1、1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing) 3. ACCESS：一个：一个 EDA（ Engineering Data Analysis）系统）系统 6. Align mark(key)：对位标记：对位标记 9. Ammonia 氨氨10. Ammonium fluoride 氟化铵氟化铵 11. Ammonium hydroxide 氢氧化铵氢氧化铵12. Amorphous silicon： -Si，非晶硅（不是多晶硅），非晶硅（不是多晶硅） 13. Analog：模拟的：模拟的 14. Angstrom 15. Anisot
2、ropic：各向异性（如：各向异性（如 POLY ETCH 16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受质量标准，在一定采样下，可以：接受质量标准，在一定采样下，可以 95%置信度置信度 通过通过质量标准（不同于可靠性，质量标准（不同于可靠性， 可靠性要求一定时间后的失效率可靠性要求一定时间后的失效率 ）17. ARC(Antireflective coating)：抗反射层（用于：抗反射层（用于 METAL 等层的光刻）等层的光刻）18. Antimony(Sb)锑锑 22. Arsine 24. Aspect ration：形貌比（：形貌比（ ETCH 中的深度
3、、宽度比）中的深度、宽度比） 25. Auto doping：自搀杂（：自搀杂（ 外延时外延时 SUB 的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）外延层） 28. Benchmark：基准：基准 30. Boat：扩散用（石英）舟：扩散用（石英）舟 32. Character window：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。36. CIM： computer-integrated manufacturing 的缩写。用计算机控制和监控制造工艺的一的缩写。
4、用计算机控制和监控制造工艺的一种综合方式。种综合方式。 39. Compensation doping：补偿掺杂。向：补偿掺杂。向 P 型半导体掺入施主杂质或向型半导体掺入施主杂质或向 N 型掺入受主杂质。型掺入受主杂质。40. CMOS： complementary metal oxide semiconductor 的缩写。一种将的缩写。一种将 PMOS 和和 NMOS在同一个硅衬底上混合制造的工艺。在同一个硅衬底上混合制造的工艺。 41. Computer-aided design（ CAD）：计算机辅助设计。）：计算机辅助设计。 42. Conductivity type：传导类型，由
5、多数载流子决定。在：传导类型，由多数载流子决定。在 N 型材料中多数载流子是电子，型材料中多数载流子是电子，在在 P 型材料中多数载流子是空穴。型材料中多数载流子是空穴。 43. Contact：孔。在工艺中通常指孔：孔。在工艺中通常指孔 1，即连接铝和硅的孔。，即连接铝和硅的孔。44. Control chart：控制图。一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。：控制图。一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。45. Correlation：相关性。：相关性。46. Cp：工艺能力，详见：工艺能力，详见 process capability。47. Cpk：工艺能力指
6、数，详见：工艺能力指数，详见 process capability index。 48. Cycle time：圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。：圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。49. Damage：损伤。：损伤。50. Defect density：缺陷密度。单位面积内的缺陷数。：缺陷密度。单位面积内的缺陷数。 51. Depletion implant：耗尽注入：耗尽注入 。一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。（耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。）（耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。
