1、机械制造及其自动化专业优秀论文 PT/PZT/PT 薄膜微力传感器的研究关键词：微悬臂梁 微力传感器 压电薄膜 硅微加工摘要：MEMS 技术的发展为基于压电薄膜和硅微加工技术的微传感器和微执行器的研究带来了巨大的机遇。压电式微力传感器具有低能耗、高灵敏度、易于与压电微执行器集成等优点使其具有很大的应用价值。本文以 PZT、PT/PZT/PT 压电薄膜悬臂梁式微力传感器为研究对象，研究了压电薄膜制备及表征，并对压电薄膜悬臂梁式微力传感器进行了仿真、制作和测试。 通过应用有限元软件ANSYS10.0 对压电薄膜微悬臂梁结构进行静力分析、模态分析和谐响应分析，研究了静态和动态下压电薄膜微悬臂梁的结构
2、尺寸对微力传感器灵敏度的影响。采用溶胶凝胶法在 Pt/Ti/SiOlt;,2gt;/Si 衬底上制备了PT、PZT 和 PT/PZT/PT 压电薄膜，研究了这三种压电薄膜的制备工艺以及通过研究 PZT 薄膜结晶和取向与不同 PT 种子层厚度的关系，得到了 20nm 厚的 PT 种子层对 PZT 薄膜的结晶和取向具有明显的影响。在两种退火工艺下比较了 PZT和 PT/PZT/PT 两种薄膜的特性。退火工艺一下，PT/PZT/PT 薄膜较 PZT 薄膜结晶更加完善；退火工艺二下，PT/PZT/PT 薄膜较 PZT 薄膜除了结晶更加完善外，并沿(100)晶向择优取向，且具有良好的介电性能，但漏电流有
3、所增加。 通过干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的体硅工艺，制作了两种不同尺寸的 PZT 或PT/PZT/PT 压电薄膜微悬臂梁结构，并测试了它们的弹性系数与灵敏度。用PZT，PT/PZT/PT 薄膜作压电层，尺寸为 1000m200m10m 的微力传感器的灵敏度分别为 0.042mV/N 和 0.045mV/N；用 PZT，PT/PZT/PT 薄膜作压电层，尺寸为 500m100m10m 的微力传感器的灵敏度分别为 0.004 mV/N 和 0.007 mV/N。当微悬臂梁尺寸相同时，用 PT/PZT/PT 薄膜做压电层比用 PZT 薄膜作压电层的微力传感器具有较大的灵敏度。正文内容MEMS 技术的发
4、展为基于压电薄膜和硅微加工技术的微传感器和微执行器的研究带来了巨大的机遇。压电式微力传感器具有低能耗、高灵敏度、易于与压电微执行器集成等优点使其具有很大的应用价值。本文以 PZT、PT/PZT/PT 压电薄膜悬臂梁式微力传感器为研究对象，研究了压电薄膜制备及表征，并对压电薄膜悬臂梁式微力传感器进行了仿真、制作和测试。 通过应用有限元软件ANSYS10.0 对压电薄膜微悬臂梁结构进行静力分析、模态分析和谐响应分析，研究了静态和动态下压电薄膜微悬臂梁的结构尺寸对微力传感器灵敏度的影响。采用溶胶凝胶法在 Pt/Ti/SiOlt;,2gt;/Si 衬底上制备了PT、PZT 和 PT/PZT/PT 压电
5、薄膜，研究了这三种压电薄膜的制备工艺以及通过研究 PZT 薄膜结晶和取向与不同 PT 种子层厚度的关系，得到了 20nm 厚的 PT 种子层对 PZT 薄膜的结晶和取向具有明显的影响。在两种退火工艺下比较了 PZT和 PT/PZT/PT 两种薄膜的特性。退火工艺一下，PT/PZT/PT 薄膜较 PZT 薄膜结晶更加完善；退火工艺二下，PT/PZT/PT 薄膜较 PZT 薄膜除了结晶更加完善外，并沿(100)晶向择优取向，且具有良好的介电性能，但漏电流有所增加。 通过干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的体硅工艺，制作了两种不同尺寸的 PZT 或PT/PZT/PT 压电薄膜微悬臂梁结构，并测试了它们的弹性系
