1、发信人: smallsheep (final examination), 信区: Pretest标 题: 微电子器件 2005.6.20【张莉】发信站: 自由空间 (Mon Jun 20 10:27:10 2005), 站内填空：一，已知 af，aR，和 IES，求 Ics=_（互易关系）二.bjtA 和 bjtB。一个集电极是 N，一个集电极是 N问：哪个饱和压降大_ ，那个 early 电压大_那个容易电流集边_.哪个容易穿通电压大_哪个容易击穿 BVCBO._,三.发射结扩散电容应该包括那几个时间常数的影响简答：1. 和 ft 对 Ic 的特性有很大的相似之处，比如在小电流段都随 Ic
2、的减小而减小，在大电流段都随 Ic 的增大而减小。请解释原因2.总结一下 NN+结的作用。大题：1.对于杂质浓度分布为 NAB(x)=NAB(0)exp（x/WB)的分布，用 mollrose 方法推出基区少子分布和渡越时间。2.给了 WB，WE，和其它一堆参数，求 ，a,hef求 IB， Ic，求 模型参数， gm，go，gu3.画图，上升时间 t0，t1，t2三点处的能带图，和少子分布图总体来说很简单。好像很多人都很得意，ft！发信人: willow (我要我的自由), 信区: Pretest标 题: 半导体器件- 张莉发信站: 自由空间 (Wed Jun 23 21:38:40 2004
3、), 站内A 卷1。以下那些是由热载流子效应引起的。 。 。 。 。6 个选项，待补充。 。 。2。何谓准静态近似3。为了加快电路开关时间参数应如何选取。 。 。参数，电容，fT,beita, 待补充4。CE 律的参数变化，Vt,xSiO2,N,结深按照参数的变化规律下列效应将如何变化（1）掺杂浓度 N 引起：.5 种效应，待补充。 。 。/sigh, 我把 N 弄反了，5 个空全错（2）结深引起 。 。 。3 种效应，待补充。 。 。5?BJT 高频 pai 电路，及各参数意义简答，(1)Vbs 增加，nMOS,pMOS 的 Vt,gmb 分别如何变化(2)场区注入的杂质类型，作用，对小尺寸
4、器件影响一个 MOS 管，栅接漏接高电位，衬底接源接地给了 4 个 IdVds，Vfb,Na,求尽可能多的参数已知载流子速度 v(y)=u*dV(y)/d(y),推导 Vds=Vdsat 时的 v(y),并作图-发信人: wkgenius (我们都渴望一种温存), 信区: Pretest标 题: 2003 年春半导体器件试题发信站: 自由空间 (2003 年 07 月 02 日 18:12:53 星期三), 站内信件一.- - 1.6ev-|1um |酱紫的 pn 结导带底能带分布问 1：N 还是 P 重掺杂，为何？问 2：外加电压正抑或负，为何？问 3：求低掺杂边掺杂浓度问 4：画场强分布，
5、求最大场强，并画 0 偏时的场强分布二.pnp 正向放大区和反向放大加压的问题，两种情况下一些增益参数的变化，恩，题目太长乐。三.MOS 和 BJT 饱和区的含义和机构四.tox 减小对 mos 管一些效应的影响及原因，有截止频率，亚阈值特性(5 个，其他的三个记不清了，这个没仔细看，乱答得 :（）五MOS 和 BJT fT 的产生机构（就是延迟项的含义）六求本征电流增益，注意 Qb0=Gb*q 就万事大吉了七.给定基区分布，求基区传输延迟（理解了 moll-ross 方法就 easy 了）八关于 MOS 衬偏调制系数以及 beta 值等的运算，很简单九一些基本概念的简答，比较常规十可夹断型埋
6、沟器件，Vgs=Vt，衬偏为时的能带图*贴出来供 ddmm 们参考吧，题目有点活，关键在于考察对基础知识的理解，平时作业一定要弄懂plus:光电专业的 ddmm 一定别选这个课阿，内容超级多而且杂，很是很烦的，别重蹈我的覆辙发信人: XTR (M970), 信区: Pretest标 题: 微电子器件与电路(许军老师)2009 秋季期末考题发信站: 自由空间 (Sat Jan 9 21:45:10 2010), 站内第一次在 pretest 发题，为后面的几门攒 rp 吧一.填空 (20 分) （与上一年的是完全一样的，cv 过来而已）1.在双极型集成电路中不同 BJT 器件之间的隔离通常采用_
