改良西门子法生产多晶硅工艺设计探讨.pdf

1、2009年6月 第34卷第3期 贵 州 化 工 Guizhou Chemical Industry 7 改良西门子法生产多晶硅工艺设计探讨 扔 、庸 (贵州东华工程股份有限公司，贵州贵阳550002) 摘要改良西门子法生产多晶硅是目前最为成熟、应用最广泛、扩展速度最快的技术。介绍了生产多晶硅 的多种生产方法，重点对改良西门子法生产多晶硅的工艺流程作了介绍，并阐述了工程设计中需注意的问题。 关键词多晶硅；改良西门子法；工艺设计 中图分类号TN30412 文献标识码A 文章编号10089411(2009)03一o0o7一O5 多晶硅是硅产品产业链中的一个非常重要的中 间产品，是制造硅抛光片、太阳能

2、电池及高纯硅制品 的主要原料，是信息产业和新能源产业最基础的原 材料。随着全球信息技术的不断进步，对于半导体 硅的需求量日益增加，全世界半导体市场以每年 20以上的速度递增。在金融危机出现之前，国内 及国际市场的多晶硅需求量急剧增加，国内多晶硅 更是严重短缺。据专家预测，今后510年我国将 成为世界上电子信息产品的主要生产国和主要市 场，多晶硅的需求量将会变得更大，国家为此将多晶 硅列入当前重点鼓励发展产业。 1 多晶硅及其性质 多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在 过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列 成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒， 则这些晶粒结合起来，便结晶形成

3、多晶硅。多晶硅 可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主 要表现在物理性质方面，例如，在力学性质、光学性 质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显； 在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单 晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。但在化学活性 方面，两者差异非常的小。 多晶硅其性质为：灰色金属光泽，密度232 234，熔点1410C，沸点2355，可溶于氢氟酸和硝 酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和 石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至 80o以上即有延性，1300C时便出现明显变形。在 常温下不活泼，高温下可与氧、氮、硫等反应。在高 温熔融状态下，具有较大的化学活泼性

4、，几乎能与任 何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良 半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。 电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电 冰箱、彩电、录像机、电子计算机芯片以及红外探测 器等的基础材料。 2 多晶硅生产方法概述 由于各多晶硅生产厂家所用的主辅原料并不相 同，因此生产工艺技术不同，进而对应的多晶硅产品 技术经济指标、产品质量指标、用途、产品检测方法、 过程安全等方面也存在差异，各有自己的技术特点 和技术秘密。总的来说，目前国际上多晶硅生产主 要的传统工艺有：改良西门子法、硅烷法和流化床 法。其中改良西门子工艺生产的多晶硅的产能最 大，约占全世界总产能的80。 2

5、1 改良西f-17法一闭环式三氯氢硅氢还原法 1955年，西门子公司成功开发了利用氢气还原 三氯硅烷(SiHCI )在硅芯发热体上沉积硅的工艺技 术，并于1957年开始了工业规模的生产，这就是通 常所说的西门子法。在西门子法工艺的基础上，通 过增加还原尾气干法回收系统、SiC1 氢化工艺，实 现了闭路循环，于是形成了改良西门子法闭环 式SiHC1 氢还原法。 改良西门子法是用氯气和氢气合成氯化氢(或 外购氯化氢)，氯化氢和工业硅粉(粗硅)在高温下 合成三氯氢硅，然后x-氯氢硅进行化学精制提纯， 再经多级精馏，使其纯度达到9个9以上，其中金属 杂质总含量应降到0110 以下，提纯精馏后的三 氯氢

6、硅在氢还原炉内进行CVD(化学气相沉淀法) 反应生产高纯多晶硅。国内外现有的多晶硅厂绝大 部分采用此法生产太阳能级与电子级多晶硅。 22硅烷法一硅烷热分解法 1956年，英国标准电讯实验所成功研发出了硅 烷(Sill )热分解制备多晶硅的方法，即通常所说的 硅烷法。硅烷法以氟硅酸、钠、铝、氢气为主要原辅 材料，通过四氯化硅氢化法、硅合金分解法、氢化物 还原法、硅的直接氢化法等方法制取，然后将制得的 硅烷气提纯后在热分解炉生产纯度较高的棒状多晶 硅。以前只有日本小松掌握此技术，由于发生过严 重的爆炸事故后，没有继续扩大生产。但美国Asimi 8 贵 州 化 工 Guizhou Chemical