6、数与灵敏度。用PZT，PT/PZT/PT 薄膜作压电层，尺寸为 1000m200m10m 的微力传感器的灵敏度分别为 0.042mV/N 和 0.045mV/N；用 PZT，PT/PZT/PT 薄膜作压电层，尺寸为 500m100m10m 的微力传感器的灵敏度分别为 0.004 mV/N 和 0.007 mV/N。当微悬臂梁尺寸相同时，用 PT/PZT/PT 薄膜做压电层比用 PZT 薄膜作压电层的微力传感器具有较大的灵敏度。MEMS 技术的发展为基于压电薄膜和硅微加工技术的微传感器和微执行器的研究带来了巨大的机遇。压电式微力传感器具有低能耗、高灵敏度、易于与压电微执行器集成等优点使其具有很大
7、的应用价值。本文以 PZT、PT/PZT/PT 压电薄膜悬臂梁式微力传感器为研究对象，研究了压电薄膜制备及表征，并对压电薄膜悬臂梁式微力传感器进行了仿真、制作和测试。 通过应用有限元软件ANSYS10.0 对压电薄膜微悬臂梁结构进行静力分析、模态分析和谐响应分析，研究了静态和动态下压电薄膜微悬臂梁的结构尺寸对微力传感器灵敏度的影响。采用溶胶凝胶法在 Pt/Ti/SiOlt;,2gt;/Si 衬底上制备了PT、PZT 和 PT/PZT/PT 压电薄膜，研究了这三种压电薄膜的制备工艺以及通过研究 PZT 薄膜结晶和取向与不同 PT 种子层厚度的关系，得到了 20nm 厚的 PT 种子层对 PZT
8、薄膜的结晶和取向具有明显的影响。在两种退火工艺下比较了 PZT和 PT/PZT/PT 两种薄膜的特性。退火工艺一下，PT/PZT/PT 薄膜较 PZT 薄膜结晶更加完善；退火工艺二下，PT/PZT/PT 薄膜较 PZT 薄膜除了结晶更加完善外，并沿(100)晶向择优取向，且具有良好的介电性能，但漏电流有所增加。 通过干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的体硅工艺，制作了两种不同尺寸的 PZT 或PT/PZT/PT 压电薄膜微悬臂梁结构，并测试了它们的弹性系数与灵敏度。用PZT，PT/PZT/PT 薄膜作压电层，尺寸为 1000m200m10m 的微力传感器的灵敏度分别为 0.042mV/N 和 0.045
9、mV/N；用 PZT，PT/PZT/PT 薄膜作压电层，尺寸为 500m100m10m 的微力传感器的灵敏度分别为 0.004 mV/N 和 0.007 mV/N。当微悬臂梁尺寸相同时，用 PT/PZT/PT 薄膜做压电层比用 PZT 薄膜作压电层的微力传感器具有较大的灵敏度。MEMS 技术的发展为基于压电薄膜和硅微加工技术的微传感器和微执行器的研究带来了巨大的机遇。压电式微力传感器具有低能耗、高灵敏度、易于与压电微执行器集成等优点使其具有很大的应用价值。本文以 PZT、PT/PZT/PT 压电薄膜悬臂梁式微力传感器为研究对象，研究了压电薄膜制备及表征，并对压电薄膜悬臂梁式微力传感器进行了仿真
10、、制作和测试。 通过应用有限元软件ANSYS10.0 对压电薄膜微悬臂梁结构进行静力分析、模态分析和谐响应分析，研究了静态和动态下压电薄膜微悬臂梁的结构尺寸对微力传感器灵敏度的影响。采用溶胶凝胶法在 Pt/Ti/SiOlt;,2gt;/Si 衬底上制备了PT、PZT 和 PT/PZT/PT 压电薄膜，研究了这三种压电薄膜的制备工艺以及通过研究 PZT 薄膜结晶和取向与不同 PT 种子层厚度的关系，得到了 20nm 厚的 PT 种子层对 PZT 薄膜的结晶和取向具有明显的影响。在两种退火工艺下比较了 PZT和 PT/PZT/PT 两种薄膜的特性。退火工艺一下，PT/PZT/PT 薄膜较 PZT
