1、应用化学专业毕业论文 精品论文 CdSe/聚苯胺纳米复合材料的电化学制备及表征关键词：聚苯胺 电沉积 脉冲电位 复合薄膜 电致发光 纳米复合材料摘要：有机/无机复合电致发光器件集纳米、有机等各方面的性能于一体，因此被认为是一种实现高效电致发光的新途径。论文通过电化学方法制备了聚苯胺薄膜，进而制备出聚苯胺/CdSe 复合薄膜，为以后封装聚合物/纳米半导体复合电致发光器件奠定了基础。 论文用控电位沉积法和脉冲电位阶跃法分别制备出聚苯胺薄膜。采用扫描电镜（SEM） 、红外光谱仪（IR） 、X 射线衍射（XRD） 、荧光光谱仪等仪器对所制备的薄膜进行比较与表征。实验结果表明，采用恒电位法可制备出聚苯胺
2、晶体薄膜，其表面形貌因沉积时间不同而有所差异，另外，保护剂 PVP 的存在可以有效的减小颗粒直径。荧光光谱分析表明，聚苯胺薄膜具有光致发光性能，且发光强度随沉积时间的增加而增强。采用脉冲电位阶跃制备的聚苯胺薄膜中，聚苯胺粒径约 90-150 nm，脉冲周期和脉冲时间对薄膜表面形貌影响不大。荧光光谱显示，脉冲沉积的聚苯胺薄膜发射峰位置在520nm 左右，且发光强度随占空比的增加而增大。较之恒电位沉积，脉冲沉积的聚苯胺薄膜颗粒直径要小约 5-10 nm，且薄膜更加致密，发光位置没有太大变化，但发光强度明显增强。 在电化学方法制备聚苯胺基础上，采用双槽法制备出 CdSe/聚苯胺复合薄膜。XRD 分析
3、表明，薄膜中含有聚苯胺和 CdSe 两种成分的晶体，SEM 测试表明，在聚苯胺薄膜上沉积出 CdSe 颗粒，粒径约 80-150nm。荧光光谱显示，与单纯的 CdSe 薄膜相比，复合材料的发光波长明显红移，且发光强度显著提高。正文内容有机/无机复合电致发光器件集纳米、有机等各方面的性能于一体，因此被认为是一种实现高效电致发光的新途径。论文通过电化学方法制备了聚苯胺薄膜，进而制备出聚苯胺/CdSe 复合薄膜，为以后封装聚合物/纳米半导体复合电致发光器件奠定了基础。 论文用控电位沉积法和脉冲电位阶跃法分别制备出聚苯胺薄膜。采用扫描电镜（SEM） 、红外光谱仪（IR） 、X 射线衍射（XRD） 、荧
4、光光谱仪等仪器对所制备的薄膜进行比较与表征。实验结果表明，采用恒电位法可制备出聚苯胺晶体薄膜，其表面形貌因沉积时间不同而有所差异，另外，保护剂 PVP 的存在可以有效的减小颗粒直径。荧光光谱分析表明，聚苯胺薄膜具有光致发光性能，且发光强度随沉积时间的增加而增强。采用脉冲电位阶跃制备的聚苯胺薄膜中，聚苯胺粒径约 90-150 nm，脉冲周期和脉冲时间对薄膜表面形貌影响不大。荧光光谱显示，脉冲沉积的聚苯胺薄膜发射峰位置在520nm 左右，且发光强度随占空比的增加而增大。较之恒电位沉积，脉冲沉积的聚苯胺薄膜颗粒直径要小约 5-10 nm，且薄膜更加致密，发光位置没有太大变化，但发光强度明显增强。 在
5、电化学方法制备聚苯胺基础上，采用双槽法制备出 CdSe/聚苯胺复合薄膜。XRD 分析表明，薄膜中含有聚苯胺和 CdSe 两种成分的晶体，SEM 测试表明，在聚苯胺薄膜上沉积出 CdSe 颗粒，粒径约 80-150nm。荧光光谱显示，与单纯的 CdSe 薄膜相比，复合材料的发光波长明显红移，且发光强度显著提高。有机/无机复合电致发光器件集纳米、有机等各方面的性能于一体，因此被认为是一种实现高效电致发光的新途径。论文通过电化学方法制备了聚苯胺薄膜，进而制备出聚苯胺/CdSe 复合薄膜，为以后封装聚合物/纳米半导体复合电致发光器件奠定了基础。 论文用控电位沉积法和脉冲电位阶跃法分别制备出聚苯胺薄膜。
