1、反相器的驱动电阻1-2910导通电阻估计1222111.1212.2()()()1() ()()2tt t onDSonDeqon onSttR average R tVtR tdt dttt tRt RttIt=+MOS管的导通电阻=DSonDSVRIRnullnull=nullnullnull/nullnullIDSVDSVGS= VDDVDD/2 VDDR0Rmid等效方法一等效方法二时变、非线性，用一个常数线性电阻等效：在所关心的区域上的电阻的平均值。a20幻灯片 10a20 假设导通电阻是一个常数线性电阻在所关心的区域上的电阻的平均值。adm, 2011/12/1311充（放）电一个
2、电容时的等效电阻2( ) 2DSATDSAT DD T DSATWVIkVVVL=VDDVDSAT,速度饱和:30.69 0.524(/)( /2)LDD LDDpHLDSATn n n DSATn DD Tn DSATnCV CVtIWLkVVVV=Req与W/L成反比a19幻灯片 11a19 VDD/2一点对应着传播延时的定义。adm, 2011/12/1312等效导通电阻与电源电压0.5 1 1.5 2 2.501234567x 105VDD(V)Req(Ohm)电源电压下降至接近VT时电阻会急剧增加；VDD较小时，VDD影响较大;VDDVT+VDSAT/2时，电阻与电压无关。=21DD
3、 DDDSATDSATDSAT DD TDSATVVWVIkV V VLWkVL2DD DDeqDSATDSATDSAT DD TVVRWVIkV V VL=速度饱和情况下，（忽略沟长调制效应）a18幻灯片 12a18 Req随着VDD的增大而减小，但是当VDDVt+VDSAT/2时，Req的减小将非常有限adm, 2011/12/13130.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2 2.2 2.411.522.533.544.555.5VDD(V)tp(normalized)延时和VDD(/) ( /2)LDD LDDpHLDSATn n n DSATn DD Tn DSATnCV CVtIWLkVVVV=实际结果计算结果门的等效电阻14tp=( tpHL+tpLH)/2= 0.69 CL(Reqn+Reqp)/2Req逻辑门的输出等效电阻称为其驱动电阻。有时用上升和下降的驱动电阻的平均值来表征整个逻辑门的综合驱动能力。ReqnReqp
