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N型半导体中进行受主掺杂.ppt

上传人:tkhy51908 文档编号:12435051 上传时间:2021-12-12 格式:PPT 页数:6 大小:529.50KB
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资源描述

1、N型半导体的受主搀杂 戴振祥04091029 N型半导体的定义 常见N型半导体 ZnOTIO2V2O5 N型半导体的导电性能 提高导电性能的方法一般来讲 对N型半导体加入受主型杂质 可使其费米能级降低 逸出出功增大 电导率变小 TiO2光电降解 以二氧化钛为光催化剂的多相光催化反应在环境保护中的应用日益受到人们的重视 但光生电子空穴对的复合率较高 导致光催化剂的活性较低 因此减少光生电子和空穴的复合几率 成为提高光催化反应效率的关键问题之一 H2O2又是一种很好的电子接受体 如反应 2 减少了电子与空穴的简单复合 促进光催化降解的进行 另一方面H2O2又是一种有效的OH 的清除剂 如反应 3

2、4 考虑晶格因素 TiO2可用作气敏传感器材料来检测多种气体 但是 TiO2传感器存在操作温度高 响应时间长 灵敏度低等缺点 对TiO2进行受主掺杂受主杂质以电子补偿方式进入晶格的准化学反应方程式为 TIO2气敏特性 补偿后 n型材料中电子浓度较未掺杂时小 使得材料电导减小 另一方面 材料中受主浓度增加 必然会发生晶格畸变 而为了保持晶体的对称性 在材料中就会形成Vo 空位 因此 材料中随着受主杂质的增加 Vo 浓度增加 氧空位Vo 具有很高的迁移率 因此材料电导将增大 掺有B2O3的氧敏传感器响应非常快 响应时间可大大缩短 掺杂Cr2O3也能起到这样的效果 Thankyou 04091029

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