6、采用扫描电镜（SEM） 、红外光谱仪（IR） 、X 射线衍射（XRD） 、荧光光谱仪等仪器对所制备的薄膜进行比较与表征。实验结果表明，采用恒电位法可制备出聚苯胺晶体薄膜，其表面形貌因沉积时间不同而有所差异，另外，保护剂 PVP 的存在可以有效的减小颗粒直径。荧光光谱分析表明，聚苯胺薄膜具有光致发光性能，且发光强度随沉积时间的增加而增强。采用脉冲电位阶跃制备的聚苯胺薄膜中，聚苯胺粒径约 90-150 nm，脉冲周期和脉冲时间对薄膜表面形貌影响不大。荧光光谱显示，脉冲沉积的聚苯胺薄膜发射峰位置在 520nm 左右，且发光强度随占空比的增加而增大。较之恒电位沉积，脉冲沉积的聚苯胺薄膜颗粒直径要小约
7、5-10 nm，且薄膜更加致密，发光位置没有太大变化，但发光强度明显增强。 在电化学方法制备聚苯胺基础上，采用双槽法制备出CdSe/聚苯胺复合薄膜。XRD 分析表明，薄膜中含有聚苯胺和 CdSe 两种成分的晶体，SEM 测试表明，在聚苯胺薄膜上沉积出 CdSe 颗粒，粒径约 80-150nm。荧光光谱显示，与单纯的 CdSe 薄膜相比，复合材料的发光波长明显红移，且发光强度显著提高。有机/无机复合电致发光器件集纳米、有机等各方面的性能于一体，因此被认为是一种实现高效电致发光的新途径。论文通过电化学方法制备了聚苯胺薄膜，进而制备出聚苯胺/CdSe 复合薄膜，为以后封装聚合物/纳米半导体复合电致发
8、光器件奠定了基础。 论文用控电位沉积法和脉冲电位阶跃法分别制备出聚苯胺薄膜。采用扫描电镜（SEM） 、红外光谱仪（IR） 、X 射线衍射（XRD） 、荧光光谱仪等仪器对所制备的薄膜进行比较与表征。实验结果表明，采用恒电位法可制备出聚苯胺晶体薄膜，其表面形貌因沉积时间不同而有所差异，另外，保护剂 PVP 的存在可以有效的减小颗粒直径。荧光光谱分析表明，聚苯胺薄膜具有光致发光性能，且发光强度随沉积时间的增加而增强。采用脉冲电位阶跃制备的聚苯胺薄膜中，聚苯胺粒径约 90-150 nm，脉冲周期和脉冲时间对薄膜表面形貌影响不大。荧光光谱显示，脉冲沉积的聚苯胺薄膜发射峰位置在 520nm 左右，且发光强
9、度随占空比的增加而增大。较之恒电位沉积，脉冲沉积的聚苯胺薄膜颗粒直径要小约 5-10 nm，且薄膜更加致密，发光位置没有太大变化，但发光强度明显增强。 在电化学方法制备聚苯胺基础上，采用双槽法制备出CdSe/聚苯胺复合薄膜。XRD 分析表明，薄膜中含有聚苯胺和 CdSe 两种成分的晶体，SEM 测试表明，在聚苯胺薄膜上沉积出 CdSe 颗粒，粒径约 80-150nm。荧光光谱显示，与单纯的 CdSe 薄膜相比，复合材料的发光波长明显红移，且发光强度显著提高。有机/无机复合电致发光器件集纳米、有机等各方面的性能于一体，因此被认为是一种实现高效电致发光的新途径。论文通过电化学方法制备了聚苯胺薄膜，
10、进而制备出聚苯胺/CdSe 复合薄膜，为以后封装聚合物/纳米半导体复合电致发光器件奠定了基础。 论文用控电位沉积法和脉冲电位阶跃法分别制备出聚苯胺薄膜。采用扫描电镜（SEM） 、红外光谱仪（IR） 、X 射线衍射（XRD） 、荧光光谱仪等仪器对所制备的薄膜进行比较与表征。实验结果表明，采用恒电位法可制备出聚苯胺晶体薄膜，其表面形貌因沉积时间不同而有所差异，另外，保护剂 PVP 的存在可以有效的减小颗粒直径。荧光光谱分析表明，聚苯胺薄膜具有光致发光性能，且发光强度随沉积时间的增加而增强。采用脉冲电位阶跃制备的聚苯胺薄膜中，聚苯胺粒径约 90-150 nm，脉冲周期和脉冲时间对薄膜表面形貌影响不大