7、Industry 2009年6月 第34卷第3期 和SGS公司仍采用硅烷气热分解生产纯度较高的电 子级多晶硅产品。 23流化床法 流化床法是美国联合碳化合物公司早年研发的 多晶硅制备工艺技术。该方法是以四氯化硅、氢气、 氯化氢和工业硅为原料在流化床内(沸腾床)高温 高压下生成三氯氢硅，将三氯氢硅再进一步歧化加 氢反应生成二氯二氢硅，继而生成硅烷气。制得的 硅烷气通入加有小颗粒硅粉的流化床反应炉内进行 连续热分解反应，生成粒状多晶硅产品。因为在流 化床反应炉内参与反应的硅表面积大，生产效率高， 电耗与成本低，适用于大规模生产太阳能级多晶硅。 唯一的缺点是安全性差，危险性大。其次是产品纯 度不高，

8、但基本能满足太阳能电池生产的使用。此 法比较适合生产价廉的太阳能级多晶硅。目前采用 该方法生产颗粒状多晶硅的公司主要有：挪威REC 公司、德国Wacker公司、美国Hemlock和MEMC公 司等。 24太阳能级多晶硅新工艺技术 随着技术的不断进步，近年还涌现出几种专门 生产太阳能级多晶硅新工艺技术，主要有：冶金法从 金属硅中提取高纯度硅；高纯度SiO 直接制取；熔 融析出法；还原或热分解工艺；无氯工艺技术；A1一 Si溶体低温制备太阳能级硅；熔盐电解法等，但这些 方法均未实现工业化。即使是已经工业化的西门子 法(改良西门子法)、硅烷法、流化床法，也仅掌握在 美、日、德三个国家，并在少数的十几

9、个工厂生产，他 们的产品占全球的市场90左右。 3改良西门子法介绍 多晶硅生产的西门子工艺，其原理就是在 1 100左右的高纯硅芯上用高纯氢还原高纯三氯氢 硅，生成多晶硅沉积在硅芯上。改良西门子工艺是 在传统西门子工艺的基础上，同时具备节能、降耗、 回收利用生产过程中伴随产生的大量H 、HC!、SiCI 等副产物以及大量副产热能的配套工艺。改良西门 子法制备的多晶硅纯度高，安全性好，沉积速率为8 10lrnmin，一次通过的转换效率为520，相 比硅烷法、流化床法，其沉积速率与转换效率是最高 的。沉积温度为1100，仅次于SiC1 (1200)，所 以电耗也较高，为120 kWhkg(还原电耗

10、)。目前世 界上绝大部分厂家均采用改良西门子法生产多晶 硅。 改良西门子法是用氯和氢合成氯化氢(或外购 氯化氢)，氯化氢和工业硅粉在一定的温度下合成三 氯氢硅，然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯，提纯后 的三氯氢硅在氢还原炉内进行CVD反应生产高纯 多晶硅。其主要技术是：大直径对棒节能型还原炉 技术，导热油循环冷却还原炉技术，还原炉尾气封闭 式干法回收技术以及副产品SiC1 氢化生成SiHC1， 技术。改良西门子法相对于传统西门子法的优点主 要在于： 1)节能：由于改良西门子法采用多对棒、大直径 还原炉，可有效降低还原炉消耗的电能； 2)降低物耗：改良西门子法对还原尾气进行了 有效的回收。所谓还原

11、尾气：是指从还原炉中排放 出来的，经反应后的混合气体。改良西门子法将尾 气中的各种组分全部进行回收利用，这样就可以大 大低降低原料的消耗。 3)减少污染：由于改良西门子法是一个闭路循 环系统，多晶硅生产中的各种物料得到充分的利用， 排出的废料极少，相对传统西门子法而言，污染得到 了控制，保护了环境。 4 改良西门子法生产多晶硅工艺流程 改良西门子法生产多晶硅工艺设计中大致细分 为以下几个工序：H：制备与净化、HC1合成、SiHC13 合成、合成气干法分离、氯硅烷分离提纯、SiHCI，氢 还原、还原尾气干法分离、SiCI 氢化、氢化气干法分 离、硅芯制备及产品整理、废气及残液处理等，具体 流程如

