1、1景德镇陶瓷学院 电力电子与电机拖动综合课程设计题目 单相桥式整流电路设计 姓 名： 王帅 所在学院： _ 机电学院 _ 所学专业： 自动化 班 级 _ 11 自动化 2 班 学 号 201110320222 _指导教师： _ 曹利刚 _完成时间：_ _ 20140610_ 2电力电子与电机拖动综合课程设计任务书班级：自动化 06 姓名： 指导教师：曹利钢 2010 年 6 月 7 日设计题目：单相桥式晶闸管整流电路设计设计任务和要求1 电源电压：交流 220V/50HZ。2 输出功率 500W3 输出电压范围：150V 4 设计主电路、控制电路、驱动及保护电路。设计成果设计说明书一份电路图一
2、份参考资料1.电力电子设备设计和应用手册 王兆安 编 机械工业出版社2 电力电子技术题例与电路设计指导 石玉 编 机械工业出版社教研室主任签字： 年 月 日3目 录一目录1二引言2三设计思想 2四设计方案 3五主电路设计55.1 主电路的工作原理及原理图 55.2 整流电路的参数计数65.3 晶体管元件的选择76单元电路设计 8七保护电路设计 11八电路总接线图 15九设计总结16参考文献 164摘要单相桥式可控整流电路是最基本的将交流转换为直流的电路，其效率高原理及结构简单在单相整流电路中应用较多，在设计单相桥式可控整流电路时，从总电路电路出发根据负载择优选着方便的同步触发电路，并逐一设置各
3、种保护电路使电路安全有效的运行，最终达到整流的目的。关键字：单结晶体管，触发电路，阻感负载，整流电路二引言随着科学技术的日益发展,人们对电路的要求也越来越高,由于在生产实际中需要大小可调的直流电源,而相控整流电路结构简单、控制方便、性能稳定,利用它可以方便地得到大中、小各种容量的直流电能,是目前获得直流电能的主要方法,得到了广泛应用。但是晶杂管相控整流电路中随着触发角 的增大，电流中谐波分量相应增大，因此功率因素很低。把逆变电路中的 SPWM 控制技术用于整流电路，就构成了 PWM 整流电路。通过对 PWM 整流电路的适当控制，可以使其输入电流非常接近正弦波，且和输入电压同相位，功率因素近似为
4、 1。这种整流电路称为高功率因素整流器，它具有广泛的应用前景电力电子技术是一门新兴技术，它是由电力学、电子学和控制理论三个学科交叉而成的，在电气自动化专业中已成为一门专业基础性强且与生产紧密联系的不可缺少的专业基础课。本课程体现了弱电对强电的控制，又具有很强的实践性。能够理论联系实际，在培养自动化专业人才中占有重要地位。整 流 电 路 是 电 力 电 子 电 路 的 一 种 ， 将 交 流 电 变 为 直 流 电 ， 应 用 十 分 广 泛 ，电 路 形 式 多 种 多 样 。 按 组 成 器 件 可 分 为 不 可 控 、 半 控 、 全 控 三 种 ； 按 电 路 结构 可 分 为 桥 式
5、 和 零 式 电 路 ； 按 交 流 输 入 相 数 分 为 单 相 电 路 和 多 相 电 路 。三设计思想研究单相桥式整流电路的工作原理并进行分析，设计出具有稳定脉冲的触发电路并进行仿真。设计的电路要满足输出 500W 电源 220V，50H 输出电压150V 等条件 电源 变压器 整流电路 负载 5变压器触发电路四设计方案1 方案的选择我们知道，单相整流电路形式是各种各样的，可分为单相桥式相控整流电路和单相桥式半控整流电路，整流的结构也是比较多的。因此在做设计之前我们主要考虑了以下几种方案：方案一：单相桥式半控整流电路电路简图如下：图 4-1 单相桥式半控整流电路对每个导电回路进行控制，
