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《VLSI设计方法学》试卷.doc

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VLSI 设计方法学 试卷2014-2015 学年 第一学期姓名: 班级: 学号:一填空题(3*10=30)1. 自从集成电路诞生以来,经历了 SSI、 、 、 的发展过程。2. 目前商业化半导体芯片的线宽为 m。3. 信息系统的集成可分为三个层次: 、 和 。4. 90 年代以来,ICCAD 的代表工具有 、 和 等 EDA 系统。二名词解释(4*2=8)1. CIF 语言2. FPGA三简答题(8*4=32)1. 简述集成电路工艺进入超深亚微米后的主要特点。2. 光刻工艺与其他集成电路制造单项工艺的本质区别是什么?3. 简述全定制电路的几种设计方法。4. 请列举系统封装的主要方式。四论述题(10*3=30)1. 简述 VLSI 的设计步骤。2. VLSI 设计中主要面临哪些问题?3. 简述门阵列设计的优缺点。

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