12、图1所示。下面就几个关键工序的工艺流程 作简单描述。 图1 多晶生产的改良西门子法示意图 41 SiHC1 合成 原料硅粉经吊运，通过硅粉下料斗而被卸人硅 粉接收料斗。硅粉从接收料斗放人下方的中间料 斗，经用热氯化氢气置换料斗内的气体并升压至与 下方料斗压力平衡后，硅粉被放人下方的硅粉供应 料斗。供应料斗内的硅粉用安装于料斗底部的星型 供料机送人三氯氢硅合成炉进料管。从氯化氢合成 工序来的氯化氢气，与从循环氯化氢缓冲罐送来的 2009年6月 第34卷第3期 杨 涛：改良西门子法生产多晶硅工艺设计探讨 9 循环氯化氢气体混合后，引入三氯氢硅合成炉进料 管，将从硅粉供应料斗供人管内的硅粉挟带并输送

13、， 从底部进人三氯氢硅合成炉。 在三氯氢硅合成炉内，硅粉与氯化氢气体形成 沸腾床并发生反应，生成三氯氢硅，同时生成四氯化 硅、三氯二氢硅、金属氯化物、聚氯硅烷、氢气等产 物，此混合气体被称作三氯氢硅合成气。反应大量 放热。合成炉外壁设置有水夹套，通过夹套内水带 走热量维持炉壁的温度。出合成炉顶部挟带有硅粉 的合成气，经三级旋风除尘器组成的干法除尘系统 除去部份硅粉后，送入湿法除尘系统，被四氯化硅液 体洗涤，气体温表的部分细小硅尘被洗下；洗涤同 时，通人湿氢气与气体接触，气体所含部分金属氧化 物发生水解而被除去。除去了硅粉而被净化的混合 气体送往合成气干法分离工序。三氯氢硅合成炉内 的主要反应如

14、下： 主反应 Si+3HC11 SiHC13+H2 Si+4HC11 SiC14+2H2 副反应 2SiHC13=!= Sill，C12+SiC14 2Si+6HC1=!=；Si2C16+3H2 2Si+5HC1al-“-S边HC15+2H2 42氯硅烷分离、提纯 在三氯氢硅合成工序生成，经合成气干法分离 工序分离出来的氯硅烷液体送人氯硅烷贮存工序的 原料氯硅烷贮槽；在三氯氢硅还原工序生成，经还原 尾气干法分离工序分离出来的氯硅烷液体送人氯硅 烷贮存工序的还原氯硅烷贮槽；在四氯化硅氢化工 序生成，经氢化气干法分离工序分离出来的氯硅烷 液体送人氯硅烷贮存工序的氢化氯硅烷贮槽。原料 氯硅烷液体、还

15、原氯硅烷液体和氢化氯硅烷液体分 别用泵抽出，送人氯硅烷分离提纯工序的不同精馏 塔中。各个精馏塔的作用不一样，一般是1 塔去除 低沸物，2 塔去除金属、非金属杂质和四氯化硅。 43 SiHC1 氢还原 经氯硅烷分离提纯工序精制的三氯氢硅，送人 本工序的三氯氢硅汽化器，被热水加热汽化；从还原 尾气干法分离工序返回的循环氢气流经氢气缓冲罐 后，也通人汽化器内，与三氯氢硅蒸汽形成一定比例 的混合气体。 从三氯氢硅汽化器来的三氯氢硅与氢气的混合 气体，送人还原炉内。在还原炉内通电的炽热硅芯 硅棒的表面，三氯氢硅发生氢化还原反应，生成硅沉 积下来，使硅芯硅棒的直径逐渐变大，直至达到规 定的尺寸。氢还原反应