6、相对于全控桥而言少了一个控制器件，用二极管代替，有利于降低损耗！如果不加续流二极管，当 突然增大至 180或出发脉冲丢失时，由于电感储能不经变压器二次绕组释放，只是消耗在负载电阻上，会发生一个晶闸管导通而两个二极管轮流导通的情况，这使 ud 成为正弦半波，即半周期 ud 为正弦，另外半周期为 ud 为零，其平均值保持稳定，相当于单相半波不可控整流电路时的波形，即为失控。所以必须加续流二极管，以免发生失控现象。方案二：单相桥式全控整流电路电路简图如下：图 4-2 单相桥式全控整流电路6此电路对每个导电回路进行控制，无须用续流二极管，也不会失控现象，负载形式多样，整流效果好，波形平稳，应用广泛。变
7、压器二次绕组中，正负两个半周电流方向相反且波形对称，平均值为零，即直流分量为零，不存在变压器直流磁化问题，变压器的利用率也高。方案三：单相半波可控整流电路：电路简图如下：图 4-3 单相半波可控整流电路此电路只需要一个可控器件，电路比较简单，VT 的 a 移相范围为 180。但输出脉动大，变压器二次侧电流中含直流分量，造成变压器铁芯直流磁化。为使变压器铁心不饱和，需增大铁心截面积，增大了设备的容量。实际上很少应用此种电路。方案四：单相全波可控整流电路：电路简图如下：图 4-4 单相全波可控整流电路此电路变压器是带中心抽头的，结构比较复杂，只要用 2 个可控器件，单相全波只用 2 个晶闸管，比单
8、相全控桥少 2 个，因此少了一个管压降，相应地，门极驱动电路也少 2 个，但是晶闸管承受的最大电压是单相全控桥的 2 倍。不存在直流磁化的问题，适用于输出低压的场合作电流脉冲大（电阻性负载时），且整流变压器二次绕组中存在直流分量,使铁心磁化，变压器不能充分利用。而单相全控式整流电路具有输出电流脉动小，功率因数高，变压器二次电流为两个等大反向的半波，没有直流磁化问题，变压器利用率高的优点。相同7的负载下流过晶闸管的平单相全控式整流电路其输出平均电压是半波整流电路2 倍，在均电流减小一半；且功率因数提高了一半。综上所述，针对他们的优缺点，我们采用方案二，即单相桥式全控整流电路。五主电路设计(1)
9、主电路工作原理 在电源电压 正半周期间，VT1、VT2 承受正向电压，若在 时触发，2u tVT1、VT2 导通，电流经 VT1、负载、VT2 和 T 二次侧形成回路，但由于大电感的存在， 过零变负时，电感上的感应电动势使 VT1、VT2 继续导通，直到2VT3、VT4 被触发导通时，VT1、VT2 承受反相电压而截止。输出电压的波形出现了负值部分。在电源电压 负半周期间，晶闸管 VT3、VT4 承受正向电压，在2u时触发， VT3、 VT4 导通，VT1、VT2 受反相电压截止，负载电流从tVT1、VT2 中换流至 VT3、VT4 中在 时，电压 过零，VT3、VT4 因电感2t2u中的感应
10、电动势一直导通，直到下个周期 VT1、VT2 导通时，VT3、VT4 因加反向电压才截止。值得注意的是，只有当时 ，负载电流 才连续，当时 ，负载2di 2电流不连续，而且输出电压的平均值均接近零，因此这种电路控制角的移相范围是 。 208图 5-1 主电路原理图（2） 整流电路参数计算1.在阻感负载下电流连续，整流输出电压的平均值为2221sin()cos0.9cosdUtdU由设计任务有电感输入电压：交流 220V/50hz；输出电压：0V50V；输出功率:50w 可求得:Ud=0.9U2cosa即：50=0.9*220cosa解的：a=75.372.整流输出电压有效值为2221(sin)