11、薄膜结晶更加完善；退火工艺二下，PT/PZT/PT 薄膜较 PZT 薄膜除了结晶更加完善外，并沿(100)晶向择优取向，且具有良好的介电性能，但漏电流有所增加。 通过干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的体硅工艺，制作了两种不同尺寸的 PZT 或PT/PZT/PT 压电薄膜微悬臂梁结构，并测试了它们的弹性系数与灵敏度。用PZT，PT/PZT/PT 薄膜作压电层，尺寸为 1000m200m10m 的微力传感器的灵敏度分别为 0.042mV/N 和 0.045mV/N；用 PZT，PT/PZT/PT 薄膜作压电层，尺寸为 500m100m10m 的微力传感器的灵敏度分别为 0.004 mV/N 和 0.007
12、 mV/N。当微悬臂梁尺寸相同时，用 PT/PZT/PT 薄膜做压电层比用 PZT 薄膜作压电层的微力传感器具有较大的灵敏度。MEMS 技术的发展为基于压电薄膜和硅微加工技术的微传感器和微执行器的研究带来了巨大的机遇。压电式微力传感器具有低能耗、高灵敏度、易于与压电微执行器集成等优点使其具有很大的应用价值。本文以 PZT、PT/PZT/PT 压电薄膜悬臂梁式微力传感器为研究对象，研究了压电薄膜制备及表征，并对压电薄膜悬臂梁式微力传感器进行了仿真、制作和测试。 通过应用有限元软件ANSYS10.0 对压电薄膜微悬臂梁结构进行静力分析、模态分析和谐响应分析，研究了静态和动态下压电薄膜微悬臂梁的结构
13、尺寸对微力传感器灵敏度的影响。采用溶胶凝胶法在 Pt/Ti/SiOlt;,2gt;/Si 衬底上制备了PT、PZT 和 PT/PZT/PT 压电薄膜，研究了这三种压电薄膜的制备工艺以及通过研究 PZT 薄膜结晶和取向与不同 PT 种子层厚度的关系，得到了 20nm 厚的 PT 种子层对 PZT 薄膜的结晶和取向具有明显的影响。在两种退火工艺下比较了 PZT和 PT/PZT/PT 两种薄膜的特性。退火工艺一下，PT/PZT/PT 薄膜较 PZT 薄膜结晶更加完善；退火工艺二下，PT/PZT/PT 薄膜较 PZT 薄膜除了结晶更加完善外，并沿(100)晶向择优取向，且具有良好的介电性能，但漏电流有
14、所增加。 通过干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的体硅工艺，制作了两种不同尺寸的 PZT 或PT/PZT/PT 压电薄膜微悬臂梁结构，并测试了它们的弹性系数与灵敏度。用PZT，PT/PZT/PT 薄膜作压电层，尺寸为 1000m200m10m 的微力传感器的灵敏度分别为 0.042mV/N 和 0.045mV/N；用 PZT，PT/PZT/PT 薄膜作压电层，尺寸为 500m100m10m 的微力传感器的灵敏度分别为 0.004 mV/N 和 0.007 mV/N。当微悬臂梁尺寸相同时，用 PT/PZT/PT 薄膜做压电层比用 PZT 薄膜作压电层的微力传感器具有较大的灵敏度。MEMS 技术的发展为基于
15、压电薄膜和硅微加工技术的微传感器和微执行器的研究带来了巨大的机遇。压电式微力传感器具有低能耗、高灵敏度、易于与压电微执行器集成等优点使其具有很大的应用价值。本文以 PZT、PT/PZT/PT 压电薄膜悬臂梁式微力传感器为研究对象，研究了压电薄膜制备及表征，并对压电薄膜悬臂梁式微力传感器进行了仿真、制作和测试。 通过应用有限元软件ANSYS10.0 对压电薄膜微悬臂梁结构进行静力分析、模态分析和谐响应分析，研究了静态和动态下压电薄膜微悬臂梁的结构尺寸对微力传感器灵敏度的影响。采用溶胶凝胶法在 Pt/Ti/SiOlt;,2gt;/Si 衬底上制备了PT、PZT 和 PT/PZT/PT 压电薄膜，研
16、究了这三种压电薄膜的制备工艺以及通过研究 PZT 薄膜结晶和取向与不同 PT 种子层厚度的关系，得到了 20nm 厚的 PT 种子层对 PZT 薄膜的结晶和取向具有明显的影响。在两种退火工艺下比较了 PZT和 PT/PZT/PT 两种薄膜的特性。退火工艺一下，PT/PZT/PT 薄膜较 PZT 薄膜结晶更加完善；退火工艺二下，PT/PZT/PT 薄膜较 PZT 薄膜除了结晶更加完善外，并沿(100)晶向择优取向，且具有良好的介电性能，但漏电流有所增加。 通过干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的体硅工艺，制作了两种不同尺寸的 PZT 或PT/PZT/PT 压电薄膜微悬臂梁结构，并测试了它们的弹性系数与灵敏
