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场效应管保护及驱动.doc

上传人:dcs1276 文档编号:12315893 上传时间:2021-12-10 格式:DOC 页数:5 大小:211.50KB
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1、驱动小结目 录一、 栅极 1(一) 栅极电压 1(二) 栅极与源极电容 1二、 漏极 1三、 .20管子特性及驱动一、 场响应管特性增强型绝缘栅场效应管以 IRF4905 为例,图 1 所示。图 1IRF4905 的转移特性如图 2、漏极特性如图 3图 21图 3转移特性表明,当 值小于开启电压(Vt)时,Id=0;当 存在,值大于开启电压时,Id 才有输出;漏极特性表明,当 大于开启电压VT 后,每一个 ,对应一个 Id。当 小于 Vt, 过大,将击穿管子,Id 会很大,并损坏。随着 增加,Id 开始一段线性增加,在该阶段,管子通态压降较大。当= ,进入临界饱和,在 不变情况下,即使 继续增

2、加,d 也基本不变,处于饱和状态。MOS 管饱和导通时,通态电阻很小,上图中 是外加短时测试电压脉冲。如果测试电源负载能力不够,饱和时, 维持不了。饱和后,继续增加 ,电流 Id 不会有太大变化,但通态电阻会增大。2二、 栅极 (一) 栅极电压VGS 小于 Vt,管子关断;大于 Vt 开始导通,每一个 VGS,对应一条电流曲线,都包含线性段和饱和段,取决于 VSD。VGS 大于最大容许值,就会栅极击穿(一般不能超过 20V) ,避免击穿,设计栅极电路时,要控制该压差。当可能存在瞬时高压时,可以用瞬态保护二极管限压。(二) 栅极与源极电容栅极与源极之间有电容,如果是脉冲驱动,为了提高工作速度,可采用推挽驱动。关断时电容快速放电。三、 漏极漏源极电流大,开关快。内部已经考虑反向电压保护二极管。正向电压和正向电流不能超过推荐值,当管子关断时,过大正向电压,可以击穿漏极,可以考虑瞬态二极管保护。此外,对于电感和电容负载,还是要进一步考虑,限制电流及电压的变化率。四、第二级编号,如果出现不能重编号,而是接前面续编,可以重编号。鼠标点击选择二级编号,右键3进入重新编号,它会从前一级的二级编号续编。如果重编后,又恢复,则进入“样式和格式”选中该级目录后,右键进入“修改” ,然后取消“自动更新” ,退出后,则可以重新编号。第三级编号,也是不能自己重编,而是接着前面编,点级编号、右键进入重编即可。

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