1、1.临界核半径：聚集的原子群超过一定尺寸能够稳定存在最小的晶体颗粒径。 2.非稳定扩散：扩散过程中任一点浓度随时间变化。 3.无序扩散：无化学位梯度、浓度梯度无外场推动力由热起伏引起的扩散。质点的扩散是无序的、随机的。4 .烧结定义：粉体在一定温度作用下发生团结，使气孔率下降，致密度提高，强度增大，晶粒增长的现象5 互扩散推动力：化学位梯度。 粘度：单位面积的内磨擦力与速度梯度的比例系数。6.非均相成核：母液中存在某界面（空位、杂质、位错），成核会优先在界面上进行的成核系统7.粘附：两种物质在界面上产生相互的吸引而粘结在一起的力。 8.表面能：当 T,P 及组成不变的条件下,增加单位表面积对系
2、统所做的功。 9.多晶体织构：多晶体的晶界形状,分布称为多晶体的织构,即显微结构中的晶界构型。 10 弗仑克尔缺陷：晶体内部质点由于热起伏的影响,质点从正常位置位移到晶体内部的间隙位置上,正常位置上出现空位。肖特基缺陷：质点由热起伏引起位移到表面上，正常位置上出现空位的缺陷。 11.表面张力：气-液表面上，液相内存在一种力图缩小表面积的张力。 12.配位数：某一离子被最临近的异号离子所包围的个数，称为该离子的配位数。 13.吸附：固体和液体表面存在大量不饱和键的原子和离子，它们都能吸引外来的原子，离子，分子14.类质同晶：化学组成不同而性质相近似.且具有相同晶体结构的一类物质15.同质多晶：同
3、种化学成分，在不同热力学条件下结晶成不同晶体的结构现象。 16 极化：指正，负离子在电场作用 1下，使正，负电荷重心不重合，并产生偶极距，这一现象称为极化。17.桥氧离子：指一个氧离子与两个硅离子的连结起来，此氧离子称为桥氧离子。 18.表面能：当 T，P 及组成不变的条件下，增加单位表面积对系统所做的功。 19.凝聚系统相律：F=C-P+N 凝聚系统 N=1（压力影响小，可忽略）F=C-P+1 20.转熔点：不一致熔融化合物的分解温度。 21.双升点：从点向外看，二个线温度升高。 双降点：从点向外看，二个线温度下降。 22.间隙扩散：质点沿间隙位置扩散。本征扩散：主要出现肖特基和弗兰克尔点缺
4、陷由此点缺陷引起的扩散23.矿化剂：在固相反应中加入少量非反应物，反应过程中不与反应物起化学反应只起加速反应作用的物质。 6.非均相成核比均相成核易进行的原因：因为：G #c =G c。f（）并且：f（）=(2+COS)(1- COS) 2/4，当：=90 度时，f（）=(2+COS)(1- COS) 2/4=(2+0)(1- 0)2/4=2/4=1/2，所以：G#c =Gc。f（）=1/2。Gc，即：非均相成核所需能量是均相成核的一半，杂质存在有利成核。 7.相变过程的推动力：相变推动力为过冷度（过热度）的函数，相平衡理论温度与系统实际温度之差即为相变过程的推动力。G=H-TH/T 0=HT
5、 0-T/T0=H.T/T 0 式中：T 0-相变平衡温度，H-相变热，T-任意温度。 自发反应时：G0，T 0T ，过冷，即实际温度比理论温度要低，相变才能自发进行。 相变吸热（蒸发，熔融）：H0 ，T90 度时，不能润湿。 39. 硅酸盐晶体结构有几种类型并写出各种类型的通式。 有五种结构类型：1）岛状结构：SiO 44-。 2）组群状结构：双四面体：Si 2O76-；三节环：Si 3O96-。 3）链状结构：单链：Si 2O64-；双链：Si4O116-。 4）层状结构：单层：Si 2O52-；双层：Si 4O104-。 5）架状结构：石英：SiO 20；长石：Al xSi4-xO8x-
6、。 40 硼反常现象：B 2O3中加入 Na2O，开始时膨胀系数下降，B 2O3变成 BO 4加强网络，当 Na2O 达到16.7%时桥氧数最大，网络加强，膨胀系数最低。当 Na2O 大于 16.7%时，BO 4四面体数开始下降，桥氧数也下降，膨胀系数上升。即膨胀系数等性质出现反常现象。 41.SiO2熔体中随着 Na2O 加入量的不同，粘度如何变化：SiO 2熔体中加入 Na2O,粘度随着 Na2O 增多，使O/Si 值上升，m 下降，SiO 4从网络变成孤岛状，粘度迅速下降。 42.玻璃形成的热力学和动力学条件。 热力学条件：同种物质，玻璃态内能与晶态内能差越小，越易形成玻璃。 动力学条件