11、(0VUtdU3.整流输出电流平均值为：I=P/U=500W/220V=2.27A 4.在一个周期内每组晶闸管各导通 180，两组轮流导通，整流变压器二次电流是正、负对称的方波，电流的平均值 和有效值 相等，其波形系数为dII1。流过每个晶闸管的电流平均值与有效值分别为：Idt=0.5I=1.14A It=1.62A 5 波 形 系 数 ： 有 直 流 分 量 的 电 流 波 形 ， 其 有 效 值 与 平 均 值 之 比 称 为 该IdI9波 形 的 波 形 系 数 ， 用 Kf表 示 。Kf=Idt/It 额 定 状 态 下 ， 晶 闸 管 的 电 流 波 形 系 数Kf=1.57 6 晶
12、闸管在导通时管压降 =0,故其波形为与横轴重合的直线段；VT1 和TuVT2 加正向电压但触发脉冲没到时，VT3、VT4 已导通，把整个电压 加到 VT12u或 VT2 上，则每个元件承受的最大可能的正向电压等于 ；VT1 和 VT2 反向2U截止时漏电流为零，只要另一组晶闸管导通，也就把整个电压 加到 VT1 或VT2 上，故两个晶闸管承受的最大反向电压也为 。2（3）.晶闸管元件的选择（a）、晶闸管的额定电流选择晶闸管额定电流的原则是必须使管子允许通过的额定电流有效值 大TNI于实际流过管子电流最大有效值 ，即TI=1.57 或 TNI)(AVTI)(AV57.1考虑（1.52）倍的裕量：
13、It/1.57=1.52A )(AVTI此外，还需注意以下几点：当周围环境温度超过+40时，应降低元件的额定电流值。当元件的冷却条件低于标准要求时，也应降低元件的额定电流值。关键、重大设备，电流裕量可适当选大些。（b）、晶闸管的额定电压晶闸管实际承受的最大峰值电压乘以（23）倍的安全裕量，即可确定晶闸管的额定电压：(23) (23) (622933) (2-9)220(63TMUV:（ ） （ ）（ ） （ ）（ ） （ ） V（ ） （ ）取 800V。10由以上分析计算知选取晶闸管的型号为 KP5-8。（c） 、KP5-8 晶闸管的具体参数额定通态平均电流（IT（AV） ）：5A;断态重复
14、峰值电压（UDRM）:500V;反向重复峰值电压（URRM）:1800V;断态重复平均电流（IDR（AV） ）:6mA;反向重复平均电流（IRR（AV） ）:6mA;门极触发电流（IGT）:60mA;门极触发电压（UGT）:1.8V;断态电压临界上升率（du/dt）:50V/uS维持电流（IH）：60mA;额定结温（TjM）：110六单元电路设计6.1. 单结晶体管的工作原理单结晶体管原理单结晶体管（简称 UJT）又称基极二极管，它是一种只有PN 结和两个电阻接触电极的半导体器件，它的基片为条状的高阻 N 型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极 b1 和 b2。在硅片中间略偏 b2 一侧用合金
15、法制作一个 P 区作为发射极 e。其结构，符号和等效电如图 6-1 所示。图 6-16.2.单结晶体管的特性从图 6-1（a ）可以看出，两基极 b1 和 b2 之间的电阻称为基极电阻。Rbb=rb1+rb211式中：Rb 1第一基极与发射结之间的电阻，其数值随发射极电流 ie 而变化，rb 2 为第二基极与发射结之间的电阻，其数值与 ie 无关；发射结是 PN 结，与二极管等效。若在两面三刀基极 b2，b 1 间加上正电压 Vbb，则 A 点电压为：VA=rb1/（rb 1+rb2）vb b=（rb 1/rbb）vb b=Vbb式中： 称为分压比，其值一般在 0.30.85 之间，如果发射极