7、） 52. Depletion layer：耗尽层。可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。：耗尽层。可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。“ 53. Depletion width：耗尽宽度。：耗尽宽度。 55. Depth of focus（ DOF）：焦深。）：焦深。 56. design of experiments (DOE)：为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结：为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果的统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验计划。果的统计合理性等目的，所设计的初始工程批试验计划。 58. developer： ）显
8、影设备；）显影设备； ）显影液）显影液 59. diborane (B2H6)：乙硼烷，：乙硼烷，60. dichloromethane (CH2CL2)：二氯甲，一种无色，不可燃，不可爆的：二氯甲，一种无色，不可燃，不可爆的 液体液体 。 61. dichlorosilane (DSC)：二氯甲硅烷，一种可燃，有腐蚀性，无色，在潮湿环境下易水解：二氯甲硅烷，一种可燃，有腐蚀性，无色，在潮湿环境下易水解的物质，常用于硅外延或多晶硅的成长，以及用在沉积二氧化硅、氮化硅时的化学气氛中。的物质，常用于硅外延或多晶硅的成长，以及用在沉积二氧化硅、氮化硅时的化学气氛中。0 62. die：硅片中一个很小
9、的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直：硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。方向上的部分划片槽区域。 63. dielectric： ）介质，一种绝缘材料；）介质，一种绝缘材料； 64. diffused layer：扩散层：扩散层 ，即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中，在临近硅表面的区域，即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中，在临近硅表面的区域形成形成 与衬底材料反型的杂质离子层与衬底材料反型的杂质离子层 。 65. disilane (Si2H6)：乙硅烷，一种无色、无腐蚀性、极易燃的气体，燃烧时能产生高火焰，：乙硅烷，
10、一种无色、无腐蚀性、极易燃的气体，燃烧时能产生高火焰，暴露在空气中会自燃。在生产光电单元时，暴露在空气中会自燃。在生产光电单元时， 乙硅烷常用于沉积多晶硅薄膜乙硅烷常用于沉积多晶硅薄膜 。 66. drive-in 68. effective layer thickness：有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在规定范围内的：有效层厚，指在外延片制造中，载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。硅锭前端的深度。 69. EM： electromigration，电子迁移，指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自，电子迁移，指由通过铝条的电流导致电子沿铝条连线进行的自扩散过程。扩散过程。 7
11、0. epitaxial layer：外延层。：外延层。 75. feature size：特征尺寸，指单个图形的最小物理尺寸。：特征尺寸，指单个图形的最小物理尺寸。 76. field-effect transistor（ FET）：场效应管。包含源、漏、栅、衬四端。）：场效应管。包含源、漏、栅、衬四端。 78. flat：平边：平边 79. flatband capacitanse：平带电容：平带电容 80. flatband voltage：平带电压：平带电压 81. flow coefficicent：流动系数：流动系数 82. flow velocity：流速计：流速计 83. fl
12、ow volume：流量计：流量计 , 84. flux：单位时间内流过给定面积的颗粒数：单位时间内流过给定面积的颗粒数 85. forbidden energy gap：禁带：禁带 86. four-point probe：四点探针台：四点探针台 87. functional area：功能区：功能区 89. glass transition temperature：玻璃态转换温度：玻璃态转换温度90. gowning：净化服：净化服 91. gray area：灰区：灰区 92. grazing incidence interferometer：切线入射干涉仪：切线入射干涉仪 93. ha
13、rd bake：后烘：后烘 94. heteroepitaxy：单晶长在不同材料的衬底上的外延方法：单晶长在不同材料的衬底上的外延方法 95. high-current implanter：束电流大于：束电流大于 3ma 的注入方式，用于批量生产的注入方式，用于批量生产 96. hign-efficiency particulate air(HEPA) filter：高效率空气颗粒过滤器，去掉：高效率空气颗粒过滤器，去掉 99.97%的大的大于于 0.3um 的颗粒的颗粒 ! 97. host：主机：主机 98. hot carriers：热载流子：热载流子 99. hydrophilic：亲
