1、第一章 思考题与习题解答1-1 名词解释半导体、载流子、空穴、自由电子、本征半导体、杂质半导体、N 型半导体、P 型半导体、PN 结。解 半导体 导电能力介乎于导体与绝缘体之间的一种物质。例如硅(Si) 和锗(Ge) ，这两种半导体材料经常用来做晶体管。载流子运载电流的粒子。在导体中的载流子就是自由电子；半导体中的载流子有两种，就是自由电子与空穴，它们都能参加导电。空穴硅和锗均为共价键结构，属于四价元素。最外层的四个电子与相邻原子最外层电子组成四个共价键，每一个共价键上均有两个价电子运动。当环境温度升高(加热或光照)时，价电子获得能量摆脱原子核与共价键对它的束缚进入自由空间成为自由电子，在原来
2、的位置上就出现一个空位，称为空穴。空穴带正电，具有吸引相邻电子的能力，参加导电时只能沿着共价键作依次递补式的运动。自由电子位于自由空间，带负电，参加导电时，在自由空间作自由飞翔式的运动，这种载流子称为自由电子。本征半导体不掺任何杂质的半导体，也就是指纯净的半导体，称为本征半导体。杂质半导体掺入杂质的半导体称为杂质半导体。N 型半导体在本征硅(或锗) 中掺入微量五价元素(如磷 P)，就形成含有大量电子的N 型杂质半导体，又称电子型杂质半导体，简称 N 型半导体。P 型半导体 在本征硅(或锗)中掺入微量的三价元素( 如硼 B)，就形成含大量空穴的P 型杂质半导体，又称空穴型杂质半导体，简称 P 型
3、半导体。PN 结将一块 P 型半导体与一块 N 型半导体放在一起，通过一定的工艺将它们有机地结合起来，在其交界面上形成一个结，称为 PN 结。1-3 选择填空(只填 a、b以下类同 )(1)在 PN 结不加外部电压时，扩散电流 漂移电流。(a.大于，b.小于，c.等于)(2)当 PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流。(a1. 大于，b1.小于，c1.等于)此时耗尽层。(a2. 变宽，b2. 变窄，c2.不变)(3)当 PN 结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流。(a1. 大于，b1.小于，c1.等于)此时耗尽层。(a2. 变宽，b2. 变窄，c2.不变)解 (1)c。(2)a1，b2 。
4、(3)b1， a2。1-4 选择填空(1)二极管电压从 0.65 V 增大 10%，流过的电流增大 。(a.10%，b.大于 10%，c.小于 10%)(2)稳压管 (a1.是二极管，b1.不是二极管，c1.是特殊的二极管)，它工作在 状态。(a2.正向导通， b2.反向截止，c2.反向击穿)(3)NPN 型和 PNP 型晶体管的区别是 。(a.由两种不同材料的硅和锗制成，b.掺入的杂质元素不同，c.P 区和 N 区的位置不同)(4)场效应管是通过改变 (a1.栅极电流，b1.栅源电压，c1. 漏源电压)来改变漏极电流的，因此是一个 (a2.电流，b2. 电压) 控制的 (a3.电流源，b3.