16、电压 VE 由零逐渐增加，就可测得单结晶体管的伏安特性，见图 6-2：图 6-2 单结晶体管的伏安特性（1）当 Ve Vbb 时，发射结处于反向偏置，管子截止，发射极只有很小的漏电流 Iceo。（2）当 Ve Vbb+VD VD 为二极管正向压降（约为 0.7V） ，PN 结正向导通，I e 显著增加，rb 1 阻值迅速减小，V e 相应下降，这种电压随电流增加反而下降的特性，称为负阻特性。管子由截止区进入负阻区的临界 P 称为峰点，与其对应的发射极电压和电流，分别称为峰点电压 Ip 和峰点电流 Ip。I p 是正向漏电流，它是使单结晶体管导通所需的最小电流，显然 Vp=Vb b。（3）随着发
17、射极电流 Ie 的不断上升，V e 不断下降，降到 V 点后，V e 不再下降了，这点 V 称为谷点，与其对应的发射极电压和电流，称为谷点电压 Vv和谷点电流 Iv。（4）过了 V 后，发射极与第一基极间半导体内的载流子达到了饱和状态，所以 uc 继续增加时， ie 便缓慢的上升，显然 Vv 是维持单结晶体管导通的最小发12射极电压，如果 VeV v，管子重新截止。6.3.单结晶体管的主要参数基极间电阻 Rbb 发射极开路时，基极 b1，b 2 之间的电阻，一般为 2-10 千欧，其数值随温度的上升而增大。分压比 由管子内部结构决定的参数，一般为 0.3-0.85。eb 1 间反向电压 Vcb
18、1 b2 开路，在额定反向电压 Vcb2 下，基极 b1 与发射极 e 之间的反向耐压。反向电流 Ieo b1 开路，在额定反向电压 Vcb2 下，eb 2 间的反向电流。发射极饱和压降 Veo 在最大发射极额定电流时，eb 1 间的压降。峰点电流 Ip 单结晶体管刚开始导通时，发射极电压为峰点电压时的发射极电流。6.4.触发电路设计要求晶闸管的型号很多，其应用电路种类也很多，不同的晶闸管型号，应用电路对触发信号都会有不同的要求。但是，归纳起来，晶闸管触发主要有移相触发，过零触发和脉冲列调制触发等。不管是哪种触发电路，对它产生的触发脉冲都有如下要求：（1） 、触发信号为直流、交流或脉冲电压，由
19、于晶闸管导通后，门极触发信号即失去了控制作用，为了减小门极的损耗，一般不采用直流或交流信号触发晶闸管，而广泛采用脉冲触发信号。（2） 、触发信号应有足够的功率（触发电压和触发电流） 。触发信号功率大小是晶闸管元件能否可靠触发的一个关键指标。由于晶闸管元件门极参数的分散性很大，且随温度的变化也大，为使所有合格的元件均能可靠触发，可参考元件出厂的试验数据或产品目录来设计触发电路的输出电压、电流值，并有一定的裕量。（3） 、触发脉冲应有一定的宽度，脉搏冲的前沿尽可能陡，以使元件在触发信号导通后，阳极电流能迅速上升超过掣住电流而维持导通。普通晶闸管的导通时间约法为 6 ，故触发电路的宽度至少应有 以上
20、，对于电感性负载，s6s由于 电感会抑制电流的上升，触发脉冲的宽度应更大一些，通常为 0.5 至 1ms，此外，某些具体电路对触发脉冲宽度会有一定的要求，如三相全控桥等电ms13路的触发脉冲宽度要大于 60或采用双窄脉冲。（4） 、为了快速而可靠地触发大功率晶闸管，常在触发脉冲的前沿叠加一个强触发脉冲，强触发脉冲的电流波形如图 4-1 所示。强触发电流的幅值可达到最大触发电流的 5 倍。前沿 约为几 。gmi 1ts图 6-3 强触发电流波形（5） 、触发脉冲必须与晶闸管的阳极电压同步，脉冲称相范围必须满足电路要求。为保证控制的规律性，要求晶闸管在每个阳极电压周期都在相同控制角 触发导通，这就
