1、1半导体器件的型号命名方法汇总晶体管的命名方法很多，美国编号方法以 PN 接合面的数量为主线，不易看出其它特性。而欧洲与日本的编号，就比较系统化。国产晶体管的命名则也有自己的个性。下面做个简要叙述。一、 美国半导体器件的型号命名方法美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：1、 前缀部分：用字母符号表示器件用途的类型、级别。JAN - 军级JANTX - 特军级JANTXV - 超特军级JANS - 宇航级（无）- 非军用品。2、 第一部分：用数字表示 PN 结数目。1 - 二极管2 - 三极管3 - 三个 PN 结器件n -依次类推3、 第二部分：
2、美国电子工业协会（EIA）注册标志。用字母“N”表示该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。4、 第三部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。5、 第四部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、-同一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A 表示 PNP 硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA 登记顺序号、A-2N3251A 档。2美国半导体器件型号命名及含义第一部分：类别第二部分：美国电子工业协会（EIA ）注册标志 第三部分：美国电子工业协会（ EIA）登记号 第四部分：器件规格号数字 含
3、义 字母 含义1 二极管2 晶体管3 三个 PN 结器件（如双栅场效应管晶体管）n n 个 PN 结器件N该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记用多位数字表示该器件在美国电子工业协会（EIA）的登记号用字母A、B、C、D表示同一型号器件的不同档次例如：lN 4007 2N 2907 Al-二极管 2-晶体管N-ElA 注册标志 N-ElA 注册标志4007-ElA 登记号 2907-ElA 登记号A-规格号二、 日本半导体器件的型号命名方法日本半导体分立器件的型号命名(JIS-C-7012 工业标准) 由五至七部分组成，通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：1、 第一部分：用数字
4、表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管2-三极或具有两个 PN 结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个 pn 结的其他器件2、 第二部分：日本电子工业协会 JEIA 注册标志。S-表示已在日本电子工业协会 JEIA 注册登记的半导体分立器件。3、 第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP 型高频管B-PNP 型低频管C-NPN 型高频管D-NPN 型低频管F-P 控制极可控硅G-N 控制极可控硅3H-N 基极单结晶体管J-P 沟道场效应管K-N 沟道场效应管M-双向可控硅4、 第四部分：用数字表示在日本电子工业协会 JEIA
5、 登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会 JEIA 登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。5、 第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F 表示这一器件是原型号产品的改进产品。日本半导体器件型号命名及含义第一部分：器件类型或有效电极数 第二部分：日本电子工业协会注册产品第三部分：类别表示极性及用途第四部分：登记序号第五部分：产品改进序号 数字 含义 字母 字母 含义A PNP 型高频管B PNP 型低频管C NPN 型高频管0 光敏二极管、晶体管或其组合管D NPN 型低频管1 二极管 F P
6、门极晶闸管2晶体管三极管、FET、SCR、UJT等三极的零件G N 门极晶闸管H N 基极单结晶体管J P 沟道场效应晶管K N 沟道场效应晶体管3具有四个有效电极或具有三个 PN结的晶体管S表示已在日本电子工业协会（ JEIA）注册的半导体分立器件表示半导体M 双向晶闸管用两位以上的整数表示在日本电子工业协会注册登记的顺序号用字母A、B、C、D表示 对原来型号的改进例如：2SA733（ PNP 型高频晶体管） 2SC4706（NPN 型高频晶体管）2-晶体管 2-晶体管S-JEIA 注册产品 S-JEIA 注册产品A-PNP 型高频管 C-NPN 型高频管733-JEIA 登记序号 4706
7、-JEIA 登记序号4三、 欧洲半导体器件型号命名方法欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。1、 第一部分O-表示半导体器件2、 第二部分A-二极管C-三极管AP-光电二极管CP-光电三极管AZ-稳压管RP-光电器件3、 第三部分：多位数字-表示器件的登记序号4、 第四部分A、B、C-表示同一型号器件的变型产品。四、 国际三极管型号命名方法德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，编号构成顺序：字母、字母、数字，各部分的符号及意义如下：1、 第一部分：用字母表
8、示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度 Eg=0.61.0eV 如锗B-器件使用材料的 Eg=1.01.3eV 如硅C -器件使用材料的 Eg1.3eV 如砷化镓D-器件使用材料的 Eg3MHz,Pc1W)A-高频大功率管（f3MHz,Pc1W)T-半导体晶闸管（可控整流器）Y-体效应器件B-雪崩管J-阶跃恢复管CS-场效应管BT-半导体特殊器件FH-复合管PIN-PIN 型管JG-激光器件。4、 第四部分：用数字表示序号。5、 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。例如：3DG18 表示 NPN 型硅材料高频三极管。对于晶体管的电流放大系数，由于晶体管的直流放大系数和交流放大系数近似相等，在实际使用时一般不再区分，都用 表示，也可用 HFE 表示。特别地，为了能直观地表明三极管的放大倍数 , 常在三极管的外壳上标注不同的色标。锗、硅开关管 , 高、低频小功率管 , 硅低频大功率管所用的色标标志如下表所示。 范围 015 1525 2540 4055 5580 80120 120180 180270 270400 400色标 棕 红 橙 黄 绿 蓝 紫 灰 白 黑
