1、 聚积科 技 2015 台湾新竹 市埔 顶路 18 号 6F 之 4 电话：+886-3-579-0068 传真 ：+886-3-579-7534 E-mail: .tw - 1 - 1 安培，可调光降压式 LED 驱动芯片 2015 年 4 月, V1.00初始规格 书 MB6656特色 产品说明 应用 招牌与户 外装 饰照明 高功率LED 照 明应用 恒流照明 源 MBI6656 为 高效率、 恒电 流、 降压 型直 流对直流 输换 器， 仅须 透 过 5 个外接 组 件即可为 大电 流的 LED 照 明提供稳 定之 电流。MBI6656 的 Hysteretic PFM 模 式操作无 须
2、额 外补偿器 设计 ，可简化 电路 设计。 MBI6656 的 输出电流 可透 过不同阻 值的 外接电阻 来调 整输出电 流大 小，也可 利 用脉宽调 变(Pulse Width Modulation, PWM) 来进行 调 光控制。 此外 ，MBI6656 也提供了 模拟 调光，让 用户 可以透过 直流 电压调变(DC voltage controlled) 得到 高效率且 高线 性度的电 流输 出。 MBI6656 的特色还包括一系列完整的芯片保护装置。启动过流保护装置 (Start-Up) 功能可限制芯片因电源启动时所产生的突波电流。欠压锁定(UVLO) 装置、过 热断 电装置(TP)
3、和 过电流(OCP) 装置可确 保系 统稳定度 ， 且 LED 开路 与短路保 护机 制也可避 免芯 片在不正 常运 作的情况 下损 毁。MBI6656 目前除 了 提供 SOT-23-6L 小 封装之 外，还提 供了 散热性佳的 SOT-89-5L 、SOP-8L 和 TO-252-5L 封 装方便使 用者 选择。 输入电压 范围640 伏特 最大1安培 输出 恒 流 支持数字/ 模 拟调光 使用Hysteretic PFM 操作， 无须额外 补偿 设计 内建0.3 导 通电阻的 功率 开关减少 空间 与降低成 本 全方位保 护包 括：过热 保护 、欠压锁 定保 护(Under Voltag
4、e Lock Out, UVLO) 、 启 动 过电流(Start-Up)、 输 出过电 流(OCP) 、LED 开 路与短 路保护 仅须安装5 个 外部组件 即可 完成设计 封装湿度 敏感 等级:3 Small Outline Transistor GST: SOT-23-6L GSB: SOT-89-5L Small Outline Package GD: SOP8L-150-1.27 Surface Mount Device GSD: TO-252-5L 2015 年 4 月, V1.00 - 2 - 1 安培，可调光降压式 LED 驱动芯片 MBI6656 应用电路图 图1. MBI6
5、656 应用电路 图 功能方块图 DIM VCCA VCCA VCCD Dim TSD OCP PWM/Analog Dimming Ref Vref VCCD VCCA OCP Over-Current Protection TS D Thermal Shutdown Blanking GATE Driver UVLO Under Voltage Lock Out Linear- Regulator LV-Bandgap IV Reference VIN SEN SW GND图2. MBI6656 功能方块 图 2015 年 4 月, V1.00 - 3 - 1 安培，可调光降压式 LED
6、驱动芯片 MBI6656 脚位图 MBI6656GSD ( 俯视 图) MBI6656GST ( 俯视图) MBI6656GSB ( 俯视图) MBI6656GD ( 俯视图) 脚位说明 * 为了减 少噪 声干扰， 建议 将散热片 与 PCB 上的 GND 连接 。 此外，PCB 上 作 为热传导 用途 的铜导线 上焊 接散热片 ， 热传导功 能将 可改善。 脚位名称 功能 GND 接地端 SW 开关输出 端 DIM 数字/ 模拟调 光控制端 。透 过输入脉 宽调 变(PWM) 讯 号 或直接输 入直 流电压做 亮度 调变 SEN 输出电流 感应 端 VIN 电源电压 端 Thermal Pa
7、d 与 GND* 连接 的散热端 2015 年 4 月, V1.00 - 4 - 1 安培，可调光降压式 LED 驱动芯片 MBI6656 最大限定范围 超过最大 限定 范围内工 作， 将会损坏 芯片 运作。操 作在 建议电压 至最 大限定范 围时 会降低其 稳定 度。 特性 代表符号 最大工作范围 单位 电源电压 V IN045 V DIM 脚位的 耐受电压 V DIM-0.345 V SW 脚位的 耐 受电压 V SW-0.345 V SEN 脚位的 耐受电压 V SEN-0.345 V 消耗功率 ( 在四层 印刷 电路板上 ，Ta=25C) GSD 封装 P D3.80 W 热阻值 (