21、要求脉冲的频率必须与阳极电压同步。同时，不同的电路或者相同的电路在不同的负载、不同的用途时，要求的 变化的范围（移相范围）亦即触发脉冲前沿与阳极电压的相位变化范围不同，所用触发电路的脉冲移相范围必须满足实际的需要。七保护电路的设计在电力电子电路中，除了电力电子器件参数选择合适、驱动电路设计采用合适的过电压、过电流、du/dt 保护和 di/dt 保护也是必要的。7.1 过电压保护电力电子装置中可能发生的过电压分为外因过电压和内应过电压两类。外应过电压主要来自雷击和系统中的操作过程等外部原因，包括：1.操作过电压：由分闸、合闸等开关操作引起的过电压，快速直流开关的切断等经常性操作中的电磁过程引起
22、的过压。2.雷击过电压：由雷击引起的过电压。内因过电压主要来自电力电子装置内部器件的开关过程，包括：(1)换相过电压：由于晶闸管或者全控器件反并联的续流二极管在换相结14束后不能立刻恢复阻断能力，因而有较大的反向电流流过，使残存的载流子恢复，当其恢复了阻断能力时，反向电流急剧减小，这样的电流突变会因线路电感而在晶闸管阴阳极之间或与续流二极管反并联的全控型器件两端产生过电压。(2)关断过电压：全控型器件在较高的频率下工作，当器件关断时因正向电流的迅速降低而由线路电感在器件两端感应出的过电压。过压保护要根据电路中过压产生的不同部位，加入不同的保护电路，当达到定电压值时，自动开通保护电路，使过压通过
23、保护电路形成通路，消耗过压储存的电磁能量，从而使过压的能量不会加到主开关器件上，保护了电力电子器件。为了达到保护效果，可以使用阻容保护电路来实现。将电容并联在回路中，当电路中出现电压尖峰电压时，电容两端电压不能突变的特性，可以有效地抑制电路中的过压。与电容串联的电阻能消耗掉部分过压能量，同时抑制电路中的电感与电容产生振荡，过电压保护电路如图 5 所示。7.2 过电流保护当电力电子变换器内部某一器件击穿或短路、触发电路或控制电路 发生故障、出现过载、直流侧短路、可逆传动系统产生环流或逆变失败，以及交流电源电压过高或过低、缺相等，均可引起变换器内元件的电流超过正常工作电流，即出现过流。由于电力电子
24、器件的电流过载能力比一般电气设备差得多，因此，必须对变换器进行适当的过流保护。变换器的过流一般主要分为两类：过载过流和短路过流.过电流过载和短路两种情况.（1）直流快速开关对于大容量高功率经常容易短路的场合，可采用动作时间只有 2ms 的直流快速开关。它的断弧时间仅有 2530ms，装在直流侧可有效的用于直15流侧的过载保护与短路保护。它经特殊的设计，可以先于快速熔断器熔断而保护晶闸管。但此开关昂贵复杂，使用不多。快速熔断器闸管在被损坏之前就迅速切断电流，并断开桥臂中的故障元件，以保护其他元件。晶闸管过流保护措施有以下几种。（2）交流短路器交流短路器的作用是当过电流超过其整定值时动作，切断变压
25、器一次侧交流电路，使变压器退出运行。短路器动作时间较长，约为100200ms。晶闸管不能在这样长的时间里承受过电流，故它只能作为变流装置的后备保护。（3）进线电抗器进线电抗器串接在变流装置的交流进线侧，以限制过电流。其缺点是有负载时会产生较大的压降，增加了线路损耗。 （4）过电流继电器过电流继电器可安装在直流侧或交流侧，在发生过电流时动作，使熔断器是最简单有效的且应用普遍的过流保护器件。针对晶闸管的特点，专门设计了快速熔断器，简称快熔。其熔断时间小于 20ms，能很快的熔断，达到保护晶闸管的目的。2.快熔的选择：快熔的额定电压 URN 不小于线路正常工作电压的均方根值；快熔的额定电流 IRN