5、电压源)。(5)晶体管电流由 (a1.多子，b1.少子，c1.两种载流子)组成，而场效应管的电流由 (a2.多子，b2. 少子，c2.两种载流子) 组成。因此，晶体管电流受温度的影响比场效应管 (a3.大， b3.小，c3.差不多) 。(6)晶体管工作在放大区时，b-e 极间为 ，b-c 极间为 ；工作在饱和区时，b-e 极间为 ，b-c 极间为 。(a.正向偏置，b.反向偏置，c.零偏置)解 (1)b。(2)c1,c2。(3)c。(4)b1,b2,a3。(5)c1,a2,a3。(6)a,b;a,a 与 c。1-5 回答下列问题(1)为什么说在使用二极管时，应特别注意不要超过最大整流电流和最高
6、反向工作电压?(2)如何用万用表的“”挡来辨别一只二极管的阳、阴两极?(提示：万用表的黑笔接表内直流电源的正极端，而红笔接负极端)(3)比较硅、锗两种二极管的性能。在工程实践中，为什么硅二极管应用得较普遍?解 (1)如果二极管的正向电流超过最大整流电流就会进入过流区，容易烧管；如果超过最高反向工作电压容易造成管子反向击穿。(2)根据二极管的正向电阻小，反向电阻大的性质。先假设二极管的阴、阳两个端，测量其电阻，将黑笔接假设的阳极，红笔接假设的阴极，记录其阻值；再将黑、红笔交换位置，再测电阻，比较两次测得的阻值大小，若前者小于后者，说明假设的阴、阳两极是对的，否则相反。(3)死区电压：硅管的大于锗
7、管的；反向电流：硅管的小于锗管的；最高反向工作电压：硅管的高于锗管的；工作频率：锗管的高于硅管的。因为硅管的穿透电流 ICEO 比锗管的小得多，表现温度稳定性好，所以硅二极管应用得较普遍。1-6 回答问题(1)有两个三极管，A 管的 =200， =200 ,B 管的 =50, =10 。其他参CEOIACEOIA数大致相同。相比之下 管的性能较好。(2)若把一个三极管的集电极电源反接，使集电结也处于正向偏置，则 将更大，对放I大作用是否更有利?(3)一个三极管的 =10 时， =1 ，我们能否从这两个数据来决定它的交流电BIACIm流放大系数? 什么时候可以 ?什么时候不可以 ?解 (1)B。
8、因为 越小的管子，使用寿命越长，而且其温度稳定性越好。CEOI(2)无影响。因为放大作用的大小不在于 和 绝对值的大小，而在于二者变化量的BIC比值，即 的变化量 比 的变化量 越大，表征管子的放大作用越强。CICIB(3)由定义式 知，对于一般的管子来说不可以，因为 ， 。21I C10IB1I而对于理想的三极管来说，可取 ， ，此时可以由 =1 ， =10 这C10IB1ImA两个数据来决定它的交流电流放大系数，即 。C01I1-7 回答问题(1)与 BJT 相比， FET 具有哪些基本特点?(2)从已知的场效应管输出特性曲线如何判断该管的类型(增强型还是耗尽型) 、夹断电压(或开启电压)
9、的大概数值，举例说明。(3)图题 1-7(a)、(b)、(c)分别为三只场效应管的特性曲线，指出它们各属于哪种类型的管子(结型、绝缘栅型；增强型、耗尽型；N 沟道、P 沟道 )。图 1-7 几种场效应管特性解 (1)与 BJT 相比，FET 具有以下几个基本特点：输入电阻高；温度稳定性好，具有零温度系数工作点，当管子工作在该点时，其性能与温度无关，特别稳定；噪声小，因为 FET 产生噪声的来源比 BJT 少；容易集成化。目前，大面积集成电路多采用 FET。(2)见第(3)题的解答。(3)见图题 1-7(a)，由该转移特性曲线知，该管为 N 沟道耗尽型绝缘栅场效应管。它的夹断电压是曲线与横坐标的
10、交点，以 ,标在图(a)中。GS(of)U图(b) 是 P 沟道增强型绝缘栅场效应管。它的开启电压 标在图(b) 中。GS(th)U图(c) 是 N 沟道耗尽型绝缘栅场效应管。它的夹断电压 标在图(c)中。(of)1-8 温度为 25 时，锗二极管和硅二极管的反向电流分别为 10 和 0.1 ，试计A算在 60 时它们的反向电流各为多少?解 无论是硅二极管还是锗二极管，它们的反向电流随温度变化而变化的规律是相同的，即每升高 10 大一倍，用公式表示为 60251S(60C)(25)I=对于硅管， =0.1 ，代入公式得S(25C)IA=1.1360251S(60C).I A对于锗管， =10
