1、掺入少量5 价杂质元素形成的。产生大量电子和正离子。电子是多数载流子，空穴是少数载流子。（电多空少）掺入3 价空穴和负离子与N 型相反（电少空多）产生较大的正向电流因少子浓度主要与温度有关，所以反向电流与反向电压几乎无关。反射区高掺杂基区很薄，掺杂较少集电极面积很大发射结正向偏置集电结反向偏置穿透电流和反向饱和电流（可忽略）：结构T=0K,不存在导电载流子；若T 升至室温 产生带负电的自由电子和带正点的空穴（少数），其两者可成对产生，且成对消失，即电子 - 空穴对。概念特点概念特点多子运动少子运动PN 结 外加正向电压PN结加反向电压死区U=0.5;UBE=0.7死区U=0.1;UBE =0.
2、2内部外部（外加电源极性）关系纯净的，不含杂质的半导体电阻率大导电性能随温度变化大本征半导体掺入某种特定杂质形成的。N 型半导体P 型半导体扩散运动漂移运动正向偏置反向偏置硅二极管锗二极管接触型面接触型当正向电压超过死区电压后，随着电压的升高，正向电流迅速增大。当电压超过零点几伏后，反向电流不随电压增加而增大，即饱和；如果反向电压继续升高，大到一定数值时，反向电流会突然增大；击穿并不意味管子损坏，若控制击穿电流，电压降低后，还可恢复正常。null 109 null cm 导电性能介于导体和半导体之间的物质。NPN型PNP型条件载流子运动过程稳定电压UZ稳定电流I Z动态电阻r Z = U/ I; r 越小，稳压性能越好。额定功耗PZ =UZ I ZM电压的温度系数aU概念特点概念种类载流子的运动单向导电性按半导体材料分按PN结结构分正向特性反向特性导体绝缘体半导体取决于PN结结电容大小，且成反比集电极回路：基极回路：类型工作原理主要参数本征半导体杂质半导体PN结类型伏安特性二极管方程物质分类最大整流电流I F最高反向工作电压UR = 一半的UBR反向电流I R最高工作频率f M输出特性输入特性三极管稳压管半导体特性二极管课前理解类似动态平衡复合消失a. 流过PN结的净电流为0 。b.PN结厚度一定. c. 内电场一定。主要参数特性曲线半导体器件