17、度。用PZT，PT/PZT/PT 薄膜作压电层，尺寸为 1000m200m10m 的微力传感器的灵敏度分别为 0.042mV/N 和 0.045mV/N；用 PZT，PT/PZT/PT 薄膜作压电层，尺寸为 500m100m10m 的微力传感器的灵敏度分别为 0.004 mV/N 和 0.007 mV/N。当微悬臂梁尺寸相同时，用 PT/PZT/PT 薄膜做压电层比用 PZT 薄膜作压电层的微力传感器具有较大的灵敏度。MEMS 技术的发展为基于压电薄膜和硅微加工技术的微传感器和微执行器的研究带来了巨大的机遇。压电式微力传感器具有低能耗、高灵敏度、易于与压电微执行器集成等优点使其具有很大的应用价
18、值。本文以 PZT、PT/PZT/PT 压电薄膜悬臂梁式微力传感器为研究对象，研究了压电薄膜制备及表征，并对压电薄膜悬臂梁式微力传感器进行了仿真、制作和测试。 通过应用有限元软件ANSYS10.0 对压电薄膜微悬臂梁结构进行静力分析、模态分析和谐响应分析，研究了静态和动态下压电薄膜微悬臂梁的结构尺寸对微力传感器灵敏度的影响。采用溶胶凝胶法在 Pt/Ti/SiOlt;,2gt;/Si 衬底上制备了PT、PZT 和 PT/PZT/PT 压电薄膜，研究了这三种压电薄膜的制备工艺以及通过研究 PZT 薄膜结晶和取向与不同 PT 种子层厚度的关系，得到了 20nm 厚的 PT 种子层对 PZT 薄膜的结
19、晶和取向具有明显的影响。在两种退火工艺下比较了 PZT和 PT/PZT/PT 两种薄膜的特性。退火工艺一下，PT/PZT/PT 薄膜较 PZT 薄膜结晶更加完善；退火工艺二下，PT/PZT/PT 薄膜较 PZT 薄膜除了结晶更加完善外，并沿(100)晶向择优取向，且具有良好的介电性能，但漏电流有所增加。 通过干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的体硅工艺，制作了两种不同尺寸的 PZT 或PT/PZT/PT 压电薄膜微悬臂梁结构，并测试了它们的弹性系数与灵敏度。用PZT，PT/PZT/PT 薄膜作压电层，尺寸为 1000m200m10m 的微力传感器的灵敏度分别为 0.042mV/N 和 0.045mV/N
20、；用 PZT，PT/PZT/PT 薄膜作压电层，尺寸为 500m100m10m 的微力传感器的灵敏度分别为 0.004 mV/N 和 0.007 mV/N。当微悬臂梁尺寸相同时，用 PT/PZT/PT 薄膜做压电层比用 PZT 薄膜作压电层的微力传感器具有较大的灵敏度。MEMS 技术的发展为基于压电薄膜和硅微加工技术的微传感器和微执行器的研究带来了巨大的机遇。压电式微力传感器具有低能耗、高灵敏度、易于与压电微执行器集成等优点使其具有很大的应用价值。本文以 PZT、PT/PZT/PT 压电薄膜悬臂梁式微力传感器为研究对象，研究了压电薄膜制备及表征，并对压电薄膜悬臂梁式微力传感器进行了仿真、制作和
21、测试。 通过应用有限元软件ANSYS10.0 对压电薄膜微悬臂梁结构进行静力分析、模态分析和谐响应分析，研究了静态和动态下压电薄膜微悬臂梁的结构尺寸对微力传感器灵敏度的影响。采用溶胶凝胶法在 Pt/Ti/SiOlt;,2gt;/Si 衬底上制备了PT、PZT 和 PT/PZT/PT 压电薄膜，研究了这三种压电薄膜的制备工艺以及通过研究 PZT 薄膜结晶和取向与不同 PT 种子层厚度的关系，得到了 20nm 厚的 PT 种子层对 PZT 薄膜的结晶和取向具有明显的影响。在两种退火工艺下比较了 PZT和 PT/PZT/PT 两种薄膜的特性。退火工艺一下，PT/PZT/PT 薄膜较 PZT 薄膜结晶