8、在四层 印刷 电路板上 的仿 真值)* R th(j-a)32.9 C/W 消耗功率 ( 在四层 印刷 电路板上 ，Ta=25C) GST 封装 P D0.51 W 热阻值 ( 在四层 印刷 电路板上 的仿 真值)* R th(j-a)244.0 C/W 消耗功率 ( 在四层 印刷 电路板上 ，Ta=25C) GSB 封装 P D1.77 W 热阻值 ( 在印刷 电路 板上的实 测值)* R th(j-a)70.8 C/W 消耗功率 ( 在四层 印刷 电路板上 ，Ta=25C) GD 封装 P D1.49 W 热阻值 ( 在印刷 电路 板上的实 测值)* R th(j-a)84.0 C/W 接
9、合点温度 T j , max150* C 芯片工作时 的环境温 度 T opr-40+85 C 芯片储存时 的环境温 度 T stg -55+150 C 静电量测 人体静电 模式 (MIL-STD-883G Method 3015.8) HBM Class 3A (5KV) - 机器静电 模式 (ANSI/ ESD S5.2-2009) MM Class M4 (400V) - * 仿真时 ，PCB 尺寸为76.2mm*114.3mm ；参考JEDEC JESD51-7 标准。 * 量测时 ，PCB 面积 为芯 片的4 倍 大， 且量测实 测热 阻时无外 加散 热片；参 考JEDEC JESD
10、51-3 标准 。 * 此为 最大 限定范围 值， 并非芯片 工作 时温度， 越 接 近此最大 范围 值操作， 芯 片 的寿命越 短、 可靠度越 低； 超过此 最 大限定范 围工 作时，将 会影 响芯片运 作并 造成毁损 ，因 此建议的 芯片 工作温度(T opr ) 在125C以内。 注： 散热 表现 是与散热 片面 积、PCB 层 数 与厚度相 关。 实测热阻 值会 与仿真值 有所 不同。 使 用者 应根据所 欲达 到的散 热表现， 选择 合适的封 装与PCB 布局， 以 增加散热 能力 。 2015 年 4 月, V1.00 - 5 - 1 安培，可调光降压式 LED 驱动芯片 MBI6
11、656 直流特性 除非特别 指明 ，测量条 件 为 V IN =12V, V OUT =3.6V, L 1 =68 H, C IN =C OUT =10 F, T A =25C 。 特性 代表符号 测量条件 最小值 一般值 最大值 单位 输入与输出 电源电压 V IN- 6 - 40 V 供给电流 I INV IN =6V40V - - 2 mA 启动电压 V SU- - 5.4 - V 欠压锁定 电压 V UVLO- - 5.3 - V 磁滞控制 SEN 脚 平均电 压 V SENSE- 95 100 105 mV SEN 脚平 均 电压磁滞 范围 V SENSE,HYS- - 15 - %
12、 内部传送 延迟 时间 T PD- 100 200 320 ns MOS 开关 开关导通 电阻 R ds(on)V IN =12V - 0.3 0.4 最短开启 时间* T ON,min- - 300 - ns 最短关闭 时间* T OFF,min- - 300 - ns SW 工 作周期 建议的范 围* D sw- 20 - 80 % 最大操作 频率 Freq Max - 40 - 1000 kHz 过热保护 过热保护 关闭 值* T SD- 145 165 175 C 过热保护 关闭 之磁滞范 围* T SD-HYS- 20 30 40 C 数字调光控制 DIM 脚输 入 电压 高电位位
13、准 V IH- 2.5 - 40 V 低电位位 准 V IL- - - 0.3 V 运用在 DIM 脚的 PWM 讯 号工作周 期范 围 Duty PWMPWM 频率: 1kHz 0 - 100 % 模拟调光控制 模拟调光 输入 箝制电压 V DIM.CLAMP- 2.5 - V 模拟调光 输入 关闭电压 V DIM. SWOFF- 0.3 - V 过电流保护 过电流保 护关 闭值* OCP - - 2.5 - A * 此值仅 经设 计验证确 认并 未经量产 程序 检验。 2015 年 4 月, V1.00 - 6 - 1 安培，可调光降压式 LED 驱动芯片 MBI6656 典型表特性 1.