14、水性：亲水性 100. hydrophobic：疏水性：疏水性 101. impurity：杂质：杂质 . 掺杂掺杂102. inductive coupled plasma(ICP)：感应等离子体：感应等离子体 103. inert gas：惰性气体：惰性气体 104. initial oxide：一氧：一氧 105. insulator：绝缘：绝缘 106. isolated line：隔离线：隔离线 109. junction : 结结 110. junction spiking n :铝穿刺铝穿刺 111. kerf :划片槽划片槽 113. lithography n 制版制版 11
15、4. maintainability, equipment : 设备产能设备产能116. majority carrier n :多数载流子多数载流子 117. masks, device series of n : 一成套光刻版一成套光刻版 118. material n :原料原料 119. matrix n 1 :矩阵矩阵 120. mean n : 平均值平均值 122. median n :中间值中间值 123. memory n : 记忆体记忆体125. nanometer (nm) n ：纳米：纳米 126. nanosecond (ns) n ：纳秒：纳秒 127. nitri
16、de etch n ：氮化物刻蚀：氮化物刻蚀 130. ohms per square n：欧姆每平方：欧姆每平方 : 方块电阻方块电阻 131. orientation n： 晶向，一组晶列所指的方向晶向，一组晶列所指的方向 132. overlap n ： 交迭区交迭区 134. phosphorus (P) n ：磷：磷 ，一种有毒的非金属元素，一种有毒的非金属元素 135. photomask n ：光刻版，用于光刻的版：光刻版，用于光刻的版 136. photomask, negative n：反刻：反刻 137. images：去掉图形区域的版：去掉图形区域的版 138. phot
17、omask, positive n：正刻：正刻 139. pilot n ：先行批，用以验证该工艺是否符合规格的片子：先行批，用以验证该工艺是否符合规格的片子 142. plasma-enhanced TEOS oxide deposition n： TEOS 淀积，淀积淀积，淀积 TEOS 的一种工艺的一种工艺 143. pn junction n： pn 结结 144. pocked bead n：麻点，在：麻点，在 20X 下观察到的吸附在低压表面的水珠下观察到的吸附在低压表面的水珠 145. polarization n：偏振，描述电磁波下电场矢量方向的术语：偏振，描述电磁波下电场矢量
18、方向的术语 146. polycide n：多晶硅：多晶硅 /金属硅化物，金属硅化物， 解决高阻的复合栅结构解决高阻的复合栅结构 147. polycrystalline silicon (poly) n：多晶硅，高浓度掺杂（：多晶硅，高浓度掺杂（ 5E19）的硅，能导电。）的硅，能导电。148. polymorphism n：多态现象，多晶形成一种化合物以至少两种不同的形态结晶的现象：多态现象，多晶形成一种化合物以至少两种不同的形态结晶的现象 149. prober n :探针。在集成电路的电流测试中使用的一种设备，用以连接圆片和检测设备。探针。在集成电路的电流测试中使用的一种设备，用以连接
19、圆片和检测设备。150. process control n :过程控制过程控制 。半导体制造过程中，对设备或产品规范的控制能力。半导体制造过程中，对设备或产品规范的控制能力。 151. proximity X-ray n :近近 X 射线：一种光刻技术，用射线：一种光刻技术，用 X 射线照射置于光刻胶上方的掩射线照射置于光刻胶上方的掩 膜膜版，从而使对应的光刻胶暴光。版，从而使对应的光刻胶暴光。152. pure water n : 纯水。半导体生产中所用之水。纯水。半导体生产中所用之水。153. quantum device n :量子设备。一种电子设备结构，其特性源于电子的波动性。量子设
20、备。一种电子设备结构，其特性源于电子的波动性。 154. quartz carrier n :石英舟。石英舟。155. random access memory (RAM) n :随机存储器。随机存储器。156. random logic device n :随机逻辑器件。随机逻辑器件。157. rapid thermal processing (RTP) n :快速热处理快速热处理 (RTP)。 159. reactor n :反应腔。反应进行的密封隔离腔。反应腔。反应进行的密封隔离腔。 162. scanning electron microscope (SEM) n :电子显微镜电子显微