16、同时生成二氯二氢硅、四氯 化硅、氯化氢和氢气，与未反应的三氯氢硅和氢气一 起送出还原炉，经还原尾气冷却器用循环冷却水冷 却后，直接送往还原尾气干法分离工序。还原炉内 发生的主要反应为： 5SiHC13+H2 1 2Si+2SiCI4+5HC1+Sill2C12 还原炉炉筒夹套通人热水，以移除炉内炽热硅 芯向炉筒内壁辐射的热量，维持炉筒内壁的温度。 出炉筒夹套的高温热水流经闪蒸罐减压闪蒸，生成 的饱和蒸汽可用于氯硅烷分离提纯工序的精馏塔再 沸器的加热和其他加热过程。闪蒸槽出来的热水经 还原炉冷却循环水槽，经泵增压后送回反应炉夹套 用于炉筒的冷却。非正常情况下，可加一冷却器将 热水冷却至所需温度后

17、再送至反应炉夹套。除此之 外，还原炉的整流器和电极视窗要分别设两套冷却 系统。 还原炉在装好硅芯后，开车前先用水力射流式 真空泵抽真空，再使用氮气置换炉内空气，再用氢气 置换炉内氮气(氮气排空)，然后加热运行，因此开 车阶段要向环境空气中排放氮气，和少量的真空泵 用水(可作为清洁下水排放)；在停炉开炉阶段(约5 7天1次)，先用氢气将还原炉内含有氯硅烷、氯 化氢、氢气的混合气体压人还原尾气干法回收系统 进行回收，然后用氮气置换后排空，取出多晶硅产 品、移出废石墨电极、视情况进行炉内超纯水洗涤， 因此停炉阶段将产生氮气、废石墨和清洗废水。氦 气是无害气体，因此正常情况下还原炉开、停阶段无 有害气

18、体排放。废石墨由原生产厂回收，清洗废水 送至废水处理系统处理。 44还原尾气干法分离工序 从三氯氢硅还原干法工序来的还原尾气经此工 序被分离成氯硅烷液体、氢气和氯化氢气体，分别循 环回装置使用。 还原炉出来的混合气流经混合气缓冲罐，然后 进入喷淋洗涤塔，被塔顶流下的低温氯硅烷液体洗 涤。气体中的大部分氯硅烷冷凝并混人洗涤液中。 出塔底的氯硅烷大部分经冷冻降温后循环回塔顶用 于气体的洗涤，多余的部分氯硅烷送人氯化氢解析 塔。 出喷淋洗涤塔塔顶除去了大部分氯硅烷的气 体，用混合气压缩机压缩并冷冻降温后，送人氯化氢 吸收塔，被从氯化氢解析塔底部送来的经冷冻降温 的氯硅烷液体洗涤，气体中绝大部分的氯化

19、氢被氯 硅烷吸收，气体中残留的大部分氯硅烷也被洗涤冷 凝下来。出塔顶气体为含有微量氯化氢和氯硅烷的 氢气，经一组变温变压吸附器进一步除去氯化氢和 氯硅烷后，得到高纯度的氢气。大部分的高纯氢气 10 贵 州 化 工 Guizhou Chemical Industry 2009年6月 第34卷第3期 返回三氯氢硅氢还原工序参与制取多晶硅的反应， 多余的氢气送往四氯化硅氢化工序参与四氯化硅的 氢化反应；吸附器再生废气送往废气处理工序进行 处理；从氯化氢解析塔顶部得到提纯的氯化氢气体， 送往放置于三氯氢硅合成工序的循环氯化氢缓冲 罐；从氯化氢解析塔底部引出的多余的氯硅烷液体 (即从三氯氢硅氢还原尾气中

20、分离出的氯硅烷)，送 人氯硅烷贮存工序的还原氯硅烷贮槽。 5 工艺设计中需注意的一些问题 在市场利润的驱动下，这两年国内许多公司规 划并新建不少多晶硅的项目，多晶硅带来高额利润 的同时，也带来了不少的问题。比如涉及到氢气、三 氯氢硅等易燃易爆的物质，能耗太高等，近期国家也 对小规模的多晶硅项目作出了限制。因此，以后的 多晶硅项目竞争将日益激烈。在多日晶硅项目的设 计中，应注意以下问题： 1)在建的几个项目中，在生产规模不大的情况 下(300ta、500ta等)，都选择直接外购SiHCI ，用 管道或槽车直接运送到罐区工段，精馏过后出来的 SiC1 直接外售，省去SiHC1，合成、SiC1 等工