14、 效率 vs. 不同输入端电压LED 串联颗数 70 75 80 85 90 95 100 61 21 82 43 03 64 2 Efficiency, % Input Voltage, V R SEN = 0.1 L 1 = 22 H C IN = C OUT = 10 F 1-LED 2-LED 3-LED 4-LED 5-LED 6-LED 7-LED70 75 80 85 90 95 100 61 21 82 43 03 64 2 Efficiency, % Input Voltage, V R SEN = 0.1 L 1 = 100 H C IN = C OUT = 10 F 1-
15、LED 2-LED 3-LED 4-LED 5-LED 6-LED 7-LED(a) L 1= 2 2 u H ( b ) L 1= 100uH 图3. 效率 vs. 输入端电压 I OUT= 1A 70 75 80 85 90 95 100 61 21 82 43 03 64 2 Efficiency, % Input Voltage, V R SEN = 0.14 L 1 = 22 H C IN = C OUT = 10 F 1-LED 2-LED 3-LED 4-LED 5-LED 6-LED 7-LED 70 75 80 85 90 95 100 61 21 82 43 03 64 2
16、 Efficiency, % Input Voltage, V R SEN = 0.14 L 1 = 100 H C IN = C OUT = 10 F 1-LED 2-LED 3-LED 4-LED 5-LED 6-LED 7-LED(a) L 1= 2 2 u H ( b ) L 1= 100uH 图4. 效率 vs. 输入端电压 I OUT= 700mA 70 75 80 85 90 95 100 61 21 82 43 03 64 2 Efficiency, % Input Voltage, V R SEN = 0.28 L 1 = 100 H C IN = C OUT = 10 F
17、1-LED 2-LED 3-LED 4-LED 5-LED 6-LED 7-LED 70 75 80 85 90 95 100 61 21 82 43 03 64 2 Efficiency, % Input Voltage, V R SEN = 0.28 L 1 = 220 H C IN = C OUT = 10 F 1-LED 2-LED 3-LED 4-LED 5-LED 6-LED 7-LED(a) L 1= 1 0 0 u H ( b ) L 1= 220uH 图5. 效率 vs. 输入端电压 I OUT= 350mA 2015 年 4 月, V1.00 - 7 - 1 安培，可调光降
18、压式 LED 驱动芯片 MBI6656 2. 输出端电流 vs. 输入端电压在不同LED 串联颗数 980 1000 1020 1040 1060 61 21 82 43 03 64 2 Output Current, mA Input Voltage, V R SEN = 0.1 L 1 = 22 H C IN = C OUT = 10 F 1-LED 2-LED 3-LED 4-LED 5-LED 6-LED 7-LED 1000 1010 1020 1030 1040 61 21 82 43 03 64 2 Output Current, mA Input Voltage, V 6-LE
19、D 5-LED R SEN = 0.1 L 1 = 100 H C IN = C OUT = 10 F 1-LED 2-LED 3-LED 4-LED 7-LED(a) L 1= 2 2 u H ( b ) L 1= 100uH 图6. 输出端 电流 vs. 输入端电压 I OUT= 1A 700 720 740 760 780 61 21 82 43 03 64 2 Output Current, mA Input Voltage, V R SEN = 0.14 L 1 = 22 H C IN = C OUT = 10 F 1-LED 2-LED 3-LED 4-LED 5-LED 6-LE
