1、模拟电子电路及技术基础 孙肖子 西安电子科技大学 模拟电子电路与技术基础 课程的特点是 概念性 工程性 实践性 强 注重物理概念 采用工程观点 重视实验技术 善于总结对比 理论联系实际 注意应用背景 寻求内在规律 增强抽象能力 7 1频率响应的基本概念 7 1 1频率失真 信号通过线性时不变系统 其频率成分不变 但各频率分量的振幅及相位会发生变化 a 信号 b 振幅频率失真 c 相位频率失真 线性失真与非线性失真的差别 起因不同 结果不同 线性失真不会产生新的频率分量 7 1 2实际的频率响应及通频带的定义 增益频带积 7 2晶体管的高频小信号模型与频率参数 与频率无关 定义 当下降到 1 所
2、对应的频率定义为特征频率 即 7 3预备知识 中频区 高频区 低频区 7 4共射放大器的高频响应 利用密勒等效简化模型 附加相移 4 频率特性的波特图表示法 5 负载电容和分布电容对高频响应的影响 计算管子极间电容与负载电容影响在内的总的上限角频率 为输出回路时常数倒数 6 结果讨论通过以上分析 为我们设计宽带放大器提供了依据 1 选择晶体管的依据2 关于信号源内阻Rs3 关于集电极负载电阻RC的选择原则4 关于负载电容CL 例7 4 1 7 5共集电路的高频特性 一 Cb c的影响由于共集电路集电极直接连接到电源 所以Cb c相当于接在内基极 b 和 地 之间 不存在共射电路中的密勒倍增效应
3、 因为Cb c本身很小 零点几 几pF 只要源电阻Rs及rbb 较小 Cb c对高频响应的影响就很小 二 Cb e的影响这是一个跨接在输入端与输出端的电容 利用密勒定理将其等效到输入端 则密勒等效电容CM为 三 CL的影响 只要源电阻Rs较小 工作点电流ICQ 较大 则Ro可以做到很小 所以时常数RoCL很小 fH2很高 因此说共集电路有很强的承受容性负载的能力 7 6共基电路的高频响应 一 Cb e的影响由图可见 如果忽略rbb 的影响 则Cb e直接接于输入端 输入电容Ci Cb e 不存在密勒倍增效应 且与Cb c无关 所以 共基电路的输入电容比共射电路的小得多 而且共基电路的输入电阻Ri re 26mV ICQ 也非常小 因此 共基电路输入回路的时常数很小 fH1很高 理论分析的结果fH1 fT 二 Cb c及CL的影响 7 8放大器的低频响应 7 9多级放大器的频率响应 7 7场效应管放大器的高频响应