21、镜 (SEM)。 163. scheduled downtime n : (设备设备 )预定停工时间。预定停工时间。 164. Schottky barrier diodes n :肖特基二极管。肖特基二极管。 165. scribe line n :划片槽。划片槽。 166. sacrificial etchback n :牺牲腐蚀。牺牲腐蚀。168. sheet resistance (Rs) (or per square) n :薄层电阻。用以衡量半导体表面杂质掺杂水平。薄层电阻。用以衡量半导体表面杂质掺杂水平。169. side load: 边缘载荷，被弯曲后产生的应力。边缘载荷，被弯
22、曲后产生的应力。 170. silicon on sapphire(SOS)epitaxial wafer:外延是蓝宝石衬底硅的原片外延是蓝宝石衬底硅的原片 171. small scale integration(SSI):小规模综合，在单一模块上由小规模综合，在单一模块上由 2 到到 10 个图案的布局。个图案的布局。 172. source code:原代码原代码173. spectral line: 光谱线，光谱镊制机或分光计在焦平面上捕捉到的狭长状的图形。光谱线，光谱镊制机或分光计在焦平面上捕捉到的狭长状的图形。 174. spin webbing: 旋转带，在旋转过程中在下表面形成
23、的细丝状的剩余物。旋转带，在旋转过程中在下表面形成的细丝状的剩余物。 (176. stacking fault:堆垛层错，原子普通堆积规律的背离产生的堆垛层错，原子普通堆积规律的背离产生的 2 次空间错误。次空间错误。 177. steam bath:蒸汽浴，一个大气压下，流动蒸汽或其他温度热源的暴光。蒸汽浴，一个大气压下，流动蒸汽或其他温度热源的暴光。 178. step response time:瞬态特性时间，大多数流量控制器实验中，普通变化时段到气流刚瞬态特性时间，大多数流量控制器实验中，普通变化时段到气流刚 到达特定地带的那个时刻之间的时间。到达特定地带的那个时刻之间的时间。 179
24、. stepper: 步进光刻机（按步进光刻机（按 BLOCK 来曝光）来曝光） 180. stress test: 应力测试，包括特定的电压、温度、湿度条件。应力测试，包括特定的电压、温度、湿度条件。 181. surface profile:表面轮廓，指与原片表面垂直的平面的轮廓（没有特指的情况下）。表面轮廓，指与原片表面垂直的平面的轮廓（没有特指的情况下）。 , - 182. symptom:征兆，人员感觉到在一定条件下产生变化的弊病的主观认识。征兆，人员感觉到在一定条件下产生变化的弊病的主观认识。183. tack weld:间断焊，通常在角落上寻找预先有的地点进行的点焊（用于连接盖子
25、）。间断焊，通常在角落上寻找预先有的地点进行的点焊（用于连接盖子）。 184. Taylor tray:泰勒盘，褐拈土组成的高膨胀物质。泰勒盘，褐拈土组成的高膨胀物质。185. temperature cycling:温度周期变化，测量出的重复出现相类似的高低温循环。温度周期变化，测量出的重复出现相类似的高低温循环。 186. testability:易测性，对于一个已给电路来说，哪些测试是适用它的。易测性，对于一个已给电路来说，哪些测试是适用它的。187. thermal deposition:热沉积，在超过热沉积，在超过 950 度的高温下，硅片引入化学掺杂物的过程。度的高温下，硅片引入化
26、学掺杂物的过程。 189. titanium(Ti): 钛。钛。 190. toluene(C6H5CH3): 甲苯。有毒、无色易燃的液体，它不溶于水但溶于酒精和大气。甲苯。有毒、无色易燃的液体，它不溶于水但溶于酒精和大气。 191. 1,1,1-trichloroethane(TCA)(CL3CCH3): 有毒、不易燃、有刺激性气味的液态溶剂。有毒、不易燃、有刺激性气味的液态溶剂。这种混合物不溶于水但溶于酒精和大气。这种混合物不溶于水但溶于酒精和大气。 193. tungsten hexafluoride(WF6): 氟化钨。无色无味的气体或者是淡黄色液体。在氟化钨。无色无味的气体或者是淡黄
27、色液体。在 CVD中中 WF6 用于淀积硅化物，也可用于钨传导的薄膜。用于淀积硅化物，也可用于钨传导的薄膜。 194. tinning: 金属性表面覆盖焊点的薄层。金属性表面覆盖焊点的薄层。 195. total fixed charge density(Nth): 下列是硅表面不可动电荷密度的总和：氧化层固定电下列是硅表面不可动电荷密度的总和：氧化层固定电荷密度荷密度 (Nf)、氧化层俘获的电荷的密度、氧化层俘获的电荷的密度 (Not)、界面负获得电荷密度、界面负获得电荷密度 (Nit)。196. watt(W): 瓦。能量单位。瓦。能量单位。 197. wafer flat: 从晶片的一面
28、直接切下去，用于表明自由载流子的导电类型和晶体表面的从晶片的一面直接切下去，用于表明自由载流子的导电类型和晶体表面的晶向，也可用于在处理和雕合过程中的排列晶片。晶向，也可用于在处理和雕合过程中的排列晶片。 203. window: 在隔离晶片中，允许上下两层实现电连接的绝缘的通道。在隔离晶片中，允许上下两层实现电连接的绝缘的通道。 205. vapor pressure: 当固体或液体处于平衡态时自己拥有的蒸汽所施加的压力。蒸汽压力当固体或液体处于平衡态时自己拥有的蒸汽所施加的压力。蒸汽压力是与物质和温度有关的函数。是与物质和温度有关的函数。207. transition metals: 过渡