20、D 7-LED710 715 720 725 730 61 21 82 43 03 64 2 Output Current, mA Input Voltage, V R SEN = 0.14 L 1 = 100 H C IN = C OUT = 10 F 1-LED 2-LED 3-LED 5-LED 6-LED 7-LED 4-LED(a) L 1= 2 2 u H ( b ) L 1= 100uH 图7. 输出端 电流 vs. 输入端电压 I OUT= 700mA 330 340 350 360 61 21 82 43 03 64 2 Output Current, mA Input Vo
21、ltage, V R SEN = 0.28 L 1 = 100 H C IN = C OUT = 10 F 1-LED 2-LED 3-LED 4-LED 5-LED 6-LED 7-LED 340 345 350 355 360 61 21 82 43 03 64 2 Output Current, mA Input Voltage, V R SEN = 0.28 L 1 = 220 H C IN = C OUT = 10 F 1-LED 2-LED 3-LED 5-LED 6-LED 7-LED 4-LED(a) L 1= 1 0 0 u H ( b ) L 1= 220uH 图8. 输出
22、端 电流 vs. 输入端电压 I OUT= 350mA 2015 年 4 月, V1.00 - 8 - 1 安培，可调光降压式 LED 驱动芯片 MBI6656 3. 操作频率 vs. LED 串联颗数 在不同电感值 0 100 200 300 400 500 123 Switching Frequency, kHz LED Cascaded Number R SEN = 0.1 V IN = 12V C IN = C OUT = 10 F 47uH 100uH 22uH 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 123456 Switching F
23、requency, kHz LED Cascaded Number R SEN = 0.1 V IN = 24V C IN = C OUT = 10 F 47uH 100uH 22uH(a) V IN= 1 2 V ( b ) V IN= 24V 图9. 操作频 率 vs. LED 串联颗数 I OUT= 1A 0 100 200 300 400 500 600 700 123 Switching Frequency, kHz LED Cascaded Number R SEN = 0.14 V IN = 12V C IN = C OUT = 10 F 68uH 100uH 22uH 0 20
24、0 400 600 800 1000 1200 1400 123456 Switching Frequency, kHz LED Cascaded Number R SEN = 0.14 V IN = 24V C IN = C OUT = 10 F 68uH 100uH 22uH(a) V IN= 1 2 V ( b ) V IN= 24V 图10. 操作频 率 vs. LED 串联颗数 I OUT= 700mA 0 100 200 300 400 123 Switching Frequency, kHz LED Cascaded Number R SEN = 0.28 V IN = 12V
25、C IN = C OUT = 10 F 120uH 220uH 100uH 0 100 200 300 400 500 600 700 123456 Switching Frequency, kHz LED Cascaded Number R SEN = 0.28 V IN = 24V C IN = C OUT = 10 F 120uH 220uH 100uH(a) V IN= 1 2 V ( b ) V IN= 24V 图11. 操 作频率 vs. LED 串联颗数 I OUT= 350mA 2015 年 4 月, V1.00 - 9 - 1 安培，可调光降压式 LED 驱动芯片 MBI66
26、56 4. 输出端电流 vs. 环境温度 V IN= 12V 930 940 950 960 970 980 40 2 002 04 06 08 01 0 01 2 0 I OUT , mA Ambient Temperature, R SEN = 0.1 L 1 = 47 H C IN = C OUT = 10 F 3-LED Package: SOT-236300 310 320 330 340 350 360 40 20 0 20 40 60 80 100 120 140 I OUT , mA Ambient Temperature, R SEN = 0.28 L 1 = 47 H C
