1、只读存储器和闪速存储器,1、只读存储器,1.ROM的分类只读存储器简称ROM，它只能读出，不能写入。它的最大优点是具有不易失性。根据编程方式不同，ROM通常分为三类：,表3.5 ROM的分类,掩模ROM模块组成 掩模ROM的逻辑符号和内部逻辑框图 可编程ROM 1、EPROMEPROM叫做光擦除可编程可读存储器。它的存储内容可以根据需要写入，当需要更新时将原存储内容抹去，再写入新的内容。 现以浮栅雪崩注入型MOS管为存储元的EPROM为例进行说明，结构如下图所示。,2、E2PROM 存储元EEPROM，叫做电擦除可编程只读存储器。其存储元是一个具有两个栅极的NMOS管，如图(a)和(b)所示，
2、G1是控制栅，它是一个浮栅，无引出线；G2是抹去栅，它有引出线。在G1栅和漏极D之间有一小面积的氧化层，其厚度极薄，可产生隧道效应。如图(c)所示，当G2栅加20V正脉冲P1时，通过隧道效应，电子由衬底注入到G1浮栅，相当于存储了“1”。利用此方法可将存储器抹成全“1”状态。,【例3】 CPU的地址总线16根(A15A0，A0为低位)，双向数据总线8根(D7D0)，控制总线中与主存有关的信号有MREQ(允许访存， 低电平有效)，R/W(高电平为读命令，低电平为写命令)。主存地址空间分配如下：08191为系统程序区，由只读存储芯片组成；819232767为用户程序区；最后(最大地址)2K地址空间
3、为系统程序工作区。上述地址为十进制，按字节编址。现有如下存储器芯片：EPROM：8K8位(控制端仅有CS);SRAM：16K1位，2K8位，4K8位，8K8位.请从上述芯片中选择适当芯片设计该计算机主存储器，画出主存储器逻辑框图，注意画出选片逻辑(可选用门电路及38译码器74LS138)与CPU 的连接，说明选哪些存储器芯片，选多少片。,【解】 主存地址空间分布如图所示。根据给定条件，选用EPROM：8K8位芯片1片。SRAM：8K8位芯片3片， 2K8位芯片1片。38译码器仅用Y0，Y1，Y2，Y3和Y7输出端，且对最后的2K8位芯片还需加门电路译码。主存储器的组成与CPU连接逻辑图如下图所
4、示。,图3.24 主存储器组成与CPU的连接逻辑图,2、FLASH存储器,1、FLASH存储元 FLASH存储器也翻译成闪速存储器，它是高密度非失易失性的读/写存储器。高密度意味着它具有巨大比特数目的存储容量。非易失性意味着存放的数据在没有电源的情况下可以长期保存。总之，它既有RAM的优点，又有ROM的优点，称得上是存储技术划时代的进展。,FLASH存储元在EPROM存储元基础上发展起来的，由此可以看出创新与继承的关系。如下图所示为闪速存储器中的存储元，由单个MOS晶体管组成，除漏极D和源极S外，还有一个控制栅和浮空栅。,“0”状态：当控制栅加上足够的正电压时，浮空栅将储存许多电子带负电，这意
5、味着浮空栅上有很多负电荷，这种情况我们定义存储元处于0状态。 “1”状态：如果控制栅不加正电压，浮空栅则只有少许电子或不带电荷，这种情况我们定义为存储元处于1状态。 浮空栅上的电荷量决定了读取操作时，加在栅极上的控制电压能否开启MOS管，并产生从漏极D到源极S的电流。,2、FLASH存储器基本操作 编程操作 实际上是写操作。所有存储元的原始状态均处“1”状态，这是因为擦除操作时控制栅不加正电压。编程操作的目的是为存储元的浮空栅补充电子，从而使存储元改写成“0”状态。如果某存储元仍保持“1”状态，则控制栅就不加正电压。 如图(a)表示编程操作时存储元写0、写1的情况。实际上编程时只写0，不写1，
6、因为存储元擦除后原始状态全为1。要写0，就是要在控制栅C上加正电压。一旦存储元被编程，存储的数据可保持100年之久而无需外电源。,读取操作控制栅加上正电压。浮空栅上的负电荷量将决定是否可以开启MOS晶体管。如果存储元原存1，可认为浮空栅不带负电，控制栅上的正电压足以开启晶体管。如果存储元原存0，可认为浮空栅带负电，控制栅上的正电压不足以克服浮动栅上的负电量，晶体管不能开启导通。 当MOS晶体管开启导通时，电源VD提供从漏极D到源极S的电流。读出电路检测到有电流，表示存储元中存1，若读出电路检测到无电流，表示存储元中存0，如图(b)所示。 擦除操作所有的存储元中浮空栅上的负电荷要全部洩放出去。为此晶体管源极S加上正电压，这与编程操作正好相反，见图(c)所示。源极S上的正电压吸收浮空栅中的电子，从而使全部存储元变成1状态。,3、FLASH存储器的阵列结构FLASH存储器的简化阵列结构如右图所示。在某一时间只有一条行选择线被激活。读操作时，假定某个存储元原存1，那么晶体管导通，与它所在位线接通，有电流通过位线，所经过的负载上产生一个电压降。这个电压降送到比较器的一个输入端，与另一端输入的参照电压做比较，比较器输出一个标志为逻辑1的电平。如果某个存储元原先存0，那么晶体管不导通，位线上没有电流，比较器输出端则产生一个标志为逻辑0的电平。,
