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中职电子技术基础期中试卷.doc

上传人:精品资料 文档编号:10792604 上传时间:2020-01-09 格式:DOC 页数:5 大小:70KB
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资源描述

1、2012 年秋学期电子技术基础 期中测试 2012.11.一、填空题(0.550)1、半导体中有两种载流子: 和 。2、晶体二极管具有 特性,即加 电压时导通,加 电压时截止。3、晶体三极管具有 作用,是一种 控制型器件,通过电流的变化去控制较大的 电流变化。4、晶体三极管内部结构有三个区: 区、 区和 区;两个 PN结: 和 ;三个电极: 、 和 ,分别用字母 、 、 表示。5、晶体三极管工作在的偏置条件(外部条件)是: 、 工艺条件(内部条件)是: 、 、 。6、晶体三极管根据内部三个区域半导体类型不同,分为 和 两种类型,它们的图形符号分别为 和 ,基区为 N 型半导体的是型。7、晶体三

2、极管有三种基本联接方式: 接法、 接法和接法。三极管的三个电极中, 极既可以作为输入端,又可以作为输出端。9、硅管的门坎电压约为 V,导通电压约为 V;锗管的门坎电压约为 V,导通电压约为 V。10、若测得某晶体三极管的电流为:当 IB=20A 时,I C =2mA;当 IB=60A 时,I C =5.4mA,则可求出该管 为 ,I CEO 为 ,I CBO 为 。12、晶体三极管的输出特性曲线是在 IB 一定时,测出 与 对应值的关系,它可以分为三个区域,即 区、 区和 区。当三极管工作在 区时,关系式 IC =I B 才成立;当三极管工作在 区时, IC0 ;当三极管工作在 区时,V CE

3、0;三极管在 区时,具有恒流特性。二、判断题(210)1、晶体二极管一旦发生击穿,就会被烧毁。 ( )2、N 型半导体的多数载流子是电子,因此 N 型半导体带负电。 ( )3、环境温度升高,晶体二极管的反向饱和电流将增大。 ( )4、在半波整流电路中,二极管极性接反,将无整流作用。 ( )5、用万用表测量小功率二极管,一般使用 R10K 挡。 ( )6用万指针式万用表测某晶体二极管的正向电阻时,插在万用表标有“”号插孔中的测试棒(通常是红色棒)所连接的二极管的管脚是二极管的正极,另一电极是负极。 ( )7、无论哪种晶体三极管,当处于放大状态时,b 极电位总是高于 e 极电位,c 极电位也总是高

4、于 b 极电位。 ( )8、晶体三极管的发射区和集电区由同一类半导体构成,所以 e 极和 c 极可以互换使用。 ( )9、对于 NPN 型三极管,若 VBE0,V BEVCE,则该管工作在饱和状态。 ( )10、分压式偏置放大电路具有稳定静态工作点的作用。 ( )三、选择题(210)1、某硅二极管反向击穿电压为 150 伏,则其最高反向工作电压为( )A、约等于 150 伏 B、可略大于 150 伏 C、不得大于 40 伏 D、等于 75 伏2、电路如图所示,图中二极管为理想二极管,当输入电压 Vi=0V 时,输出电压 Vo=( )V;当输入电压 Vi=20V 时,输出电压 Vo=( )V。A

5、、3V B、0V C、10V D、20V V3VR 200VVR2K+_Oi3、在一块放大电路板上,测得某三极管对地电位如图所示,则管子的导电类型,管脚自左至右的顺序分别为( ) 。A、NPN 型,ebc B、PNP 型,ebcC、NPN 型,bce D、PNP 型,bce4在半波整流滤波电路中,如已知 V2=10V,则负载 RL 上的输出电压为( ) 。A12V B9V C4.5V D10V 5晶体三极管工作在饱和状态时,它的集电极电流 IC 将 ( ) 。A随 IB 增加而增加 B随 IB 增加而减少 C与 IB 无关,只决定于 VG 和 RC 6、电路如下图所示,设二极管正向电阻为零,反

6、向电阻为无穷大,则电压 VAB 为( ) 。A-3V B5V;C8V D-8V 7、三极管各电极对地电位如下图所示,工作于饱和状态的三极管是 ( )。8、上图中处于截止状态的三极管是 ( ) 。9、分压式偏置电路中,如 Rb1 增大,电路中其余条件不变,则 IC 将 ( ) 。A增大 B减小 C不变 D无法确定四、分析计算题(35 )1画出下图放大电路中的交、直流通路。 (8)VRcRb+C1+C2+ R_Re +CeLR+C3+VGA B C DRb1Rb2RcReV+C1+C2R_ +CeL-VG(a) (b)2、试判断下图中的二极管状态,并计算输出电压 Vo。 (4)3、如图所示放大器中

7、已知 VG =15V, RC=3K, Rb=500 K, =60,试估算放大器的静态工作点和输入电阻 ri、输出电阻 ro、和电压放大倍数 AV。 (12)V10V3VR 2KBAVVoVRcRb+C1+C2+ R_L+VG4、如图所示分压式偏置电路中中: VG =12V, Rb1=200 K, Rb2=100K, RC=2K, =60,试估算 ICQ 和 VCEQ。 (6)5、画出单相半波整流电路图,若输出电压 VL 为 45V,负载 RL=5K,试计算变压器次级电压 V2 和流过二极管的电流 IV 及二极管承受的最大反向电压 VRM。(5)VRcRb1+C1+C2+ R_+VGReRb2 +CeL

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