26、应按它所保护的原件实际流过的电流的均方根值来选择，而不是根据元件型号上标出的额定电流 IT 来选择，一般小于被保护晶闸管的额定有效值 1.57IT。快熔接法如右：其中交流侧接快速熔断器能对晶闸管元件短路及直流侧短路起保护作用，但要求正常工作时，快速熔断器电流定额要大于晶闸管的电流定额，这样对元件的短路故障所起的保护作用较差。直流侧接快速熔断器只对负载短路起保护作用，对元件无保护作用。只有晶闸管直接串接快速熔断器16才对元件的保护作用最好，因为它们流过同个电流因而被广泛使用。电子电路作为第一保护措施，快熔仅作为短路时的部分区段的保护，直流快速断路器整定在电子电路动作之后实现保护，过电流继电器整定
27、在过载时动作。7.3 缓冲电路又称吸收电路，其作用是抑制器件的内因过电压、du/d t 或者过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。1.关断缓冲电路（du/dt 抑制电路）吸收器件的关断过电压和换相过电压，抑制 du/dt，减小关断损耗。2.开通缓冲电路（di/dt 抑制电路）抑制器件开通时的电流过冲和di/dt，减小器件的开通损耗。3.复合缓冲电路关断缓冲电路和开通缓冲电路的结合。通常将缓冲电路专指关断缓冲电路，将开通缓冲电路叫做 di/dt 抑制电路。4.另外两种常用的缓冲电路RC 缓冲电路主要用于小容量器件，而放电阻止型 RCD 缓冲电路用于中大容量器件。5.电流上升率 di/dt 的抑
28、制晶闸管初开通时电流集中在靠近门极的阴极表面较小的区域，局部电流密度很大，然后以 0.1mm/s的扩展速度将电流扩展到整个阴极面，若晶闸管开通时电流上升率 di/dt 过大，会导致 PN 结击穿，必须限制晶闸管的电流上升率使其在合适的范围内。其有效办法是在晶闸管的阳极回路串联入电感。如下图所示:图串联电感抑制回路6.电压上升率 dv/dt 的抑制加在晶闸管上的正向电压上升率 dv/dt 也应有所限制,如果 dv/dt 过大，由于晶闸管结电容的17存在而产生较大的位移电流，该电流可以实际上起到触发电流的作用，使晶闸管正向阻断能力下降，严重时引起晶闸管误导通。为抑制 dv/dt 的作用，可以在晶闸
29、管两端并联 R-C 阻容吸收回路。如图所示： 图 2.3.7 并联 R-C 阻容吸收回路八电路总接线图：18九设计总结这次电力电子课程设计历时两周，让我对平时课堂上学到的知识有更深入19的理解。课程设计是对课本知识的综合应用，经过必要的分析比较从而进一步验证了课本上的知识。作为一个机电专业的学生，肯定知道电力电子技术在我们生活中的重要性，不论是在工业生产还是日常生活中都有广泛的应用。这学期我们主要学习了整流、变频电路。当看到我们组拿到的题目时，自己觉得是最简单的，但实际做起来的时候发现自己想的太简单了，有很多问题自己不了解，对课本上的知识掌握不够全面。在此次的设计过程中，我更进一步的熟悉了单相
30、桥式全控桥整流电路的原理以及触发电路的设计。通过单相全控桥式整流电路的设计，使我加深了对整流电路的理解，让我对电力电子该课程产生了浓烈的兴趣。电力电子技术课程设计是配合变流电路理论教学，为我们自动化和电气工程及其自动化专业开设的专业基础技术技能设计，课程设计对我们是一个非常重要的实践教学环节。通过设计，使我们巩固和加深了对变流电路基本理论的理解，提高了运用电路基本理论分析和处理实际问题的能力，培养了我们的创新精神和创新能力。总之这次设计大大的提高了我的综合的学习能力，让我能将所学的知识融会贯通，并在学习技能上渐渐成熟。参 考 文 献1. 电力电子技术 丁道宏 航空工业出版社 1999 年 第二版2. 电子电路精选 郑琼林 电子工业出版社 1996 年 第一版3. 数字电子技术基础 阎石 高等教育出版社 20014. 电子电路基础 童诗白 高等教育出版社 1995 第二版5. 电子技术课程设计指导 高等教育出版社 彭介华 20026.电力电子技术题例与电路设计指导 石玉 编 机械工业出版社