11、，代入公式得S(25C)I=11360251S(60C)I可见，当温度升高到 60 时，硅二极管的反问电流仍然比锗二极管的小得多(1.13 113 )，证明硅管的温度稳定性好于锗管。A=1-10 分析图题 1-10(a)所示电路中二极管的工作状态( 导通或截止 )，确定出 的值，oU并将结果填入图(b)的表中。图题 1-10(a)电路图；(b) 表格与解答解 设 、 导通电压为 0.7 V。当 =0， =0 时， 、 均处于正偏而导通，则1V2 AUB1V2；当 =0， =5 V 时，看上去好像 、 均处于正偏而导通，而实际上，o0.7UAB12导通后， 值被箝位在 4.3 V 上，就使 处于
12、反偏状态而截止，因此此时 =4.3 V；2o oU同理，当 =5 V, =0 V 时， 截止， 导通，仍有 =4.3 V;当 =5 V 时，AB21oUAB、 均处于正偏置而导通，此时 +5=4.3 V。将上述分析结果填入图题 1-10(b)1V2 o0.7U表格内。1-11 两只硅稳压管的稳压值分别为 =6 V, =9 V。设它们的正向导通电压为Z120.7 V。把它们串联相接可得到几种稳压值，各是多少? 把它们并联相接呢?解 当两个稳压管串联时能得到四个稳压值：两只稳压管均反接时，其稳压值为两管稳压值之和，即 6+9=15 V；当 正接， 反接时，应得 0.7+9=9.7 V；Z1UZ2当
13、 反接， 正接时，应得 6+0.7=6.7 V；当两管均正接时，应得 0.7+0.7=1.4 V。Z1UZ2当两个稳压管并联时，只能得到两种稳压值：两只管子均反接时，其稳压值由低的那一个决定，即为 6 V，这种情况一般不常用；当两管中只要有一个正接，图题 1-12 或者两管均正接时，其稳压值均为 0.7 V。1-12 测得工作在放大电路中两个晶体管的两个电极电流如图题 1-12 所示。(1)求另一个电极电流，并在图中标出实际方向。(2)判断它们各是 NPN 还是 PNP 型管，标出 e、b、c 极。(3)估算它们的 和 值。图题 1-12解 (1)将图题 1-12(a)中的两个已知电流求和就是
14、另一电极电流，即 0.1+4=4.1 ，mA其实际方向是向外流的。图(b)中，将两个已知电流相减就是另一电极电流，即 6.1 0.1=6，其实际方向也是向外流的。mA(2)图(a)中，由电流方向及数量级得知，只有 NPN 管满足这个要求，并且知 0.1 为b 极，4 为 c 极，4.1 为 e 极；同理图(b)管为 PNP 型，0.1 为 b 极，6 为 cmA极，6.1 为 e 极。上述结果已标在图中。(3)求图(a)管的 与 值：=4040.10.976图(b) 管的 与 值：=6060.19841-13 一只三极管的输出特性如图题 1-13 的实线。试根据特性曲线求出管子的下列参数： 、
15、 、 、 、 和 。CEOIB(R)CEOUMP图题 1-13解 (1)图解 值在晶体管输出特性曲线族的放大区(曲线平行等距的区域)找一个 ，B(604)AI对应找到 ，再由 的定义式可得C(32)mAI3CB(2)10564I(2)求 值由 与 的关系式计算 可得50.981(3)求 CMP在功耗线上任取一点，将该点所对应的纵坐标与横坐标的读数相乘可得 值：CMPPCM=5 mA10 V=50 mW(4)确定穿透电流 CEOI=0 的输出特性曲线对应的 值即为 ，图中已标上 =10 ，因此BIACIEOICIA=10A(5)求 CBOI根据 的关系可得ECBO(1)ICEO10=.96A5I
16、(6)确定击穿电压 (BR)CEOU对应 =0 的输出特性曲线开始上翘时的 值即为 ：BIACEU(BR)CEO=50 V(BR)O1-14 测得工作在放大电路中几个晶体管的三个电极电位 、 、 分别为下列1U23各组数据，判断它们是 NPN 型，还是 PNP 型? 是硅管，还是锗管?确定 e、b、c 三个电极。(1) =3.5 V, =2.8 V, =12 V1U23(2) =3 V, =2.8 V, =12 V(3) =6 V, =11.3 V, =12 V1U23(4) =6 V, =11.8 V, =12 V解 解此题的理论根据有两条：由 值确定材料。对于硅材料，其 V；BEUBE0.