7、来实现，而埋层的作用则主要是_，提高 BJT 电流增益的主要方法有_,_以及_，若发射级掺杂浓度过高也会导致 BJT 放大倍数的下降，主要是由于_效应造成的。2.半导体晶体材料中载流子扩散系数主要取决于A.散射机制 B.复合机制 C.杂质浓度梯度 D.表面复合速度3.有效的降低 NMOS 晶体管的关态漏电流，可以采用下面哪种方法A.减小源漏之间的沟道长度 B.降低器件阈值电压C.提高衬底沟道区的掺杂浓度 D.降低源漏区的掺杂浓度4.硅 PN 结实验表明小注入时，理论计算的 I 比实验值小，其原因主要是理论计算忽略了A 扩散区的产生电流 B.势垒区的产生电流 C.扩散区复合电流 D.势垒区的复合
8、电流5.要有效的抑制双极型晶体管的基区宽度调制效应，可以采用下面哪种方法A.减小基区掺杂浓度 B.增大基区掺杂浓度 C.增大收集区掺杂浓度 D.减小基区宽度二.(20 分) 一个 NMOS 器件，W=15m,L=2m,Cox=6.9*10(-8)F/cm2, 保持 VDS=0.1V 不变，VGS=1.5V 时，IDS=35A ；VGS=2.5V 时，IDS=75A。求 n 和 VT。三.(20 分) 采用 N+掺杂的多晶硅栅极 NMOS 器件，P 衬底掺杂浓度 NA=3*1016/cm3，ms=-1.10V，NSS=1.0*1011/cm2，VT0=0.65V。求 tox 和 VBS=-3V
9、时的 VT。四.(20 分) 影响硅双极型晶体管高频性能的主要因素有哪些？能否用两个 PN 结二极管反向串联起来形成 NPN 或 PNP 的结构来实现 BJT 的电流放大作用，为什么？五.(20 分) 采用电阻作为负载的 NMOS 反相器，NMOS 的 W/L=4/1，n=500cm2/V-s，VT0=1.0V，Cox=1*10(-7)F/cm2，R=10k，VDD=5V。 （1）求 Vin=0，2.5V，5V 时对应的输出电压 VOH，VOM，VOL。（2）如果要使 VOM=2.5V，应当如何调整 R 或 W/L 的值，说明设计方案并求出此时的 VOH 和VOL。发信人: arg (Sain
10、t Baby), 信区: Pretest标 题: 微电子器件与电路期末-许军老师-六字班发信站: 自由空间 (Sat Jan 3 22:03:23 2009), 站内一.填空 (20 分)1.在双极型集成电路中不同 BJT 器件之间的隔离通常采用_来实现，而埋层的作用则主要是_，提高 BJT 电流增益的主要方法有_,_以及_，若发射级掺杂浓度过高也会导致 BJT 放大倍数的下降，主要是由于_。2.半导体晶体材料中载流子扩散系数主要取决于A.散射机制 B.复合机制 C.杂质浓度梯度 D.表面复合速度3.有效的降低 NMOS 晶体管的关态漏电流，可以采用下面哪种方法A.减小源漏之间的沟道长度 B.
11、降低器件阈值电压 C.提高衬底沟道区的掺杂浓度 D.降低源漏区的掺杂浓度4.硅 PN 结实验表明小注入时，理论计算的 I 比实验值小，其原因主要是理论计算忽略了A 扩散区的产生电流 B.势垒区的产生电流 C.扩散区复合电流 D.势垒区的复合电流5.要有效的抑制双极型晶体管的基区宽度调制效应，可以采用下面哪种方法A.减小基区掺杂浓度 B.增大基区掺杂浓度 C.增大收集区掺杂浓度 D.减小基区宽度二.一个硅 PNP 型 BJT 的发射区，基区与收集区的掺杂浓度分别为 1e19，5e17 和1e15，Xe=1um，Xb=0.7um，其中 un=450，up=90，载流子扩散长度为 20um，忽略发射
12、结空间电荷区的复合效应，计算该 BJT 的发射结注入效率，基区输运系数以及晶体管电流放大倍数 a和 b.(20 分)三.P 衬底上制作的一个 Al 栅极 MOS 器件，tox=500A，Qss=1.5e11cm-2，假设 fai(ms)=-0.85V，计算该器件零偏开启电压和 VBS=2V 下的阈值电压.(20 分)四.对于 MOS 功率器件，通常采用什么方法增大其电流驱动能力？对于 BJT 功率器件，通常采用什么方法增大其电流驱动能力？并简要说明理由.(20 分)五.一个有比电路(上拉网络是 R=10k，下面接一个 NMOS)W/L=4/1，un=500，VT=1V ，Cox=1e-7，R=
