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第5章半导体存储器.ppt

1、微机原理、汇编与接口技术,【基本要求】 掌握常用静态RAM和可擦除和可编程ROM与微型计算机三总线的连接方法。 【重点与难点】 1.存储器的组成结构及引线功能; 2.地址译码与地址分配; 3 存储器与CPU的连接。,5.1,5.2,5.3,存储器概述,常用的存储器芯片,存储器与CPU的接口,第五章 半导体存储器,5.1 存储器概述,存储器是计算机系统中的记忆功能部件,是用来存放程序和数据的硬件装置,5.1.1 存储器的类型,1.按工作时与CPU联系密切程度分为:,主存(内存)直接和CPU交换信息,且按存储单元读/写数据,速度快.辅存(外存)不能直接和CPU交换信息,作主存的外援,存放暂时不执行

2、的程序和数据。容量大,速度慢,2.按存储单元材料分为:,半导体存储器常作主存磁存储器磁带,磁盘光存储器光盘,5.1.1 存储器的类型,3.按存储器读写工作方式分为:,随机存储器(RAM)任何存储单元都能随时读写只读存储器(ROM)联机工作时只能读出不能写入,4.按存储器读写数据的方式分为:,并行存储器:引线多,速度快串行存储器:引线少,连接容易,5.1.2 存储器的性能指标与分级结构,1. 存储器的性能指标,4项:存储容量、存取速度、可靠性、性能价格比存储容量用其存储的二进制位信息量描述,表示为:容量=字数字长.微机中均以字节编址,常表示为:容量=字数8如,486主存8MB=8M*8,5.1.

3、2 存储器的性能指标与分级结构,1. 存储器的性能指标,存取速度是指从CPU给出有效的存储器地址到存储器输入或输出有效数据所需要的时间 对存储器的要求是容量大、速度快、可靠性高、成本低,但在一个存储器中难以全部达到.目前在计算机系统中,采用分级结构,5.1.2 存储器的性能指标与分级结构,2. 存储器的分级结构,目前采用较多的是3级存储器结构,即高速缓冲存储器(Cache)、内存和辅存.,AX,BX,BP,DI Cache 内存 硬盘 U盘,移动硬盘,5.1.2 存储器的性能指标与分级结构,2. 存储器的分级结构,高速缓存CACHE又称快存,由SRAM构成,用来临时存放指令和数据,速度快,容量

4、小内存存放运行期间的大量程序和数据,多由MOS动态随机存储器(DRAM)组成 辅存一般由磁表面存储器构成,用来存放系统程序、大型文件及数据库等,5.1,5.3,存储器概述,常用的存储器芯片,存储器与CPU的接口,第五章 半导体存储器,5.2,5.2 常用的存储器芯片,5.2.1 半导体存储器芯片的结构,存储器芯片的组成,2n *N(bit),n条地址线,N条数据线,双极型RAM主要用在高速微机中.静态RAM不需刷新;功耗大;适宜于 MOS型RAM 存储容量较小的系统中使用 动态RAM需刷新;集成度高;功耗低; 适于构成大容量的存储器系统,常用的静态RAM(SRAM)芯片有:6116、6264、

5、62128、62256,5.2.2 随机读写存储器RAM,如:6116芯片(存储容量2KB)的引线和功能如下,5.2.2 随机读写存储器RAM,如:6264芯片的引线和功能如下,5.2.2 随机读写存储器RAM,掩模ROM内容由厂家在生产过程中按用户要求写 入,用户不可更改 可编程ROM(PROM)内容由用户自行写入,写入 后不可更改 紫外线擦除PROM(EPROM)使用前内容可由用户更改,工作过程中只能读不能再写 电擦除PROM(EEPROM)可随时进行读/写,能长保存信息,断电后不丢失,5.2.2 只读存储器ROM,1.EPROM 常用EPROM以1片2716(2K8)为最基本容量.如:2

6、7324K8,27648K8,2712816K8,2725632K8,右图为2716等只读存储器芯片的引线排列:,5.2.2 只读存储器ROM,2.EEPROM 常用芯片有2816(2K8)、2817(2K8)和2864(8K8). 2816和2864的引线排列与同容量的6116和6264兼容, 2817和2864A的引线排列如图所示:,5.2.2 只读存储器ROM,CE芯片允许信号WE写允许信号OE输出允许信号RDY/BUSY擦写状态信号线. 擦除和写入时,置为高电平;写入完成,置为低电平 2816、2817和2864的主要性能指标:读取时间250ns、写入时间10ns(2816为15ns)

7、、字节擦除时间10ns(2816为15ns)、读操作电压5V、擦写操作电压5V、操作电流110mA,5.2.2 只读存储器ROM,2.EEPROM,3.闪速存储器 闪速存储器芯片为整体电擦除并需要为其提供12V编程电压. 但它的擦除和编程速度高、集成度高、可靠性高、功耗低、价格低,其整体性能优于一般EEPROM,5.2.2 只读存储器ROM,5.1,5.2,存储器概述,常用的存储器芯片,存储器与CPU的接口,第五章 半导体存储器,5.3,在CPU对存储器进行读/写操作时, 首先要由地址总线给出地址, (对象) 然后要发出相应的读/写控制信号,(方式) 最后才能在数据总线上进行信息交换.(传数据

8、)所以,存储器和CPU的连接,有三个部分: (1)地址线的连接; (2)控制线的连接。 (3)数据线的连接;,5.3 存储器与CPU的接口,存储单元(1byte),5.3 存储器与CPU的接口,0 1 2 ,2K-1,单个芯片的接口:以6116(2K*8)芯片为例,CPU,A10A0,D7 D0,CB,6116芯片,若存储器由多个芯片组成,如何连接?,5.3.1 存储器芯片与地址总线的连接,地址译码器从芯片上选出存储单元,称为字选. 字选只要从地址总线的最低位A0开始。把它们与存储器芯片的地址线依次相连即可完成. 而存储器芯片则由地址总线中剩余的高位线来选择,这就是片选,地址线数与存储单元数间

9、的关系为:存储单元=2x(x为地址线数 )如下表所列 地址线数 1 2 3 4 8 9 10 11 12 13 14 15 16 单元数 2 4 8 16 256 512 1K 2K 4K 8K 16K 32K 64K,5.3.1 存储器芯片与地址总线的连接,1.存储器芯片的字选线与地址总线的连接 字选原则是,从地址总线的最低位A0开始,把它们与存储器芯片的地址线依次相连,5.3.1 存储器芯片与地址总线的连接,2.存储器芯片的片选线与地址总线的连接,5.3.1 存储器芯片与地址总线的连接,例:连接容量为4K8的存储器,若用2K8的存储器芯片,共需多少片?共需多少根地址线?几根作字选线?几根作

10、片选线?,共需: (4k*8)/(2k*8) = 2片 总共地址线:4K = 212, 12根 字选线:2K = 211, 11根 片选线:12-11 = 1根,2.存储器芯片的片选线与地址总线的连接,5.3.1 存储器芯片与地址总线的连接,2.存储器芯片的片选线与地址总线的连接,5.3.1 存储器芯片与地址总线的连接,(2)译码法,常用典型译码器:74LS138(3-8译码器),其引线与功能如下图:,例5.1 (P212) 用译码法连接容量为64K8的存储器,若用8K8的存储器芯片,共需多少片?共需多少根地址线?其中几根作字选线?几根作片选线?试用74LS138画出译码电路,并标出其输出线的

11、选址范围.若改用线选法能够组成多大容量的存储器?试写出各线选线的选址范围,5.3.1 存储器芯片与地址总线的连接,64K8/8K8=8, 即共需要8片存储器芯片 64K=65536=216,故组成64K的存储器共需16根地址线 8K=8192=213, 即13根作字选线,选择片内单元 16-13=3, 即3根作片选线 芯片的13根地址线为A12A0,余下的高位地址线是A15A13,所以译码电路 对A15A13进行译码,译 码电路及译码输出线的 选址范围如图所示,5.3.1 存储器芯片与地址总线的连接,若改为线选法: A15A13 3根地址线各选一片8K8的存储器芯片,故仅能组成容量为24K8的

12、存储器 A15、A14和A13所选芯片的地址范围分别为: 6000H7FFFH、A000HBFFFH和C000HDFFFH,5.3.1 存储器芯片与地址总线的连接,共需芯片数 = 总容量 / 芯片容量 2N = 总存储单元数 (N=共需多少地址线) 2Z = 芯片的存储单元数 (Z=字选线的根数) 片选线的根数P = 总地址线N 字选线Z,5.3.1 存储器的字选与片选小结,例:2114(1K4)、6116( 2K8 )和6264( 8K8 )分别组成64K8的存储矩阵,各需多少芯片?地址需要多少位作为片内地址选择端,最少需要多少位地址作为芯片选择端?,5.3.1 存储器的字选与片选小结,类型

13、 芯片 字选 片选128 10 632 11 5 6264 8 13 3,1位、4位和8位的存储器芯片,其数据线分别为1根、2根和8根,在与8088 CPU总线的8根数据线相连时,采用并联方式:1位的存储器芯片,用8片,将每片的数据线依次与数据总线的8根数据线相连,8片的地址相同4位的存储器芯片,用2片,将每片的4根数据线分别与数据总线的高4位和低4位相连,2片的地址相同8位的存储器芯片,则将它的8根数据线分别与8根数据线相连,5.3.2 存储器芯片与数据总线的连接,ROM将芯片的输出允许线OE直接与8088的存储器读信号MEMR相连 RAM将各芯片的输出允许线OE(或RD)并联后与CPU总线

14、的MEMR相连;写允许线WE(或WR)并联后与MEMW相连,5.3.3 存储器芯片与控制总线的连接,例5.2 1K静态RAM的数据线和地址线的连接,1K位存储器芯片,有10241位、2564位和1288位等不同结构.连接包括:数据线连接 地址线连接控制线连接,5.3.4 连接举例,用10241位存储器芯片 8个组成的1K RAM,1024=210,故芯片上地址线为10条 数据线为1条,每一单元相应于一位,故只要把它们分别接到数据总线上的相应位即可,例5.2 1K静态RAM的数据线和地址线的连接,用2564位存储器芯片8个组成的1K RAM,每片2564芯片上有8条地址线, 条数据线. 两片组成

15、一页,将数据扩展为8位. 地址总线上的A0A7字选;A8和A9经过译码,实现片选,例5.2 1K静态RAM的数据线和地址线的连接,例5.3 8K EPROM和4K静态RAM的连接,通常,ROM和RAM的地址要一起考虑.用EPROM 2732和静态RAM 6116组成8K ROM和4K RAM的连接图如下:,8K EPROM和4K RAM按小容量芯片连接如图:,例5.3 8K EPROM和4K静态RAM的连接,8K EPROM和4K RAM的线选连接如图:,例5.3 8K EPROM和4K静态RAM的连接,CPU复位后IP(PC)为0的线选连接如图:,例5.3 8K EPROM和4K静态RAM的连接,

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