27、IN = C OUT = 10 F 3-LED Package: SOT-236(a) I OUT= 1 A ( b ) I OUT= 350mA 图12. 输出端 电流 vs. 环境温度 V IN= 12V 5. R ds(on)vs. 环境温境 V IN= 12V 100 150 200 250 300 350 400 40 20 0 20 40 60 80 100 120 140 R ds(on) , m Ambient Temperature, 图13. R ds(on)vs. 环境温度 V IN= 12V 2015 年 4 月, V1.00 - 10 - 1 安培，可调光降压式 LE
28、D 驱动芯片 MBI6656 产品应用信息 MBI6656 为操作简单及高效率的降压转换器(Buck Converter) ，可 驱动最大1 安培的电流负载量。MBI6656 以PFM 技 术控制为 基础 ，无须回 路补 偿并具有 快速 负载瞬间 响应(load transient response) ， 可达到轻 载时 之最佳效 率。 MBI6656 适用 于须广泛输入电压之LED 照 明应用，其高压端电流感测及内建电流设定功能的电路设计同时可提供电流 精确度5% 的稳定电 流， 并减少外 部组 件的数量 。MBI6656 同 时 具有脉宽 调变 调光及模 拟调 光功能 ， 因此 在LED
29、调光 相关应用 上可 提供相当 弹性 的调光选 择。 设定输出端电流 输出端电 流(I OUT ) 是 透过外 接电阻(R SEN ) 所设定。I OUT 与R SEN 关系如 下所示： R SEN =(V SEN /I OUT )=(0.1V/I OUT ); V SEN =0.1V; I OUT =(V SEN /R SEN )=(0.1V/R SEN ) 此处之R SEN为与SEN 端相 连的外接电阻 阻值，而V SEN为外接电阻的电压。电流 大小( 当作为R SEN 时) 在电阻值为0.1 时约为1000mA 。 调光控制 MBI6656 可同 时透过DIM 脚 来进行脉宽调 变(PW
30、M) 或模 拟调光。在模 拟调光应用中 ，LED 电流会 随着DIM 脚之 直流 电 压变化而 变化 ， 其输入 的直 流电压为0.3V 至2.5V；而 在PWM 调光 应 用时，LED 电 流则会随 着DIM 脚之脉 波宽 度变化而 变化， 当DIM脚电压 大于2.5V 时， 判定 为高准 位， 当DIM 脚电 压小 于0.3V 时 ，则 判定为 低准 位 ，其调 光波 形 示意图 如 图14所示 。 图 14. 调光 波 形示意图 A. 数位调光 LED 亮 度可 透过将脉 宽调 变讯号入 至 DIM 脚来调整 ， 当 DIM = L 时( 小于 0.3V) ， 内部 MOSFET 会被关
31、 闭并 且关掉 LED 上的电流 。 当 DIM 脚空 接时，内 建内 部向上电 阻可 以确保 MBI6656 可 以持续 输出电流 。因 此，外部 的向 上电阻可 以 省略。 图 15 为输入电 流与 脉宽调变 讯号 曲线图。 2015 年 4 月, V1.00 - 11 - 1 安培，可调光降压式 LED 驱动芯片 MBI6656 0 200 400 600 800 1000 1200 0% 20% 40% 60% 80% 100% I OUT , mA PWM dimming duty, % V IN = 12V, 1-LED L 1 = 100uH f DIM = 1kHz R SEN
32、 = 0.14 R SEN = 0.28 R SEN = 0.1 0 20 40 60 80 100 120 0% 2% 4% 6% 8% 10% I OUT , mA PWM dimming duty, % V IN = 12V, 1-LED L 1 = 100uH f DIM = 1kHz R SEN = 0.14 R SEN = 0.28 R SEN = 0.1图 15. 数字 调 光曲线 B. 模拟调光 用户也可 以 在 DIM 脚输 入直流电 压来 调整 LED 电 流，其调 光曲 线可如 图 16 所示。 0 200 400 600 800 1000 1200 0 0.5 1 1.