29、金属过渡金属 PAC 感光化合物感光化合物 ASIC 特殊应用集成电路特殊应用集成电路 Solvent 溶剂溶剂 : Carbide 碳碳 Refractive 折射折射 Expansion 膨胀膨胀 TM: top mental 顶层金属层顶层金属层 WEE 周边曝光周边曝光 POD 装晶舟和晶片的盒子装晶舟和晶片的盒子 Reticle 光罩光罩 Spin 旋转旋转 A/D 军军 Analog.Digital, 模拟模拟 /数字数字 AC Magnitude 交流幅度交流幅度 AC Phase 交流相位交流相位 Accuracy 精度精度 “Activity Model Activity M
30、odel“ 活动模型活动模型 Additive Process 加成工艺加成工艺 Adhesion 附着力附着力 Aggressor 干扰源干扰源 Analog Source 模拟源模拟源 AOI,Automated Optical Inspection 自动光学检查自动光学检查 Assembly Variant 不同的装配版本输出不同的装配版本输出 Attributes 属性属性 AXI,Automated X-ray Inspection 自动自动 X 光检查光检查 BIST,Built-in Self Test 内建的自测试内建的自测试 Bus Route 总线布线总线布线 Circui
31、t 电路基准电路基准 . circuit diagram 电路图电路图 Clementine 专用共形开线设计专用共形开线设计 Cluster Placement 簇布局簇布局 CM 合约制造商合约制造商 Common Impedance 共模阻抗共模阻抗 Concurrent 并行设计并行设计 Constant Source 恒压源恒压源 Cooper Pour 智能覆铜智能覆铜 Crosstalk 串扰串扰CVT,Component Verification and Tracking 元件确认与跟踪元件确认与跟踪 DC Magnitude 直流幅度直流幅度 Delays 延时延时 Desi
32、gn for Testing 可测试性设计可测试性设计 Designator 标识标识 DFC, Design for Cost 面向成本的设计面向成本的设计 DFM, Design for Manufacturing 面向制造过程的设计面向制造过程的设计 DFR, Design for Reliability 面向可靠性的设计面向可靠性的设计 DFT, Design for Test 面向测试的设计面向测试的设计 DFX, Design for X 面向产品的整个生命周期或某个环节的设计面向产品的整个生命周期或某个环节的设计 DSM, Dynamic Setup Management 动态设
33、定管理动态设定管理 Dynamic Route 动态布线动态布线 EDIF,The Electronic Design Interchange Format 电子设计交互格式电子设计交互格式 EIA,Electronic Industries Association 电子工业协会电子工业协会 Electro Dynamic Check 动态电性能分析动态电性能分析 Electromagnetic Disturbance 电磁干扰电磁干扰 Electromagnetic Noise 电磁噪声电磁噪声EMC, Elctromagnetic Compatibilt 电磁兼容电磁兼容 EMI, Ele
34、ctromagnetic Interference 电磁干扰电磁干扰 Emulation 硬件仿真硬件仿真 Engineering Change Order 原理图与原理图与 PCB 版图的自动对应修改版图的自动对应修改 Ensemble 多层平面电磁场仿真多层平面电磁场仿真ESD 静电释放静电释放 Fall Time 下降时间下降时间 False Clocking 假时钟假时钟 FEP 氟化乙丙烯氟化乙丙烯 FFT,Fast Fourier Transform 快速傅里叶变换快速傅里叶变换 Float License 网络浮动网络浮动 Frequency Domain 频域频域 Gaussi
35、an Distribution 高斯分布高斯分布 Global flducial 板基准板基准 Ground Bounce 地弹反射地弹反射 GUI, Graphical User Interface 图形用户界面图形用户界面 Harmonica 射频微波电路仿真射频微波电路仿真 HFSS 三维高频结构电磁场仿真三维高频结构电磁场仿真 IBIS, Input/Output Buffer Information Specification 模型模型 ICAM, Integrated Computer Aided Manufacturing 在在 ECCE 项目里就是指制作项目里就是指制作 PCB