22、更加完善；退火工艺二下，PT/PZT/PT 薄膜较 PZT 薄膜除了结晶更加完善外，并沿(100)晶向择优取向，且具有良好的介电性能，但漏电流有所增加。 通过干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的体硅工艺，制作了两种不同尺寸的 PZT 或PT/PZT/PT 压电薄膜微悬臂梁结构，并测试了它们的弹性系数与灵敏度。用PZT，PT/PZT/PT 薄膜作压电层，尺寸为 1000m200m10m 的微力传感器的灵敏度分别为 0.042mV/N 和 0.045mV/N；用 PZT，PT/PZT/PT 薄膜作压电层，尺寸为 500m100m10m 的微力传感器的灵敏度分别为 0.004 mV/N 和 0.007 mV/
23、N。当微悬臂梁尺寸相同时，用 PT/PZT/PT 薄膜做压电层比用 PZT 薄膜作压电层的微力传感器具有较大的灵敏度。MEMS 技术的发展为基于压电薄膜和硅微加工技术的微传感器和微执行器的研究带来了巨大的机遇。压电式微力传感器具有低能耗、高灵敏度、易于与压电微执行器集成等优点使其具有很大的应用价值。本文以 PZT、PT/PZT/PT 压电薄膜悬臂梁式微力传感器为研究对象，研究了压电薄膜制备及表征，并对压电薄膜悬臂梁式微力传感器进行了仿真、制作和测试。 通过应用有限元软件ANSYS10.0 对压电薄膜微悬臂梁结构进行静力分析、模态分析和谐响应分析，研究了静态和动态下压电薄膜微悬臂梁的结构尺寸对微
24、力传感器灵敏度的影响。采用溶胶凝胶法在 Pt/Ti/SiOlt;,2gt;/Si 衬底上制备了PT、PZT 和 PT/PZT/PT 压电薄膜，研究了这三种压电薄膜的制备工艺以及通过研究 PZT 薄膜结晶和取向与不同 PT 种子层厚度的关系，得到了 20nm 厚的 PT 种子层对 PZT 薄膜的结晶和取向具有明显的影响。在两种退火工艺下比较了 PZT和 PT/PZT/PT 两种薄膜的特性。退火工艺一下，PT/PZT/PT 薄膜较 PZT 薄膜结晶更加完善；退火工艺二下，PT/PZT/PT 薄膜较 PZT 薄膜除了结晶更加完善外，并沿(100)晶向择优取向，且具有良好的介电性能，但漏电流有所增加。
25、 通过干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的体硅工艺，制作了两种不同尺寸的 PZT 或PT/PZT/PT 压电薄膜微悬臂梁结构，并测试了它们的弹性系数与灵敏度。用PZT，PT/PZT/PT 薄膜作压电层，尺寸为 1000m200m10m 的微力传感器的灵敏度分别为 0.042mV/N 和 0.045mV/N；用 PZT，PT/PZT/PT 薄膜作压电层，尺寸为 500m100m10m 的微力传感器的灵敏度分别为 0.004 mV/N 和 0.007 mV/N。当微悬臂梁尺寸相同时，用 PT/PZT/PT 薄膜做压电层比用 PZT 薄膜作压电层的微力传感器具有较大的灵敏度。MEMS 技术的发展为基于压电薄膜
26、和硅微加工技术的微传感器和微执行器的研究带来了巨大的机遇。压电式微力传感器具有低能耗、高灵敏度、易于与压电微执行器集成等优点使其具有很大的应用价值。本文以 PZT、PT/PZT/PT 压电薄膜悬臂梁式微力传感器为研究对象，研究了压电薄膜制备及表征，并对压电薄膜悬臂梁式微力传感器进行了仿真、制作和测试。 通过应用有限元软件ANSYS10.0 对压电薄膜微悬臂梁结构进行静力分析、模态分析和谐响应分析，研究了静态和动态下压电薄膜微悬臂梁的结构尺寸对微力传感器灵敏度的影响。采用溶胶凝胶法在 Pt/Ti/SiOlt;,2gt;/Si 衬底上制备了PT、PZT 和 PT/PZT/PT 压电薄膜，研究了这三