33、5 2 2.5 I OUT , mA Analog voltage, V V IN = 12V, 1-LED L 1 = 100uH R SEN = 0.14 R SEN = 0.28 R SEN = 0.1图 16. 模拟 调 光曲线 相关组件选择 A. 选择电感 电感值的 大小 主要由两 个因 素决定： 操作 频率及电 感的 涟波电流 。电 感 L1 的计 算 公式如下 所示 LED S IN LED LED IN 1 I f 3 . 0 V V ) V - V ( L 当选择电 感时 ， 电感值 并非 唯一考虑 ， 电 感的饱和 电流 值也须被 考虑 ， 一般建 议电 感饱和电 流值 为
34、设定电 流 的 1.5 倍。 电感值越 大其 输出电流 的输 入电压及 负载 调整率会 越好(line/load regulation) ， 但 是在相同 体积 情形下 ， 电感 值越大的 电感其饱 和电 流会越小， 这 是设计者 需要 考虑的地 方。 同时在选 用电 感时， 建议 选 用有屏蔽 的电 感以降 低 EMI 的干扰， 但要注意 的是 此类电感 容易 因散热不 易而 有过热的 情形 发生。 B. 选择萧特基二极管(Schottky Diode) MBI6656 需 要一个飞 轮二 极管(Flywheel Ddiode) D 1 承载 MOSFET 关闭 时通过 电感的电 流。 为了
35、提升 效率 ，建议使 用具有低顺向偏压及快速反应时间特性的 萧基特二极管。在选用萧特基二极管时有两个因素是必须考虑的，一是其最 大逆向电 压， 建议值输 入电 压的 1.5 倍 ； 另一个是 其最 大顺向电 流， 建议值为 输出 电流的 1.5 倍 。使用者 应选 择在高 温时有较 低漏 电流的萧 特基 二极管。 2015 年 4 月, V1.00 - 12 - 1 安培，可调光降压式 LED 驱动芯片 MBI6656 C. 选择输入电容 当 MOSFET 开启时， 储存 在输入电 容 C IN 的能量可以 提供给 MBI6656 使 用，反 之当 MOSFET 关 闭 时，输入电压会 对输入
36、电 容充 电。 当输入 电 压比可允 许的 最小输入 电压 低的时候 ，MOSFET 将持 续开启的 动作 ， 并 将输出 电 流限制在 设定电流 的 1.15 倍 。为系 统的稳定 性考 虑，输入 电容 的建议 值 10uF 。输入 电容 之额定电 压应 为输入电 压 的 1.5 倍。 为了增加 系统 的稳定性 ， 建 议可以 在 VIN 脚与 GND 间并联一 个 0.1uF 1 uF 的 陶瓷电 容 C BP ， 此电容 的额 定电压须 大于输入 电压 的 1.5 倍。 在选择电容时除了电容的额定电压与容值 外，也需要考虑最大能承受的涟波电流，若实际的涟波电流较电容最大能承 受的涟波电流
37、大时，电容或芯片有可能会 损毁。一般来说，系统涟波电流与电感的涟波电流相关，电容最大能承受的 涟波电流 应该 是电感涟 波电 流的 1.3 倍。 D. 选择输出端电容( 选用) 并联在 LED 旁的输出 电容 可降低 LED 的涟波电 流， 容值越 大 LED 涟 波电流 也 会越小。 2015 年 4 月, V1.00 - 13 - 1 安培，可调光降压式 LED 驱动芯片 MBI6656 封装体散热功率 (P D ) 依据 P D (max) = (T j,max T a ) / R th(j-a) ，被 允许的最 大散 热功率会 随环 境温度增 加而 降低。 0.00.51.01.52.
38、02.53.03.54.001 0 20 30 40 50 60 70 80 消耗功 率(W) GD 封装: Rth=84.0 C/W GST 封装: Rth=244.0 C/WGSB 封装: Rth=70.8 C/WGSD 封装: Rth=32.9 C/WMBI6656 在不同工作环境温度 下的最大消耗功率 工作环境 温度(C) ( 安全 工作区 域) 2015 年 4 月, V1.00 - 14 - 1 安培，可调光降压式 LED 驱动芯片 MBI6656 “Pb-free & Green” 之封装焊接制程* 聚积科技 所生 产的“Pb-Free & Green“ 的 半导体产 品遵 循欧
39、洲 RoHS 标准， 封装 选用 100% 之 纯锡以兼 容于 目前锡铅 (SnPb) 焊接制 程， 且支持 需 较高温之 无铅 制程。 纯锡 目 前已被欧 美及 亚洲区的 电子 产品客户 与供 货商广泛 采用 ， 成为 取代含锡 铅材 料的最佳 替代 品。100% 纯 锡可生产 于含 锡铅(SnPb) 锡 炉制程， 锡炉 温度请参 考 JEDEC J-STD-020C 标 准规定。 但若 客户使用 完全 无铅锡膏 和材 料，则锡 炉温 度须达 J-STD-020C 标准 之 245C 至 260C (参阅 下图) 。 依据 JEDEC J-STD-020C 及 J-STD-033C 对 MS