13、10K，Vdd=5V(1)Vin=0V，2.5V ，5V 时，求出分别对应的输出电压(2)欲使 Vom=2.5V，如何调整 R 或者 W/L 的值？给出你的设计方案，并求出对应情况下的Vol，Voh.(20 分)许老师的考题真诡异发信人: hellow (hui), 信区: Pretest标 题: 半导体器件- 我刚刚重考过的发信站: 自由空间 (2001 年 06 月 01 日 18:43:19 星期五), 站内信件这门课的特点就是公式狂多，你记不住:( 被砍的人最多了，我是其中一员。刚刚重考过，所以就告诉大家考过了什么，因为和去年的没有区别，可能对大家的帮助比较大:)1.p59,双极晶体管
14、外加电压的正负特性2.p60,图 2-8，会多少有些变化，自己注意了，加能带图3.p80,e-m 方程，这次没有考，不过很重要，呵呵4.p82,叠加原理，考了 3 次，如果这次不考，说明你们点背5.p82,互易关系，去年考了，今年没有考6.p116,解释基区宽度调变效应，呵呵，有些难记，不过比着死悄悄，你知道应该选择什么啦,这节的公式记牢了:)接下来的晚点再说，有事情了发信人: hellow (hui), 信区: Pretest标 题: 半导体器件（补充）发信站: 自由空间 (2001 年 06 月 02 日 12:28:49 星期六), 站内信件p153-156，计算 f-t,h-fe,f-
15、beta，如果有两道计算题，则肯定有这一道，主要公式是 f-beta(p155,3-99),这就牵涉到 p156-p170 关于传输时间的计算，我看得不士很懂，感觉理论性太强了:(p192，最高震荡频率，此概念连着 2 年都考了。p221，埋沟的概念和解释，96，97 ，此次重考都出了，我不明白有什么重要的，不过还是记了一下。p223，mos 系统的能带图，如果此章出画图题，非这个莫属，包括一些变形:Pp222-224，关于一些电压的计算，不确定会是那个，但是公式是相同的。p224-234，阈电压的计算，本章的计算只可能出这一个，而且老师也喜欢这个。p235，萨方程，不得不说，它太重要了，可能
16、要你推导的说 /puke blood。p255，几个跨导的计算，强调了好多次，可惜每次都没有考，不知你们的运气如何。p258，V-a 的计算，还有 p119(2-312)计算 V-a。刚才有人说 zl 可能要变题了，我认为不可能，因为教材完全没有改变，只不过你们的封面好看了一些，这些点希望没有时间复习的 ddmm 们切记，并且演算几个题目，我不能给你保证说你肯定能过，起码死的不会很抽象。祝大家推研顺利！发信人: ogre (营养饼), 信区: Pretest标 题: v6 晶体管！发信站: FreeE&E (Thu Jun 17 12:49:35 1999), 转信考虑到 v6 同学的心情，抓
17、紧时间贴出此文：我们的晶体管是张莉讲课，曹老出题，现在，将我们当年的一些试题贴在下面。由于时间已久，有点忘了，也记不清是期中题还是期末的题了，以下内容仅供参考。1 画出 PNP 管在饱和区、正向工作区、反向工作区的能级图和载流子分布图。注意，是 PNP 管，书上是 NPN 管。2 晶体管原理 （中）的“ 第三章 ”（小信号模型及开关特性）中有一道大证明题，好象是推导双极管的关断时间和开启时间。（中册 6877 页）3 MOS 元件有一道计算题，完全是套用公式，比较简单。（ MOS 是不是不考）4 画小信号等效电路，并求各电容、各时间（tao_.)，跟一道作业题很象。5 双级元件的击穿，主要考原
18、理说明。6 求 B （bei_ta) ，比较简单，直接套公式。7 一些小题，主要考对基础概念的理解和记忆。能记住的就只有这么多了，不知对大家有没有帮助。着门课总的感觉是着重考基础内容，复习时不要太偏。 （可以参考我很久以前在此版发的文章）发信人: wizard (冰儿), 信区: Pretest标 题: v6 晶体管试题发信站: FreeE&E (Sun Jun 27 10:14:08 1999), 转信1。求共发射极短路电流增益截止频率 fb(beita).关键在于求八个时间常数2。推导 mos 非饱和区的 v(y)和 e(y),即源极和漏极间的电势与电场。关键要熟悉萨之唐方程的推导过程，有些灵活。3。 （1 ）画出 PNP 管截止区的能带图和少子分布图（2 ）画出基极开路时的反向特性曲线4。求 Hfe*,套公式。5。简答：（1）小电流下 b(beita)随 Ic 变化的解释。（2）埋沟用来制作什么 MOS 器件（3）缩短关断时间的方法。（4）空缺
