1、第 1 章 （大标题）1.1 （一级节标题）1.1.1 （二级节标题）1.1.1.1 （三级节标题）四级节以后的标题和编号的编排原则为：下级标题的显目程度不超过上一级，不重复或混淆。如可采用（1）或（a）等格式。本科生毕业设计（论文）书写式样一、页面设置：上 2.54cm，下 2.54cm，左 3.67cm，右 2.67cm，行间距固定值20 磅。二、目录：“目录”两字小三号宋体加粗，目录内容小四号宋体。三、摘要1 中文摘要：标题小二号宋体加粗， “摘要”两字四号宋体，摘要内容小四号宋体， “关键词”三字小四号宋体加粗，2 英文摘要：标题小二号 Times New Roman 体加粗， “Ab
2、stract” 四号 Times New Roman 体；“Abstract ” 内容小四号 Times New Roman 体， “Keywords”小四号 Times New Roman 体加粗。四、正文 （一）标题（一级节标题四号宋体）层次标题要简短明确，同一层次的标题应尽可能“排比” ，即词（或词组）类型相同（或相近） ，意义相关，语气一致，层次以少为宜。 各层次标题一律用阿拉伯数字连续编号；不同层次的数字之间用小圆点“ ”相隔，末位数字后面不加点号，如“1” ，“2.1”， “3.1.2”等；各层次的序号均左顶格起排。（二）正文内容小四号宋体五、图表图表内容五号宋体，图名、表名宋体
3、10.5 磅。图序与图名：图序一律采用阿拉伯数字分章编号，第 3 章第 1 个图的图序为“图 3.1”；图名应简明。图序和图名间空 1 个字距，居中排于图的下方。表序与表名：表序一律采用阿拉伯数字分章编号，如第 2 章第 1 个表的表序表示为“表 2.1”；表名应简明。表序和表名间空 1 个字距，居中排于表的上方。六、参考文献参考文献四字四号宋体，参考文献内容小四号宋体，其中英文用小四号Times New Roman 体。七、致谢：致谢两字四号宋体，致谢内容小四号宋体。八、文中的阿拉伯数字、英文都要用 Times New Roman 体，具体书写式样如下：1、目录式样（内容小四号宋体）目 录（
4、小三号宋体加粗）摘 要 .IAbstract.II第一章 前 言 .11.1 研究背景和意义 .11.1.1 研究背景 .11.1.2 研究意义 .11.2 研究方法及预期成果 .11.3 国内外研究现状 .21.3.1 国外研究现状 .21.3.2 国内研究现状 .3第二章 创业板上市公司的现状分析 .52.1 中国创业板市场 .52.1.1 创业板市场简介 .52.1.2 我国创业板发行条件中的财务指标与主板的主要区别 .52.2 创业板 28 家上市公司分布情况 .62.2.1 创业板上市公司按地域分布描述统计 .62.2.2 创 业 板 上 市 公 司 按 行 业 分 布 描 述 统
5、计 .62.3 创 业 板 上 市 公 司 成 长 性 影 响 因 素 分 析 .72.3.1 提出假设 .8第三章 实证分析 .93.1 样本选取及数据来源 .93.2 描 述 性 统 计 .93.3 估计参数 .111.建 立 模 型 .112 模 型 检 验 .123 结论 .13第四章 结束语 .154.1 研究总结 .154.2 不足之处 .15参考文献 .16致 谢 .172、摘要式样（1）中文摘要式样（内容小四号宋体）III- 族氮化物及其高亮度蓝光LED 外延片的 MOCVD 生长和性质研究（小二号宋体加粗）摘 要（四号宋体）宽禁带 III族氮化物半导体材料在短波长高亮度发光器
6、件、短波长激光器、光探测器以及高频和大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景。自 1994年日本日亚化学工业公司率先在国际上突破了 GaN 基蓝光 LED 外延材料生长技术以来，美、日等国十余家公司相继报导掌握了这项关键技术，并分别实现了批量或小批量生产 GaN 基 LED。尽管如此，这项高技术仍处于高度保密状态，材料生长的关键思想及核心技术仍未公开，还无法从参考文献及专利公报中获取最重要的材料生长信息。本论文就是在这种情况下立题的，旨在研究 GaN 基材料生长中的物理及化学问题，为生长可商品化的高亮度 GaN 基 LED 外延材料提供科学依据。本文在自制常压 MOCVD 和英国进口 MOCVD
7、 系统上对 III族氮化物的生长机理进行了研究，对材料的性能进行了表征。通过设计并优化外延片多层结构，生长的蓝光 LED 外延片质量达到了目前国际上商品化的中高档水平。并获得了如下有创新和有意义的研究结果：1.首次提出了采用偏离化学计量比的缓冲层在大晶格失配的衬底上生长单晶膜的思想，并在 GaN 外延生长上得以实现。 采用这种缓冲层， 显著改善了GaN 外延膜的 结晶性能，使 GaN 基蓝光 LED 器件整体性能大幅度提高，大大降低了 GaN 基蓝光 LED 的反向漏电流，降低了正向工作电压，提高了光输出功率。本文得到了国家 863 计划、国家自然科学基金以及教育部发光材料与器件工程研究中心项
8、目的资助。关键词（小四号宋体加粗）：氮化物；MOCVD；LED；卢瑟福背散射沟道；光致发光；光透射谱 （2）外文摘要式样（内容小四号 Times New Roman 体）Study on MOCVD growth and properties of III-nitrides and high brightness blue LED wafers（小二号 Times New Roman 体加粗）Abstract （四号 Times New Roman 体加粗）GaN based - nitrides have potential applications on high brightness L
