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nand和nor flash的特色比较.doc

上传人:天天快乐 文档编号:1145001 上传时间:2018-06-15 格式:DOC 页数:3 大小:16KB
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资源描述

1、NOR Flash 和 NAND Flash 比较NOR Flash 生产厂商有 Intel和 ST, Nand Flash厂商有Hynix,micon,Samsung,Toshiba 和 Fujitsu等。2006年 NAND 将占据 59%的闪存市场份额,NOR 的市场份额将下降到 41%。而到 2009 年时,NAND 的市场份额将上升到 65%,NOR 的市场份额将进一步下滑到 35%。Nand 主要应用:Compacflash,Secure Digi-tal,Smartmedia,SD,MMC,Xd,PC Card,USB Sticks 等。NOR 的传输效率很高,在小容量时具有很高

2、的成本效益,更加安全,不容易出现数据故障,因此,主要应用以代码存储为主,多与运算相关。 目前,NAND 闪存主要用在数码相机闪存卡和 MP3 播放机中,这两个市场的增长非常迅速。而 NOR 芯片主要用在手机和机顶盒中,这两个市场的增长速度相对较慢。性能比较Flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND 器件执行擦除操作是十分简单的,而 NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为 0。由于擦除 NOR器件时是以 64128KB 的块进行的,执

3、行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反,擦除 NAND器件是以 832KB 的块进行的,执行相同的操作最多只需要 4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了 NOR 和 NADN 之间的性能差距,统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时更多的擦除操作必须在基于 NOR的单元中进行。这样,当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素。 NOR 的读速度比 NAND稍快一些。 NAND 的写入速度比 NOR快很多。 NAND 的 4ms擦除速度远比 NOR的 5s快。 大多数写入操作需要先进行擦除操作。 NAND 的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。接口差别NOR flash

4、带有 SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND器件使用复杂的 I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND 读和写操作采用 512 字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于 NAND 的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。容量和成本NAND flash 的单元尺寸几乎是 NOR 器件的一半,由于生产过程更为简单,NAND 结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。NOR flash占据了容量为 116MB 闪存市场的大部分,而 NAND flash只是用在8

5、128MB 的产品当中,这也说明 NOR深圳得技通电子有限公司 TEL:0755-61361234 FAX:0755-83665342 http:/主要应用在代码存储介质中,NAND 适合于数据存储,NAND 在 CompactFlash、Secure Digital、PC Cards 和 MMC 存储卡市场上所占份额最大。可靠性和耐用性采用 flahs 介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展 MTBF的系统来说,Flash 是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较 NOR和 NAND的可靠性。寿命(耐用性)在 NAND 闪存中每个块的最大擦写次数

6、是一百万次,而 NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有 10比 1的块擦除周期优势,典型的 NAND块尺寸要比 NOR器件小 8倍,每个 NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。位交换所有 flash 器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见,NAND 发生的次数要比 NOR多),一个比特位会发生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显,但是如果发生在一个关键文件上,这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题,多读几次就可能解决了。当然,如果这个位真的改变了,就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于 NAND闪存,NAND的供

7、应商建议使用 NAND闪存的时候,同时使用 EDC/ECC算法。这个问题对于用 NAND 存储多媒体信息时倒不是致命的。当然,如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时,必须使用 EDC/ECC系统以确保可靠性。坏块处理NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力,但发现成品率太低,代价太高,根本不划算。NAND 器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中,如果通过可靠的方法不能进行这项处理,将导致高故障率。 易于使用可以非常直接地使用基于 NOR的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。由于需要 I/O接口

8、,NAND 要复杂得多。各种 NAND器件的存取方法因厂家而异。在使用 NAND器件时,必须先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向 NAND 器件写入信息需要相当的技巧,因为设计师绝不能向坏块写入,这就意味着在 NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。软件支持当讨论软件支持的时候,应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件,包括性能优化。在 NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持,在 NAND器件上进行同样操作时,通常需要驱动程序,也就是内存技术驱动程序(MTD),NAND 和 NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要 MTD。使用 NOR 器件时所需要的 MTD 要相对少一些,许多厂商都提供用于 NOR 器件的更高级软件,这其中包括 M-System的 TrueFFS驱动,该驱动被 Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian 和 Intel等厂商所采用。驱动还用于对 DiskOnChip产品进行仿真和 NAND闪存的管理,包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

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