27、种压电薄膜的制备工艺以及通过研究 PZT 薄膜结晶和取向与不同 PT 种子层厚度的关系，得到了 20nm 厚的 PT 种子层对 PZT 薄膜的结晶和取向具有明显的影响。在两种退火工艺下比较了 PZT和 PT/PZT/PT 两种薄膜的特性。退火工艺一下，PT/PZT/PT 薄膜较 PZT 薄膜结晶更加完善；退火工艺二下，PT/PZT/PT 薄膜较 PZT 薄膜除了结晶更加完善外，并沿(100)晶向择优取向，且具有良好的介电性能，但漏电流有所增加。 通过干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的体硅工艺，制作了两种不同尺寸的 PZT 或PT/PZT/PT 压电薄膜微悬臂梁结构，并测试了它们的弹性系数与灵敏度。用P
28、ZT，PT/PZT/PT 薄膜作压电层，尺寸为 1000m200m10m 的微力传感器的灵敏度分别为 0.042mV/N 和 0.045mV/N；用 PZT，PT/PZT/PT 薄膜作压电层，尺寸为 500m100m10m 的微力传感器的灵敏度分别为 0.004 mV/N 和 0.007 mV/N。当微悬臂梁尺寸相同时，用 PT/PZT/PT 薄膜做压电层比用 PZT 薄膜作压电层的微力传感器具有较大的灵敏度。MEMS 技术的发展为基于压电薄膜和硅微加工技术的微传感器和微执行器的研究带来了巨大的机遇。压电式微力传感器具有低能耗、高灵敏度、易于与压电微执行器集成等优点使其具有很大的应用价值。本文
29、以 PZT、PT/PZT/PT 压电薄膜悬臂梁式微力传感器为研究对象，研究了压电薄膜制备及表征，并对压电薄膜悬臂梁式微力传感器进行了仿真、制作和测试。 通过应用有限元软件ANSYS10.0 对压电薄膜微悬臂梁结构进行静力分析、模态分析和谐响应分析，研究了静态和动态下压电薄膜微悬臂梁的结构尺寸对微力传感器灵敏度的影响。采用溶胶凝胶法在 Pt/Ti/SiOlt;,2gt;/Si 衬底上制备了PT、PZT 和 PT/PZT/PT 压电薄膜，研究了这三种压电薄膜的制备工艺以及通过研究 PZT 薄膜结晶和取向与不同 PT 种子层厚度的关系，得到了 20nm 厚的 PT 种子层对 PZT 薄膜的结晶和取向
30、具有明显的影响。在两种退火工艺下比较了 PZT和 PT/PZT/PT 两种薄膜的特性。退火工艺一下，PT/PZT/PT 薄膜较 PZT 薄膜结晶更加完善；退火工艺二下，PT/PZT/PT 薄膜较 PZT 薄膜除了结晶更加完善外，并沿(100)晶向择优取向，且具有良好的介电性能，但漏电流有所增加。 通过干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的体硅工艺，制作了两种不同尺寸的 PZT 或PT/PZT/PT 压电薄膜微悬臂梁结构，并测试了它们的弹性系数与灵敏度。用PZT，PT/PZT/PT 薄膜作压电层，尺寸为 1000m200m10m 的微力传感器的灵敏度分别为 0.042mV/N 和 0.045mV/N；用 P
31、ZT，PT/PZT/PT 薄膜作压电层，尺寸为 500m100m10m 的微力传感器的灵敏度分别为 0.004 mV/N 和 0.007 mV/N。当微悬臂梁尺寸相同时，用 PT/PZT/PT 薄膜做压电层比用 PZT 薄膜作压电层的微力传感器具有较大的灵敏度。特别提醒 ：正文内容由 PDF 文件转码生成，如您电脑未有相应转换码，则无法显示正文内容，请您下载相应软件，下载地址为 http:/ 。如还不能显示，可以联系我 q q 1627550258 ，提供原格式文档。我们还可提供代笔服务，价格优惠，服务周到，包您通过。“垐垯櫃 换烫梯葺铑?endstreamendobj2x 滌甸?*U 躆 跦
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