1、1,11-3原子核外电子排布一、原子轨道的能级1、单电子轨道能级：取决于n，与 l 无关，如H原子或类氢原子：E1S E2S = E2P E3S = E3P = E3d2、多电子轨道能级：多电子原子轨道能级由n值与 l 值共同决定规律： 、l 相同，n，则E 。E1s E2S E3S E2P E3P E4P ,2,、n相同， l ，则E 。Ens Enp End E nfE4s E4p E4d E 4f,3,、同一原子内，n、l 都不同的分层间有能级交错现象。E4S E3d E4P E5S E4d E5PE6S E4f E5d E6P 轨道能级E用n0.7 l 规则求算：n0.7 l 越小，能
2、级越低 如：E4s =4+0.7x0=4 ; E3d=3+0.7x2=4.4 E4S E3d,导致原因：屏蔽效应而引致屏蔽效应：内层电子对外层电子的排斥作用，削弱了核对外层电子吸引作用，而使轨道能级分裂的现象称之。,钻穿效应：多电子原子中，n大 l 小的轨道上的电子潜入核附近的空间区域，较好地躲避其他电子的屏蔽作用，增加核引力，使轨道能量降低的渗透作用，称为电子的钻穿效应。,5,二、核外电子排布1、电子排布三原理、保里不相容原理每个原子轨道至多容纳两个自旋方向相反的电子。或者说，在同一原子中，不能有四个量子数完全相同的两个电子。、能量最低原理电子在原子轨道上分布，要尽可能使整个原子系统能量最低
3、。,6,、洪特规则在相同n和相同l的轨道（简并轨道）上分布的电子，总是尽先分占不同的轨道，且自旋平行。半满、全满或全空状态时相对较稳定。全满 ：s2、p6、d10、f14 半满 ：s1、p3、d5、 f7 全空：s0、p0、d0、 f0,7,2 电子排布填充 序：,E1s E2s E2p E3s E3p E4s E3d E4p E5s E4d E5p E6s E4f E5d E6p,3. 电子排布式： 又称电子结构式或电子分布式。,例6：,8,三、原子电子层结构与周期表1、电子层结构与周期周期数=电子层数=最外层主量子数2、电子层结构与族(1)、主族：凡最后一个电子填入ns或np轨道的元素称
4、为主族元素，用A标记。主族的族数=最外层电子数(2)、副族：凡最后一个电子填入d或f轨道的元素称为副族元素，用B标记。,9,3、电子层结构与区共分5个区：s区IA、IIA；p区IIIAVIIA，0族；d区IIIBVIIB，VIII族；ds区IB、IIB族；f区镧系、锕系元素。例7：,10,例5 写出Cr、Cu、Br和Hg的电子排布式。Cr(24)电子填充式为：1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 4s2 3d4考虑洪特规则特例：1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 4s1 3d5所以其电子排布式为：1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d5 4s1,11,Cu(29)电子填充式为：1s
5、2 2s2 2p6 3s2 3p6 4s2 3d9考虑洪特规则特例：1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 4s1 3d10所以其电子排布式为：1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s1,12,Br(35)电子填充式为：1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 4s2 3d10 4p5所以其电子排布式为：1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s2 4p5Hg：(80)电子排布式为：1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s2 4p6 4d10 4f14 5s2 5p6 5d10 6s2,13,说明：为了简化原子的电子结构，通常将内层已达稀有气体的电子层结构，用稀有气体加方括号表示，并称为“原子实”。例：Cr、Cu、Br和Hg的电子排布式为：Cr：Ar 3d5 4s1Cu：Ar 3d10 4s1Br：Ar 3d10 4s2 4p5Hg：Xe 4f14 5d10 6s2,返回9,14,例8：,1、已知某元素+2价离子的电子分布式为：1s22s22p63s23p63d10，则该元素在周期表中所属的分区为：（ ）A、s区； B、d区； C、ds区； D、p区。 解： 因元素原子的电子排布式为：1s22s22p63s23p63d104s2它为IIB族元素，在ds区 。,