36、 $IEEE, The Institute of Electrical and Electronic Engineers 国际电气和电子工程师协会国际电气和电子工程师协会IGES, Initial Graphics Exchange Specification 三维立体几何模型和工程描述的标准三维立体几何模型和工程描述的标准 Image Fiducial 电路基准电路基准Impedance 阻抗阻抗 ! In-Circuit-Test 在线测试在线测试 Initial Voltage 初始电压初始电压 Input Rise Time 输入跃升时间输入跃升时间 IPC,The Institute
37、 for Packaging and Interconnect 封装与互连协会封装与互连协会 IPO,Interactive Process Optimizaton 交互过程优化交互过程优化 * ISO,The International Standards Organization 国际标准化组织国际标准化组织 Jumper 跳线跳线 Linear Design Suit 线性设计软件包线性设计软件包 Local Fiducial 个别基准个别基准manufacturing 制造业制造业 MCMs,Multi-Chip Modules 多芯片组件多芯片组件 MDE,Maxwell Desig
38、n Environment Nonlinear Design Suit 非线性设计软件包非线性设计软件包 ODB+ Open Data Base 公开数据库公开数据库 OEM 原设备制造商原设备制造商 OLE Automation 目标连接与嵌入目标连接与嵌入 On-line DRC 在线设计规则检查在线设计规则检查 Optimetrics 优化和参数扫描优化和参数扫描Overshoot 过冲过冲 Panel fiducial 板基准板基准 PCB PC Board Layout Tools 电路板布局布线电路板布局布线 PCB, Printed Circuit Board 印制电路板印制电路
39、板 Period 周期周期 Periodic Pulse Source 周期脉冲源周期脉冲源 Physical Design Reuse 物理设计可重复物理设计可重复PI,Power Integrity 电源完整性电源完整性 Piece-Wise-linear Source 分段线性源分段线性源 Preview 输出预览输出预览 Pulse Width 脉冲宽度脉冲宽度 Pulsed Voltage 脉冲电压脉冲电压Quiescent Line 静态线静态线Radial Array Placement 极坐标方式的元件布局极坐标方式的元件布局 Reflection 反射反射 Reuse 实现设
40、计重用实现设计重用 Rise Time 上升时上升时 间间 Rnging 振荡振荡 ,信号的振铃信号的振铃 Rounding 环绕振荡环绕振荡 Rules Driven 规则驱动设计规则驱动设计Sax Basic Engine 设计系统中嵌入设计系统中嵌入SDE,Serenade Design Environment SDT,Schematic Design Tools 电路原理设计工具电路原理设计工具Settling Time 建立时间建立时间 Shape Base 以外形为基础的无网格布线以外形为基础的无网格布线 Shove 元器件的推挤布局元器件的推挤布局 SI,Signal Integ
41、rity 信号完整性信号完整性 Simulation 软件仿真软件仿真Sketch 草图法布线草图法布线 Skew 偏移偏移 Slew Rate 斜率斜率 SPC,Statictical Process Control 统计过程控制统计过程控制 SPI,Signal-Power Integrity 将信号完整性和电源完整性集成于一体的分析工具将信号完整性和电源完整性集成于一体的分析工具 SPICE,Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis 集成电路模拟的仿真程序集成电路模拟的仿真程序 / Split/Mixed Layer 多电源多
42、电源 /地线的自动分隔地线的自动分隔 SSO 同步交换同步交换 STEP,Standard for the Exchange of Product Model Data Symphony 系统仿真系统仿真 Time domain 时域时域 Timestep Setting 步进时间设置步进时间设置 . UHDL,VHSIC Hardware Description Language 硬件描述语言硬件描述语言 Undershoot 下冲下冲Uniform Distribution 均匀分布均匀分布 Variant 派生派生 VIA-Vendor Integration Alliance 程序框架