21、序，这 样既能够节省了投资，提高了抗市场的风险能力，也 便于设计及管理。 2)SiHC1 属于甲类物品，在平面布置上，首先要 附合建筑设计防火规范及石油化工企业设计防 火规范要求，要综合考虑对周围居民以及后期工程 发展的影响，将液氯及氯硅烷贮罐布置在厂区边缘， 并设置泄险区和撤离通道，在节约土地的同时要保 证利于消防的原则。 3)SiHC1 是无色液体，易挥发，易潮解，在空气 中发生反应产生白烟，遇水分解，溶于苯、醚等有机 溶剂。属一级遇湿易燃物品，易燃易爆，遇水反应产 生氯化氢气体；它与氧化剂发生强烈反应，遇明火、 高热发生燃烧或爆炸。其物理特性如下：比重 135；相对气体密度47；沸点31

22、8C；饱和蒸气压 (145 c【=)5333kPa；闪点一139C(开杯)；自燃温 度175oC；爆炸下限69；爆炸上限70；溶解性： 溶于苯、醚等有机溶剂；具有急性毒性。因此设计过 程中首先要考虑安全、环保，严禁泄露，设备和管道 必须采取有效的密封措施。对易发生泄露的管道、 贮罐、开关、阀门、接口等位置，都需设置气体自动报 警装置。 4)三氯氢硅的合成、除尘和精馏工段，HC1气体 缓冲罐与合成炉之间应设止回阀，防止合成炉的si。 HCI，回到缓冲罐。设计应考虑通过控制HCI气体 的流量，来控制合成炉内的温度。在生产中要保持 整个系统的密闭，用9999的氮气进行保护。 5)SiHC1 由于其沸

23、点很低(101325kPa下为 318E)，极易挥发，需在低温下储存，三氯氢硅的贮 罐设置低温保护装置和降温措施。由于三氯氢硅有 潜在的燃烧爆炸危险，所以它的贮罐应与生产装置 要有一定的防火间距，并且要设防火堤，降温水的排 放管道经过防火堤处要设闸阀。贮罐应设静电接地 装置和避雷装置。贮罐内的气相要与氮气系统相连 进行密封保护，贮罐的气相与外部连通的平衡管(放 空管)应与尾气回收系统相连，不能直接排空，并应 设止回阀和阻火器。贮罐区应设一个备用罐(事故 罐)，紧急情况下应将泄漏的贮罐(塔)内的物料转 移至备用罐，防止大量泄漏。 6)SiHCI，的精馏分为合成料精馏和还原料精 馏，现在的精馏技术

24、已经实现了加压精馏，精馏塔的 操作温度为60C70oC，操作压力为02503 MPa。在生产太阳能级多晶硅中，一般都只采用两 塔精馏技术，第一个塔去除低沸物，第二塔去除高沸 物；在生产纯度较高的电子级多晶硅中，则采用了四 个精馏塔，两塔去除低沸物，两塔去除高沸物，这样 还原出来的多晶硅纯度才能保证。 7)多晶硅生产中，最主要的能耗就是还原炉，还 原炉的大小和性能质量在生产过程中起着决定性作 用。还原炉的还原棒越多，能耗相对越低，因此在设 计时要尽量选用大型化的还原炉，现在国内生产的 还原炉中，已经接近国外的技术水平，达到了24对 棒。 8)尾气干法分离(CDI)回收技术是改良西门子 法与传统西

25、门子法生产多晶硅的最大区别，尾气干 法分离回收技术是利用尾气中H HC1、SiC1 、Si HC1 的沸点、露点的不同，采用蒸馏、精馏、吸收、吸 附等分离技术，将其一一分开。目前国内设计的项 目中，很多都采用外国工程公司提供的工艺包。 9)SiHCI 在装置内输送过程中，可以采用泵送 或氮气压送，如采用泵送，需选择密封性较好的泵， 如计量泵、屏蔽泵。如采用氮气压送，设计时要考虑 好氮气压送的压力及设备能够承受的压力。 10)由于SiHC1 固有的危险性，设计时要尽可 能地采用集中控制为主，整个生产过程的操作及主 要动力设备的状态显示、停止操作均应设在操作站 上完成，采用集散控制系统对全厂的生产

