致密，粒径大小在(35)m。 此外，本文还对不同氧化物掺杂剂对 0.3PZN-0.7PZT 体系压电陶瓷的掺杂改性进行了研究。通过分析掺杂物 Ta2O5 和 Sb2O
39、5 对材料性能的影响，并结合扫描电子显微镜图得出：Ta2O5 最佳的掺杂量为 0.2wt，Sb2O5 最佳的掺杂量为 1wt，比较各掺杂物的影响结果，以 0.20wt Ta2O5 的掺杂对材料性能的提升比较明显：d33=450 pC/N，Kp=0.66，T33/0=2570，Qm=80，tan=1.82。Sb2O5 掺杂能促进晶粒的生长，在一定程度上降低烧结温度。 另外，本文对 Sb2O3 的掺杂方式(外加和取代)及 Sb 离子的价态(Sb3+和 Sb5+)对 Pb0.95Ba0.05(Zn1/3Nb2/3)0.3(Zr1/2Ti1/2)0.7O3 电学性能及温度稳定性的影响进行了研究。结果表
40、明：一定掺杂量能提高陶瓷的电学性能，以外加的方式掺杂时电学性能较好。Sb2O3掺杂后能够改善其谐振频率温度稳定性，以取代的方式掺杂更有利于压电陶瓷温度稳定性的提高；两种价态(Sb3+和 Sb5+)掺杂所得到的 T33/0、d33 和Kp 均在烧结温度为 1270时取得最大值，低于或高于 1270各个参数都开始下降。两种价态的掺杂所得到的 T33/0 最大值分别为 3217 和 3357，tan随温度变化呈相反的趋势，在 1270取得最小值 2.36和 2.3。Sb3+掺杂时的谐振频率较高，室温以下，Sb5+掺杂的温度稳定性要比 Sb3+好，而在室温以上，两者的谐振频率变化并无明显的区别。随着温
41、度的变化，两者的 Kp 变化不大，Kp 变化率(Kp/Kp20c)随温度的变化趋势相同，从负的温度系数向正的温度系数转变，Sb5+掺杂时稳定性较好。 最后本文研究了热处理、烧结制度和埋烧气氛对材料电学性能的影响，得出热处理能够有效的提高陶瓷的介电和压电性能，合理烧结制度的选择有利于本实验样品的电学性能的提高，正确埋烧料的选择对高性能材料的获得影响很大。特别提醒 ：正文内容由 PDF 文件转码生成，如您电脑未有相应转换码，则无法显示正文内容，请您下载相应软件，下载地址为 http:/ 。如还不能显示，可以联系我 q q 1627550258 ，提供原格式文档。“垐垯櫃 换烫梯葺铑?endstre
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