11、。荧光光谱显示，脉冲沉积的聚苯胺薄膜发射峰位置在 520nm 左右，且发光强度随占空比的增加而增大。较之恒电位沉积，脉冲沉积的聚苯胺薄膜颗粒直径要小约 5-10 nm，且薄膜更加致密，发光位置没有太大变化，但发光强度明显增强。 在电化学方法制备聚苯胺基础上，采用双槽法制备出CdSe/聚苯胺复合薄膜。XRD 分析表明，薄膜中含有聚苯胺和 CdSe 两种成分的晶体，SEM 测试表明，在聚苯胺薄膜上沉积出 CdSe 颗粒，粒径约 80-150nm。荧光光谱显示，与单纯的 CdSe 薄膜相比，复合材料的发光波长明显红移，且发光强度显著提高。有机/无机复合电致发光器件集纳米、有机等各方面的性能于一体，因
12、此被认为是一种实现高效电致发光的新途径。论文通过电化学方法制备了聚苯胺薄膜，进而制备出聚苯胺/CdSe 复合薄膜，为以后封装聚合物/纳米半导体复合电致发光器件奠定了基础。 论文用控电位沉积法和脉冲电位阶跃法分别制备出聚苯胺薄膜。采用扫描电镜（SEM） 、红外光谱仪（IR） 、X 射线衍射（XRD） 、荧光光谱仪等仪器对所制备的薄膜进行比较与表征。实验结果表明，采用恒电位法可制备出聚苯胺晶体薄膜，其表面形貌因沉积时间不同而有所差异，另外，保护剂 PVP 的存在可以有效的减小颗粒直径。荧光光谱分析表明，聚苯胺薄膜具有光致发光性能，且发光强度随沉积时间的增加而增强。采用脉冲电位阶跃制备的聚苯胺薄膜中
13、，聚苯胺粒径约 90-150 nm，脉冲周期和脉冲时间对薄膜表面形貌影响不大。荧光光谱显示，脉冲沉积的聚苯胺薄膜发射峰位置在 520nm 左右，且发光强度随占空比的增加而增大。较之恒电位沉积，脉冲沉积的聚苯胺薄膜颗粒直径要小约 5-10 nm，且薄膜更加致密，发光位置没有太大变化，但发光强度明显增强。 在电化学方法制备聚苯胺基础上，采用双槽法制备出CdSe/聚苯胺复合薄膜。XRD 分析表明，薄膜中含有聚苯胺和 CdSe 两种成分的晶体，SEM 测试表明，在聚苯胺薄膜上沉积出 CdSe 颗粒，粒径约 80-150nm。荧光光谱显示，与单纯的 CdSe 薄膜相比，复合材料的发光波长明显红移，且发光
14、强度显著提高。有机/无机复合电致发光器件集纳米、有机等各方面的性能于一体，因此被认为是一种实现高效电致发光的新途径。论文通过电化学方法制备了聚苯胺薄膜，进而制备出聚苯胺/CdSe 复合薄膜，为以后封装聚合物/纳米半导体复合电致发光器件奠定了基础。 论文用控电位沉积法和脉冲电位阶跃法分别制备出聚苯胺薄膜。采用扫描电镜（SEM） 、红外光谱仪（IR） 、X 射线衍射（XRD） 、荧光光谱仪等仪器对所制备的薄膜进行比较与表征。实验结果表明，采用恒电位法可制备出聚苯胺晶体薄膜，其表面形貌因沉积时间不同而有所差异，另外，保护剂 PVP 的存在可以有效的减小颗粒直径。荧光光谱分析表明，聚苯胺薄膜具有光致发
15、光性能，且发光强度随沉积时间的增加而增强。采用脉冲电位阶跃制备的聚苯胺薄膜中，聚苯胺粒径约 90-150 nm，脉冲周期和脉冲时间对薄膜表面形貌影响不大。荧光光谱显示，脉冲沉积的聚苯胺薄膜发射峰位置在 520nm 左右，且发光强度随占空比的增加而增大。较之恒电位沉积，脉冲沉积的聚苯胺薄膜颗粒直径要小约 5-10 nm，且薄膜更加致密，发光位置没有太大变化，但发光强度明显增强。 在电化学方法制备聚苯胺基础上，采用双槽法制备出CdSe/聚苯胺复合薄膜。XRD 分析表明，薄膜中含有聚苯胺和 CdSe 两种成分的晶体，SEM 测试表明，在聚苯胺薄膜上沉积出 CdSe 颗粒，粒径约 80-150nm。荧