43、联盟程序框架联盟 Victim 被干扰对象被干扰对象 Virtual System Prototype 虚拟系统原型虚拟系统原型VST,Verfication and Simulation Tools 验证和仿真工具验证和仿真工具 Wizard 智能建库工具智能建库工具 ,向导向导 2. 专业术语专业术语 术语术语 英文意义英文意义 中文解释中文解释 LCD Liquid Crystal Display 液晶显示液晶显示 LCM Liquid Crystal Module 液晶模块液晶模块 TN Twisted Nematic 扭曲向列。液晶分子的扭曲取向偏转扭曲向列。液晶分子的扭曲取向偏转
44、90 度度 STN Super Twisted Nematic 超级扭曲向列。约超级扭曲向列。约 180 270 度扭曲向列度扭曲向列 FSTN Formulated Super Twisted Nematic 格式化超级扭曲向列。一层光程补偿偏甲于格式化超级扭曲向列。一层光程补偿偏甲于STN，用于单色显示，用于单色显示 TFT Thin Film Transistor 薄膜晶体管薄膜晶体管 Backlight - 背光背光Inverter - 逆变器逆变器 OSD On Screen Display 在屏上显示在屏上显示 DVI Digital Visual Interface （ VGA）
45、数字接口）数字接口 TMDS Transition Minimized Differential Singnaling LVDS Low Voltage Differential Signaling 低压差分信号低压差分信号Panelink - TCP Tape Carrier Package 柔性线路板柔性线路板 COB Chip On Board 通过绑定将通过绑定将 IC 裸偏固定于印刷线路板上裸偏固定于印刷线路板上 COF Chip On FPC 将将 IC 固定于柔性线路板上固定于柔性线路板上COG Chip On Glass 将芯偏固定于玻璃上将芯偏固定于玻璃上 Duty - 占空
46、比，高出点亮的阀值电压的部分在一个周期中所占的比率占空比，高出点亮的阀值电压的部分在一个周期中所占的比率 EL Elextro Luminescence 电致发光。电致发光。 EL 层由高分子量薄片构成层由高分子量薄片构成 CCFL(CCFT) Cold Cathode Fluorescent Light/Tude 冷阴极荧光灯冷阴极荧光灯 PDP Plasma Display Panel 等离子显示屏等离子显示屏CRT Cathode Radial Tude 阴极射线管阴极射线管 VGA Video Graphic Anay 视频图形陈列视频图形陈列 PCB Printed Circuit
47、Board 印刷电路板印刷电路板Composite video - 复合视频复合视频 component video - 分量视频分量视频 S-video - S 端子，与复合视频信号比，将对比和颜色分离传输端子，与复合视频信号比，将对比和颜色分离传输 NTSC National Television Systems Committee NTSC 制式。全国电视系统委员会制式制式。全国电视系统委员会制式 Phase Alrernating Line PAL 制式（逐行倒相制式）制式（逐行倒相制式）SEquential Couleur Avec Memoire SECAM 制式（顺序与存储彩色电
48、视系统）制式（顺序与存储彩色电视系统） Video On Demand 视频点播视频点播 DPI Dot Per Inch 点每英寸点每英寸 . 3. A.M.U 原子质量数原子质量数 4. ADI After develop inspection 显影后检视显影后检视6. Alignment 排成一直线，对平排成一直线，对平7. Alloy 融合：电压与电流成线性关系，降低接触的阻值融合：电压与电流成线性关系，降低接触的阻值 8. ARC： anti-reflect coating 防反射层防反射层 10. ASI 光阻去除后检查光阻去除后检查 13. Beam-Current 电子束电流电
49、子束电流 15. Break 中断，中断， stepper 机台内中途停止键机台内中途停止键 20. Child lot 子批子批 21. Chip (die) 晶粒晶粒 23. Coater 光阻覆盖（机台）光阻覆盖（机台） 25. Contact Hole 接触窗接触窗 26. Control Wafer 控片控片 27. Critical layer 重要层重要层29. Cycle time 生产周期生产周期 32. Descum 预处理预处理 35. DG: dual gate 双门双门 38. Doping 掺杂掺杂 39. Dose 剂量剂量 9 40. Downgrade 降级降级 41. DRC: design rule check 设计规则检查设计规则检查 48. ESD: electrostatic discharge/electrostatic damage 静电离子损伤静电离子损伤 53. FIB: focused ion beam 聚焦离子束聚焦离子束 55. Flatness 平坦度平坦度 57. Foundry 代工代工58. FSG: 含有氟的硅玻璃含有氟的硅玻璃 ,59. Furnace 炉管炉管 60. GOI gate oxide in