40、L3 抗 湿等级定 义， 芯片由真 空包 取出后直 到使 用前必须 储存 在温度 管控30C ，湿度管 控60%RH 的环 境中不超 过 168 小 时；当 拆封超 过 168 小时 后再行 使用时， 须先 以 125C 烘 烤 9 小时去 除 水气后再 行生 产。 Package Thickness Volume mm 3 350 Volume mm 3 350-2000 Volume mm 3 2000 1.6mm 260 + 0C 260 + 0C 260 + 0C 1.6mm 2.5mm 260 + 0 C 250 + 0C 245 + 0C 2.5mm 250 + 0C 245 +
41、0 C 245 + 0C * 详情请 参阅 聚积科技 之“ Pb-free & Green Package” 政策 0 50 100 150 200 250 300 0 50 100 150 200 250 300 Temperature () Time (sec) 25 217 240 255 Average ramp-up rate= 3.3/s Average ramp-up rate= 0.7/s 100s max 30s max Ramp-down 6/s (max) Peak Temperature 245260 10s -Maximum peak temperatureRecom
42、mended reflow profile 260 +0 -5 2455 Acc.J-STD-020C Average ramp-up rate = 0.4/s JEDEC J-STD-020C 2015 年 4 月, V1.00 - 15 - 1 安培，可调光降压式 LED 驱动芯片 MBI6656 外观轮廓图示 MBI6656 GSD 外 观 轮廓图 MBI6656 GST 外观轮廓 图 2015 年 4 月, V1.00 - 16 - 1 安培，可调光降压式 LED 驱动芯片 MBI6656 MBI6656 GSB 外观轮廓 图 2015 年 4 月, V1.00 - 17 - 1 安培
43、，可调光降压式 LED 驱动芯片 MBI6656 MBI6656 GD 外观轮廓图 注: 散热片布 局须采用 最大 尺寸范围 ，且 为防止短 路， 应避免线 路设 计经过散 热片 的最大尺 寸范 围。 2015 年 4 月, V1.00 - 18 - 1 安培，可调光降压式 LED 驱动芯片 MBI6656 芯片正印信息 GST(SOT-23-6L)/ GD(SOP-8L) GSD(TO-252-5L)/ GSB(SOT-89-5L) 产品更新纪录 文件版次 芯片版别码 V1.00 A 产品订购信息 产品订购编号* 环保包装 重量(g) MBI6656GSD-A TO-252-5L 0.282
44、 MBI6656GST-A SOT-23-6L 0.016 MBI6656GSB-A SOT-89-5L 0.080 MBI6656GD-A SOP8L-150-1.27 0.079 * 请在 您的订 购单(PO) 上， 务必标示 您的” 产品订购编 号”信息 。 制程码 Part number ID number 制造码 版别码 第二行 第一行 产品码 包装码 MBIXXXX Digits MBIXXXX 或 Part number ID number 制造码 版别码 第二行 第一行 产品码. 包装码 Digits 或 制程码 MBIXXXX MBIXXXX 2015 年 4 月, V1.0
45、0 - 19 - 1 安培，可调光降压式 LED 驱动芯片 MBI6656 使用权声明 聚积科技 对于 产品、档 案以 及服务保 有一 切变更、 修正 、修改、 改善 、以及终 止的 权利。客 户在 进行产品 购买 前，建 议与聚积 科技 业务代表 联络 以取得最 新的 产品信息 。 聚积科技 的产 品，除非 经过 聚积合法 授权 ，否则不 应使 用于医疗 或军 事行为上 ，若 使用者因 此导 致任何身 体伤 害或生 命威胁甚 至死 亡，聚积 科技 将不负任 何损 害赔偿责 任。 此份档案上所有的文字内容、图片、及商 标为聚积科技所属之智慧财产。除非是先经过聚积合法授权，任何人不得径 自使用、修改、重制、公开、改作、散布 、发行、公开发表。如有违反，您应对聚积科技股份有限公司负责损害赔偿 责任及其 他法 律责任。