16、光光谱显示，与单纯的 CdSe 薄膜相比，复合材料的发光波长明显红移，且发光强度显著提高。有机/无机复合电致发光器件集纳米、有机等各方面的性能于一体，因此被认为是一种实现高效电致发光的新途径。论文通过电化学方法制备了聚苯胺薄膜，进而制备出聚苯胺/CdSe 复合薄膜，为以后封装聚合物/纳米半导体复合电致发光器件奠定了基础。 论文用控电位沉积法和脉冲电位阶跃法分别制备出聚苯胺薄膜。采用扫描电镜（SEM） 、红外光谱仪（IR） 、X 射线衍射（XRD） 、荧光光谱仪等仪器对所制备的薄膜进行比较与表征。实验结果表明，采用恒电位法可制备出聚苯胺晶体薄膜，其表面形貌因沉积时间不同而有所差异，另外，保护剂
17、PVP 的存在可以有效的减小颗粒直径。荧光光谱分析表明，聚苯胺薄膜具有光致发光性能，且发光强度随沉积时间的增加而增强。采用脉冲电位阶跃制备的聚苯胺薄膜中，聚苯胺粒径约 90-150 nm，脉冲周期和脉冲时间对薄膜表面形貌影响不大。荧光光谱显示，脉冲沉积的聚苯胺薄膜发射峰位置在 520nm 左右，且发光强度随占空比的增加而增大。较之恒电位沉积，脉冲沉积的聚苯胺薄膜颗粒直径要小约 5-10 nm，且薄膜更加致密，发光位置没有太大变化，但发光强度明显增强。 在电化学方法制备聚苯胺基础上，采用双槽法制备出CdSe/聚苯胺复合薄膜。XRD 分析表明，薄膜中含有聚苯胺和 CdSe 两种成分的晶体，SEM
18、测试表明，在聚苯胺薄膜上沉积出 CdSe 颗粒，粒径约 80-150nm。荧光光谱显示，与单纯的 CdSe 薄膜相比，复合材料的发光波长明显红移，且发光强度显著提高。有机/无机复合电致发光器件集纳米、有机等各方面的性能于一体，因此被认为是一种实现高效电致发光的新途径。论文通过电化学方法制备了聚苯胺薄膜，进而制备出聚苯胺/CdSe 复合薄膜，为以后封装聚合物/纳米半导体复合电致发光器件奠定了基础。 论文用控电位沉积法和脉冲电位阶跃法分别制备出聚苯胺薄膜。采用扫描电镜（SEM） 、红外光谱仪（IR） 、X 射线衍射（XRD） 、荧光光谱仪等仪器对所制备的薄膜进行比较与表征。实验结果表明，采用恒电位
19、法可制备出聚苯胺晶体薄膜，其表面形貌因沉积时间不同而有所差异，另外，保护剂 PVP 的存在可以有效的减小颗粒直径。荧光光谱分析表明，聚苯胺薄膜具有光致发光性能，且发光强度随沉积时间的增加而增强。采用脉冲电位阶跃制备的聚苯胺薄膜中，聚苯胺粒径约 90-150 nm，脉冲周期和脉冲时间对薄膜表面形貌影响不大。荧光光谱显示，脉冲沉积的聚苯胺薄膜发射峰位置在 520nm 左右，且发光强度随占空比的增加而增大。较之恒电位沉积，脉冲沉积的聚苯胺薄膜颗粒直径要小约 5-10 nm，且薄膜更加致密，发光位置没有太大变化，但发光强度明显增强。 在电化学方法制备聚苯胺基础上，采用双槽法制备出CdSe/聚苯胺复合薄
20、膜。XRD 分析表明，薄膜中含有聚苯胺和 CdSe 两种成分的晶体，SEM 测试表明，在聚苯胺薄膜上沉积出 CdSe 颗粒，粒径约 80-150nm。荧光光谱显示，与单纯的 CdSe 薄膜相比，复合材料的发光波长明显红移，且发光强度显著提高。有机/无机复合电致发光器件集纳米、有机等各方面的性能于一体，因此被认为是一种实现高效电致发光的新途径。论文通过电化学方法制备了聚苯胺薄膜，进而制备出聚苯胺/CdSe 复合薄膜，为以后封装聚合物/纳米半导体复合电致发光器件奠定了基础。 论文用控电位沉积法和脉冲电位阶跃法分别制备出聚苯胺薄膜。采用扫描电镜（SEM） 、红外光谱仪（IR） 、X 射线衍射（XRD