26、过程进行 监视、控制、生产过程中的主要工艺参数应设在操作 站中进行显示、记录、报警，并通过控制系统进行调 节、联锁、积算，这样在减少工人劳动量的同时增加 2009年6月 第34卷第3期 杨 涛：改良西门子法生产多晶硅工艺设计探讨 了安全性；氢气、氧气以及其他可燃气体管道均设防 静电接地措施；所有三氯氢硅储罐都需设置安全阀， 安全阀的运行条件不仅考虑误操作等情况的泄放 量，必须考虑发生火灾时的泄放量。 11)在SiHC1 合成炉内，存在一定量未参与反 应的硅粉，这些硅粉容易随着SiHC1 进入到下一工 序，简单的除尘装置不易将这些硅粉除尽，应加设过 滤装置；这些硅粉遇空气极易爆炸，应在氮气密封保

27、 护的环境下，将这些硅粉从合成炉下部排人到硅粉 处理池内；除此之外，硅粉硬度较大，极易磨损设备， 在工程设计的过程中，应在设备必要的地方设置挡 板。 l2)在精馏工序，当原料SiHC1 中含有较多的 B、P杂质时，为较为彻底的除去原料SiHC1 中的含 硼杂质，应先通人增湿氮气使硼化物水解并在塔釜 形成高沸物，但同时也会在塔釜形成SiO 造成堵 塞，应定期通人NaOH溶液进行清洗。因此在除去 B、P等杂质的提纯阶段，设置两个精馏塔，轮流交替 使用。 6 小结 多晶硅行业是个新兴且具有发展潜力的产业。 世界多晶硅的生产技术已经逐渐成熟，绝大部分厂 家都采用改良西门子法技术，实现了生产过程的闭 路

28、循环生产。随着多晶硅需求量的不断增加，国内 多晶硅项目也在不断的建设，笔者认为国内的多晶 硅项目建设一定要慎重发展，不能一哄而上，应往高 科技、大规模方向发展，这样既能符合当前市场的需 求，又能走向可持续发展的道路。 多晶硅项目设计上应以自力更生为主，形成自 主的知识产权，适当地引进部分国外先进的技术和 设备，吸收他们的经验教训，在不断的摸索中前进、 完善，为我国的多晶硅行业发展提供良好的服务。 参考文献 1梁骏吾电子级多晶硅的生产工艺J中国工程科学， 2000，2(12)：3439 2龙桂花，等太阳能级多晶硅生产技术发展现状及展望 N中国有色金属报，2008，18，专辑，1 s386-s39

29、2 3温雅，等改良西门子法多晶硅生产中分离工艺的改进 J化学工业与工程，2008，25(2)：154159 4徐华毕，等太阳能级多晶硅生产与发展概况J材料 学报，2008，22(9)：869O 5冯端华，等太阳能级多晶硅制备技术与工艺J新材 料产业20075；59-62 6党庆德，等某多晶硅新建项目职业病危害预评价J 中国卫生工程学，2008，7(5)： 7蒋荣华，等国内外多晶硅发展状况J半导体技术， 2001，21(11)：71O 8刘建军多晶硅生产中回收氢气的净化J有色冶炼 2000，29(6)：1719 (收稿日期20090511) 作者简介 杨涛，男，2004年毕业于北京化工大学化学工

30、程与工 艺专业，现就职于贵州东华工程股份有限公司(贵州省化工 医药规划设计院)，主要从事化工工艺管道的设计工作。 The Discussion of the Improved Siemens Process for Polysilicon in Design Yang tao (Guizhou East China Engineering CO，LTDGuiyang Guizhou 550002) Abstract：Improved Siemens process has been the most sophisticated and most widely used process for

31、the pro duction of polysilicon，which is the most important raw material for manufacturing solar cellsVarious processes for producing polysilicon and especially the improved Siemens process are described in detail in this paperSeveral problems in process design of polysilicon by improved Siemens process are also discussed Key word：Polysilicon；Modified Siemens process；Process design 贵州化工杂志社即将启用新社址 为方便工作，贵州化工杂志社即将启用新社址，新社址为：贵州省贵阳市新添大道310号， 邮编：550018，电话：08516317518。 目前，原社址和电话仍可使用。