7、:形成玻璃要避免析晶，过冷度大，冷却速度快，防止成核并变大。 43.为什么气孔弯曲表面会出现过剩空位浓度。 与平表面比较，弯曲表面有附加压力。在附加压力作用下，质点易于移出，而出现空位。 44.粘附功.粘附性越好，粘附功越小，对吗？ 粘附功：分开单位面积的粘附表面所需的功。即WAB= A+ B- AB。不对。粘附性越好，粘附功越大。 45.鲍林二规则： 在一个稳定的离子化合物结构中，每一个负离子的电价等于或近似等于相邻正离子分配给这个离子的静电键强度总和。譬如：MgO 6八面体中，Mg 离子分给每一个 O 离子静电键强度为 S=2/6=1/3。 46.弯曲表面的附加压力的产生.数学表达式 产生
8、：弯曲表面上表面张力分力产生附加压力。表达式：p=2/r(球形)， p=(1/r 1+1/r2) (非球形)。 47.高岭石，蒙脱石结构特点及其结构差异，并说明性质和结构的相关性。 高岭石：硅氧、铝氧 1:1 层状结构，层间为范氏键，氢键。易于破碎，有解理性，可朔性。 蒙脱石： 2:1 层状结构，两层硅氧层，一层铝氧层。有膨润性。主要由于层间离子交换，水化阳离子进入使之膨胀。48.影响置换型固溶体形成的因素有影响因素：(1)离子尺寸：15%规律： 1.(R 1-R2)/R115%不连续。 2.40%不能形成固熔体。 (2)离子价：电价相同，形成连续固熔体。 ( 3)晶体结构因素：基质，杂质结构
9、相同，形成连续固熔体。 (4)场强因素。 (5)电负性：差值小，形成固熔体。差值大形成化合物。 49.在三元中根据相律方程（只考虑温度、压力）:当 P=4,当 P=3,当 P=2,F 分别等于：1、2、3 50.在三元系统中,分界曲线分类及特点 分界曲线有 2 种：一致分界曲线，特点是两个固相一致熔融或两个固相一致析出。不一致分界曲线，两个固相一致析出后有一个固相被回析。 50.菲克第一定律 J=-Ddc/dx,菲克第二定律 dc/dt=Ddc/dx，应用条件：菲克第一定律应用于稳定扩散，菲克第二定律应用于非稳定扩散。 51.相变过程的推动力：过冷度；过饱和浓度；过饱和蒸汽压。 52.成核-生
10、成相变亚稳区“0 ,对否？不对。相反。53.烧结过程的推动力 能量差，压力差，空位差。 54.固体内粒子的迁移方式 易位，环位，空位扩散，间隙扩散，亚间隙扩散。 55.外加剂对烧结的影响 1)外加剂与烧结主体形成固溶体使主晶格畸变，缺陷增加，有利结构基元移动而促进烧结。2)外加剂与烧结主体形成液相，促进烧结。3)外加剂与烧结主体形成化合物，促进烧结。4)外加剂阻止多晶转变，促进烧结。5)外加剂起扩大烧结范围的作用。 56.烧结的初中后期特征：a.胚体中颗粒重排，大气孔逐渐消失，接触处产生键合，固-气表面积变化不大；b.传质过程进行，粒界增大，气孔连通 c.传质继续进行，形成孤立气孔，晶界移动，
11、晶粒长大，气孔变成孤立闭气孔，制品强度提高，米达达到理论值 95%以上。56.初次再结晶：在固相烧结的过程中，从塑性变形的、具有应变的基质中，生长出新的无应变晶粒的成核和长大过程。（此过程的推动力是基质塑性变形所增加的能量。 ）晶粒生长：是指无应变的材料在热处理时，平均晶粒尺寸在不改变其分布的情况下，连续增大的过程。 （此过程的推动力是晶界过剩的自由能。一些晶粒长大的过程亦是另外一些晶粒的缩小或消失的过程 ）二次再结晶：当坯体中存在着某些边数较多，晶界能量特别大的大晶粒时，它们可能越过杂质或气孔继续推移，以致把周围邻近的均匀基质晶粒吞并而迅速长成更大的晶粒，这样就增大了曲率，加速了晶粒生长。二
12、次再结晶的结果：气孔进入晶粒内部呈孤立气孔，烧结速率降低甚至停止，坯体不再致密，大晶粒的晶界上有应力存在，使其内部易出现隐裂纹，继续烧结时坯体易膨胀而开裂，使烧结体机械、电学性能下降。生成二次再结晶的原因：原始物料粒度不均匀（尤其是在原始物料粒度较小时更易发生）、烧结温度偏高、坯体成型压力不均匀、局部有不均匀的液相（可能由于杂质或成分不均匀）等。减少的措施：引入适当的添加剂，以减缓晶界的移动速率；合适的烧结温度；原始物料粒度的控制等。57.影响 r* 的因素有物系本身的性质（如： H 和 ）以及外界条件 T，降低前二者亦降 r* 。58.非化学计量化合物：特点：（1）非化学计量化合物产生及缺陷浓度与气氛性质、压力有关；（2）非化学计量化学物可算作是高价化合物工价化合物的固溶体，即不等价置换是发生在同种离子中的高价戊与低价态间的相互转换；3）缺陷浓度与温度有关 金属离子过剩型（n 型，负离子缺位或间隙正离子）和负离子过剩型（p 型，正离子缺位和间隙负离子）