21、） 、荧光光谱仪等仪器对所制备的薄膜进行比较与表征。实验结果表明，采用恒电位法可制备出聚苯胺晶体薄膜，其表面形貌因沉积时间不同而有所差异，另外，保护剂 PVP 的存在可以有效的减小颗粒直径。荧光光谱分析表明，聚苯胺薄膜具有光致发光性能，且发光强度随沉积时间的增加而增强。采用脉冲电位阶跃制备的聚苯胺薄膜中，聚苯胺粒径约 90-150 nm，脉冲周期和脉冲时间对薄膜表面形貌影响不大。荧光光谱显示，脉冲沉积的聚苯胺薄膜发射峰位置在 520nm 左右，且发光强度随占空比的增加而增大。较之恒电位沉积，脉冲沉积的聚苯胺薄膜颗粒直径要小约 5-10 nm，且薄膜更加致密，发光位置没有太大变化，但发光强度明显
22、增强。 在电化学方法制备聚苯胺基础上，采用双槽法制备出CdSe/聚苯胺复合薄膜。XRD 分析表明，薄膜中含有聚苯胺和 CdSe 两种成分的晶体，SEM 测试表明，在聚苯胺薄膜上沉积出 CdSe 颗粒，粒径约 80-150nm。荧光光谱显示，与单纯的 CdSe 薄膜相比，复合材料的发光波长明显红移，且发光强度显著提高。有机/无机复合电致发光器件集纳米、有机等各方面的性能于一体，因此被认为是一种实现高效电致发光的新途径。论文通过电化学方法制备了聚苯胺薄膜，进而制备出聚苯胺/CdSe 复合薄膜，为以后封装聚合物/纳米半导体复合电致发光器件奠定了基础。 论文用控电位沉积法和脉冲电位阶跃法分别制备出聚苯
23、胺薄膜。采用扫描电镜（SEM） 、红外光谱仪（IR） 、X 射线衍射（XRD） 、荧光光谱仪等仪器对所制备的薄膜进行比较与表征。实验结果表明，采用恒电位法可制备出聚苯胺晶体薄膜，其表面形貌因沉积时间不同而有所差异，另外，保护剂 PVP 的存在可以有效的减小颗粒直径。荧光光谱分析表明，聚苯胺薄膜具有光致发光性能，且发光强度随沉积时间的增加而增强。采用脉冲电位阶跃制备的聚苯胺薄膜中，聚苯胺粒径约 90-150 nm，脉冲周期和脉冲时间对薄膜表面形貌影响不大。荧光光谱显示，脉冲沉积的聚苯胺薄膜发射峰位置在 520nm 左右，且发光强度随占空比的增加而增大。较之恒电位沉积，脉冲沉积的聚苯胺薄膜颗粒直径
24、要小约 5-10 nm，且薄膜更加致密，发光位置没有太大变化，但发光强度明显增强。 在电化学方法制备聚苯胺基础上，采用双槽法制备出CdSe/聚苯胺复合薄膜。XRD 分析表明，薄膜中含有聚苯胺和 CdSe 两种成分的晶体，SEM 测试表明，在聚苯胺薄膜上沉积出 CdSe 颗粒，粒径约 80-150nm。荧光光谱显示，与单纯的 CdSe 薄膜相比，复合材料的发光波长明显红移，且发光强度显著提高。特别提醒 ：正文内容由 PDF 文件转码生成，如您电脑未有相应转换码，则无法显示正文内容，请您下载相应软件，下载地址为 http:/ 。如还不能显示，可以联系我 q q 1627550258 ，提供原格式文
25、档。“垐垯櫃 换烫梯葺铑?endstreamendobj2x 滌?U 閩 AZ箾 FTP 鈦X 飼?狛P? 燚?琯嫼 b?袍*甒?颙嫯?4)=r 宵?i?j 彺帖 B3 锝檡骹笪 yLrQ#?0 鯖 l 壛枒l 壛枒 l 壛枒 l 壛枒 l 壛枒 l 壛枒 l 壛枒 l 壛枒 l 壛枒 l 壛枒 l 壛枒 l 壛渓?擗#?“?# 綫 G 刿#K 芿$?7. 耟?Wa 癳$Fb 癳$Fb 癳$Fb 癳$Fb 癳$Fb 癳$Fb 癳$Fb 癳$Fb癳$Fb 癳$Fb 癳$Fb 癳$Fb 癳$Fb 癳$Fb 癳$Fb 皗 E|?pDb 癳$Fb 癳$Fb癳$Fb 癳$Fb 癳$Fb 癳$Fb 癳$Fb 癳$Fb 癳$Fb 癳$Fb 癳$Fb 癳$Fb 癳$Fb 癳$Fb 癳$F?責鯻 0 橔 C,f 薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵秾腵薍秾腵%?秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍
