1、深爱半导体股份有限公司 技术标准Specification of Sisemi. 编号 NO.： SI.T.S.TC02版号 Ver.： B Page 1 of 2 标题: SIC9552/SIC9553/SIC9554/SIC9555 成品测试规范 SIC9552/SIC9553/SIC9554/SIC9555 Product Testing Specification SIC9552/SIC9553/SIC9554/SIC9555(SOP8,7/DIP8,7)成品测试规范 1、变更记录 版本 修订日期 变更内容 修改 审核 批准 A B 2014-6-16 2016-03-11 初始规范
2、加入变更记录 加入测试系统、程序、测试板说明 加入良率指标及质量检验要求 测试电路改进（加入高压保护，高压放电回路） 合并 TC02A SIC9552 3 4 成品测试规范和 TC03A SIC9555 成品测试规范。 周大伟 周大伟 2、测试程序及测试板： 测试系统： TR6850S QA8T862 测试程序： SIC9552_TR_V20 SIC9552_HB_V20 SIC9553_TR_V20 SIC9553_HB_V20SIC9554_TR_V20 SIC9554_HB_V20 SIC9554_TR_V20 SIC9554_HB_V20DUT 板： DUT board for TR6
3、500S_50118 Qa8TDut05A-M2A LB 板： SIC955X_TR_V20 SIC955X_HB_V20 3、质量检验要求： QA检测按成测标准测试，区间容许误差 1.2时， VST=LV013.2 14.8 V 8 欠压保护阈值 VUVLO LV0加压 15V，测流，记为 IDD1， LV0按 0.2V下降，监测电流 IDD2，当 IDD2/IDD10.8时， VUVLO=LV0 8.2 9.8 V 9 11 MOS 管栅漏电 IGSS 闭合 K7， LV0加压 15V， LV2加压 0V，测流。 100 nA 10 12 VDD工作电压 VDD MV0加压 20V， LV
4、0测压。 15.8 18.2 V 11 13 MOS管内阻 RDSON 闭合 K1， K4， K5， MV0 加压 15V， LV0加压 15V， LV3 采集 DRN 脚电压，求出最小值 LV3min，RDSON=LV3min/(15V-LV3min)/R3） 9552(A) 14 18 9553(A) 8 13 9554(A) 5 9 9555(A) 2 6 12 14 工作频率 FOP 闭合 K1， K4， K5， MV0 加压 15V， LV0 加压 15V， TMU测量振荡频率 FOP。3 6 KHz注：分选机应按测试 BIN 位分档。 如分选机档位不足，按 PASS， OS， PARA 分档 (可分多个档，测试失效数量多的参数分一档，少的可几个参数分一档 )。管脚号 管脚名称 描述 1 GND 地 2 RADJ 开路保护 3 / / 4 VDD 工作电源 5， 6 DRN 输出 MOS 管漏极 7， 8 ISEN 电流采样 批 准 Approval by 审 核 Reviewed by 拟 制 Prepared by 周大伟