17、7U对于锗材料，其 0.2 V。 由放大管的 e 结正偏，c 结反偏确BEU定管子的类型。对于 NPN 管应满足 ；对于 PNP 管应满足 ，同时还能确定管子cbecbeV的三个电极。(1) =0.7 V，因此是硅材料； ,且均为正值，可见该管123.58U312U为 NPN 型，同时三个电极分别： 是 b 极； 2 是 e 极； 是 c 极。1U(2) =0.2 V，因此是锗材料； ，该管是 NPN 型12. 312，三个电极分别： 为 b 极； 为 e 极； 为 c 极。12(3) =0.7 V，因此是硅材料； ，该管为 PNP 型，并且32.3U123U它的三个电极分别： 为 c 极；
18、为 b 极； 为 e 极。12U3(4) V，因此是锗材料； ，该管为 PNP 型，三个电极分析：230. 123为 c 极； 为 b 极； 为 e 极。1U31-15 绝缘栅型场效应管漏极特性曲线如图题 1-15(a) (d)所示。图题 1-15(1)说明图(a)(d)曲线对应何种类型的场效应管。(2)根据图中曲线标定值确定 、 和 数值。GS(th)US(of)DSI解 图(a)中 ，因此是 N 沟道增强型 MOS 管。对应 0 的 值为开启电压，GS0iGSU即=3 VGS(th)图(b) 中 ，因此该管是 P 沟道增强型 MOS 管。开启电压为GS0U2 VGS(th)U图(c) 中
19、0，因此是 P 沟道耗尽型 MOS 管。对应 的 值为夹断电压，即GS DiGSU=2 VGS(of)对应 =0 V 时的 值为 ：GSUDiI= 2 DS图(d) 中 0，因此是 N 沟道耗尽型 MOS 管。其夹断电压为GS)= 3 VGS(of)U=3DI1-18 填空题试从下述几方面比较场效应管和晶体三极管的异同。(1)场效应管的导电机理为，而晶体三极管为。比较两者受温度的影响管优于管。(2)场效应管属于器件，其 G、S 间的阻抗要晶体三极管 b、e 极间的阻抗，后者则应属于器件。(3)晶体三极管 3 种工作区域是，与此不同，场效应管常把工作区域分为 3 种。(4)场效应管的漏极 D 与
20、源极 S 互换使用，而晶体三极管的集电极 C 与发射极 E 则互换使用。解 (1)一种载流子 (多子)参加导电；两种载流子参加导电；FET；BJT。(2)压控；远大于；流控。(3)饱和、放大、截止；可变电阻区、恒流区、击穿区。(4)b、c、e；NPN、PNP。1-19 测得半导体三极管及场效应管三个电极对地的电位如图题 1-19 所示，试判断下列器件的工作状态。图题 1-19解 晶体管放大的条件：对于 NPN 型，其 7 V，各极电位关系 ；SiBE0.UcbeU对于 PNP 型，其 2 V，各极电位关系 。GeBE0.Ucbe图(1) 1=0.7 V， ，满足 NPN 管的放大条件，因此处于
21、放大1.761.7状态， 由上而下流。CI图(2)， =0.6 V， ，也满足 NPN 管的放大条BE9.4(0)9.410V件，因此处于放大状态， 由上而下流。CI图(3)是 N 沟道结型 FET，其放大条件是 ， 。 V，GSUDSG8U，满足放大条件，因此处于放大状态， 由上而下流。10V8I图(4)是 PNP 管，UBE= V，是硅材料。BE2.7()0.7U，满足放大条件，因此处于放大状态， 由下而上流。10V2.7 CI图(5)是 N 沟道耗尽型 MOS 管，要求 UGS 0， 。 =4.4 V,DSUG6.42，处于放大状态， 由上而下流。DI图(6)是 PNP 管。e 结反偏，
22、因此截止。图(7)也是 PNP 管。e 结反偏，因此截止。图(8)是 PNP 管。 V，管子处于放大区。BE2.5()0.5U图(9)是 N 沟道增强型 MOS 管，要求 。本例中 ，因此截止。GSGS20U图(10)是 P 沟道增强型 MOS 管，要求 。而本例中， ，因31V此截止。1-21 测得电路中三极管 3 个电极， 、 、 的电位分别为下列各组数值：BCE(1)0.7 V，6 V，0 V； (2)0.7 V，0.6 V，0 V； (3)1.7 V，6 V，1.0 V；(4)4.8 V，2.3 V，5.0 V； (5) 0.2 V，-3 V，0 V； (6) 0.2 V， 0.1 V，0 V (7)4.8 V，5 V，5 V (8)0 V，0 V，6 V试确定哪几组数据对应的三极管处于放大状态?解 因为(1)(3)(4)(5)组数据满足放大条件，所以三极管处于放大状态，其余组数据不满足放大条件，因此不处于放大状态。
