1、设计 审核 校对 工艺 标准化 批准 版本 处数 分区 更改 文件 号 签名 年. 月. 日 阶段标记 重量 比例 共 张第 张 美的电磁 炉公司 4 4 1 2 3 1 2 3 A A B B C C D D 低成 本主 控板 TM-DB01 1 2 C5 0.3uF/1200VDC* R6 10K L1400uH C4 5u/400DC EC14 10u/16V C71 102 C1 2u/275AC DW1 18V D1 IN4007 D2 IN4007 OUT1 四脚接线 柱 OUT2 四脚接线 柱 L N 220VAC IN FUSE1 12A/250V R38 330K/1W RZ
2、1 10D471K D6 1N4007 D7 UF4004 C19 4u7/400V C12 104 D8 BYV26C C20 1u/50V EC23 220u/25V EC22 100u C21 104 +5V EC13 100u/25V DW2 18V/0.5W +18V EC28 220u/25V VDD 1 3 2 4 L2 20086 D11 UF4004 R30 100R,1/4W R33 22R/2W VIN G C E H20N120R2 R7 10R C10 104 R9 2K R8 10K +18V Q1 S8050 Q3 S8550 Q2 S8050 CUR R27 5
3、K1 +5V T RT1 25 -100K 2% TIGBT R28 5K1 +5V 1 2 3 CN2 TOP TMAIN +5V 2 1 CN1 FAN BZ1 4K +5V R20 1K VDD Q5 SS8050 D3 4148 C6 105 C15 105 BUZ/FAN S 1 S 2 FB 3 VDD 4 D 5 D 6 D 7 D 8 U2 VIPER12 AC 2 V+ 1 AC 3 V- 4 BD1 BD Vin 1 GND 2 Vout 3 U3 7805 R10 10K(0.5W) R29 240K(0.5W) R26 240K(0.5W) R12 12K R71 48
4、0K(1/2W) R76 8.2K R72 10K RK1 7mOhm R2 56K R3 240K(1/2W) R19 240K(1/2W) R4 RG-820K(1W) R13 10R R17 4K7 R24 16K C8 221 R16 3.3K C9 101 D5 4148 +5V PORT0 URX UTX 王代航 肖桂良 毛宏建 110uF 0.1 TM-DB01 C32 101 BUZ/FAN BUZ/FAN TMAIN TIGBT VIN R57 47K VR1 10K C39 104 C37 104 C36 104 C35 104 R59 1K R61 1K R60 1K V
5、a Vb Vc Va Vb Vc CUR C33 0.022UF R50 510K C34 104 +5V RESET +5V R49 30K R62 1M 3.11 C41 471 IGBT 地 主芯片地 EC42 47uf/16v 3.00 R5 16K R66 3.3K R73 10K R77 10K R74 10K R78 10K C72 102 L H AC R75 10K R79 12K ZERO CROSS ZERO CROSS H AC L PORT0 C73 103 D12 4148 +5v URX UTX R14 200 P30/BUZ/CMP1O 1 PPGOUT 2 RES 3 VSS1 4 VDD1 5 AMP1I 6 CMP1IA 7 CMP1IB 8 CMP2I 9 AN0/INT0 10 AN1/INT1 11 AN2/INT2 12 AN4/INT4 20 AN3/INT3 19 AMP2O 18 CMP4I 13 CMP45I 14 CMP5I 15 CMP6I 16 VSS2 17 SI1/SB1/UTX 21 SCK1/URX 22 INT5 23 DBGP 24 U1 LC87F2L08 C74 681 1 2 3 4 5 CN3 CN5
