1、试题编号： 试题名称：半导体物理第 1 页 共 3 页一、 填空（每空 1 分，共 34 分）1纯净半导体 Si 中掺 V 族元素的杂质，当杂质电离时释放 电子 。这种杂质称 施主 杂质；相应的半导体称 N 型半导体。2当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做 扩散 运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做 漂移 运动。3n opo=ni2标志着半导体处于 平衡 状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积 nopo改变否？ ；当温度变化时，n opo改变否？ 。4非平衡载流子通过 而消失， 叫做寿命 ，寿命 与 在 中的位置密切相关，对于强 p 型和 强 n 型材料，小注入时寿命 n
2、为 ，寿命 p 为 。 5 是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量， 是反映有浓度梯度时载流子运动难易程度的物理量，联系两者的关系式是 ，称为 关系式。 6半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是 和。前者在 下起主要作用，后者在下起主要作用。7半导体中浅能级杂质的主要作用是 ；深能级杂质所起的主要作用 。8对 n 型半导体，如果以 EF和 EC 的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准，那末， 为非简并条件； 为弱简并条件； 为简并条件。12当 P-N 结施加反向偏压增大到某一数值时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为 ，其种类为： 、和 。13指出下图各表示的是什么类型半导体
3、？试题编号： 试题名称：半导体物理第 2 页 共 3 页二、 简要回答（共 26 分）1（7 分）平衡 p-n 结的空间电荷区示意图如下，画出空间电荷区中载流子漂移运动和扩散运动的方向（在下图右侧直线上添加尖头即可）。并说明扩散电流和漂移电流之间的关系。2（10 分）n 型半导体的电阻率随温度的变化曲线如图所示，试解释为什么会出现这样的变化规律。3. （9 分）光照一块 n 型硅样品，t=0 时光照开始，非平衡载流子的产生率为 G，空穴的寿命为 ，则光照条件下少数载流子所遵守的运动方程为，GpxEPXExpDt 2试题编号： 试题名称：半导体物理第 3 页 共 3 页（1） 写出样品在掺杂均匀条件下的方程表达式（2）写出样品掺杂均匀、光照恒定且被样品均匀吸收条件下的方程表达式三、 计算（16 分）1、 单晶硅中均匀地掺入两种杂质掺硼 1.51016cm-3, 掺磷5.01015cm-3。试计算：（1）室温下载流子浓度（4 分）；（2）室温下费米能级位置（4 分）；（3）室温下电导率（4 分）；： （4）600K 下载流子浓度（4 分）。已知：室温下 ni=1.51010cm-3, NC=2.81019cm-3, NV=1.01019cm-3, k0T=0.026eV； )/(13)/(5022 sVcmscmpn 600K 时 ni=61015cm-3。