9、EDs, short wavelength lasers, ultraviolet detectors, high temperature and high power electronic devices. Study on physics issues and technologies of nitrides open a new area of 3th generation semiconductor.More than ten companies in America and Japan reported to have developed the nitrides growth te
10、chnology since Nichia company in Japan first realized the commercialization of GaN based blue LED in 1994.In this thesis, GaN and its ternary were grown by a home-made atmosphere pressure metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) and Thomas Swan 62” MOCVD systems. High bright blue LED wafers we
11、re obtained by optimizing the nitrides growth technology and wafer structure. Some encouraging results are following as:1. We present the idea of using a buffer layer of deviation from stoichiometry for materials growth on large lattice mismatch substrates. This idea was realized in nitrides growth
12、in this thesis. The epilayer crystalline quality was improved and the dislocation density was decreased by using GaN low and high temperature buffer layers of deviation from stoichiometry. The RBS/channeling spectra exhibited that the minimum yield min of GaN layers was just only 1.5%. The leak elec
13、tric current of GaN based LED was obviously decreased and lower than 1A at 5 volt reverse voltage by using this new buffer technology.This work was supported by 863 program in China.Keywords: （小四 Times New Roman 体加粗）Nitrides ； LED；Photoluminescence；RBS/channeling ；Optical absorption；MOCVD3、正文式样 （一级节
14、标题四号宋体，正文内容小四号宋体）第一章 GaN 基半导体材料及器件进展1.1 III 族氮化物材料及其器件的进展与应用在科学技术的发展进程中，材料永远扮演着重要角色。在与现代科技成就息息相关的千万种材料中，半导体材料的作用尤其如此。以 Si 为代表的第一代半导体诞生于 20 世纪 40 年代末，它们促成了晶体管、集成电路和计算机的发明。以 GaAs 为代表的第二代半导体诞生于 20 世纪 60 年代，它们成为制作光电子器件的基础。III族氮化物半导体材料及器件研究历时 30 余年，前 20年进展缓慢，后 10 年发展迅猛。由于 III 族氮化物特有的带隙范围，优良的光、电性质，优异的材料机械
15、和化学性能，使得它在短波长光电子器件方面有着广泛的应用前景；并且非常适合制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。III族氮化物半导体材料已引起了国内外众多研究者的兴趣。1.2 III 族氮化物的基本结构和性质4、图表式样（内容五号宋体）（1）表式样 参考文献1 612 593 624 63（2）图式样5、参考文献式样（内容小四号宋体）参考文献（References） （四号宋体）1 WellMultiple-modulator fraction-n dividerPUS Patent，50381171986-02-022 Brian MillerA multiple modulator
16、 fractionl dividerJIEEE Transaction on instrumentation and Measurement，1991，40(2)：578-5833 万心平，张厥盛集成锁相环路原理、特性、应用M北京：人民邮电出版社，1990302-3074 MilerFrequency synthesizersP US Patent，46098811991-08-065 Candy J CA use of double-integretion in sigma-delta modulationJIEEE Trans Commun，1985 ，33(COM)：249-2586 丁孝永调制式小数分频锁相研究D 北京：航天部第二研究院，1997参考文献以引用先后顺序编号（注于正文相应处，用右上标标注） ，必须引用直接阅读的原文文献，已录用待发表的文章需引用时，必须注明刊物名称。请在文献题目后给出文献类型标识（专著M、论文集C、学位论文D 、报告R、期刊 J、标准S、专利 P。对参考文献的各项要素排列先后顺序做详细说明；以专著为例，它的排列就应该是：序号，空一格，作者姓名、句点、书名、文献标识类型（外加方括号） 、句点、版本（第一版省去） 、句点、出版地、冒号、出版者、逗号、出版年、句点、页码（有起止页码的中间加半字线连接号）
