1、PMOS-1,P+（100）衬底,n阱形成,多晶硅淀积,n阱形成，大能量P离子注入，RTP退火,P-外延层,P+（100）衬底,P-外延层,超薄栅氧生长，干氧,P+（100）衬底,P-外延层,LPCVD多晶硅淀积,n阱,P+（100）衬底,P-外延层,n阱,PMOS-2,去胶,第一次光刻（正胶）以及干法刻蚀,P+（100）衬底,P-外延层,n阱,去除光刻胶,P+（100）衬底,P-外延层,n阱,SiO2淀积、反刻,LDD低能注入（注B，低能，低剂量）,P+（100）衬底,P-外延层,n阱,依次CVD SiO2淀积、反刻（注意不用光刻掩膜）,P+（100）衬底,P-外延层,n阱,PMOS-3,源
2、漏注入工艺,P+（100）衬底,P-外延层,n阱,侧墙形成,源漏注入工艺（中等能量B离子注 入，多晶硅栅同步注入），RTP退火,P+（100）衬底,P-外延层,n阱,自对准工艺,低温RTP，Ti湿法化学腐蚀，高温RTP,Ti PVD淀积,P+（100）衬底,P-外延层,n阱,P+,P+,P+（100）衬底,P-外延层,n阱,P+,P+,PMOS-4 Al互连,光刻、显影、刻蚀,依次SiO2 CVD淀积，CMP，涂胶,P+（100）衬底,P-外延层,n阱,P+,P+,第二次光刻（正胶）以及干法刻蚀,P+（100）衬底,P-外延层,n阱,P+,P+,去除光刻胶,P+（100）衬底,P-外延层,n阱,P+,P+,淀积金属Ti，TiN以及W，接着CMP,P+（100）衬底,P-外延层,n阱,P+,P+,金属淀积、CMP,PMOS-5 Al互连,光刻以及刻蚀,淀积金属Al，涂光刻胶,P+（100）衬底,P-外延层,n阱,P+,P+,第三次光刻（正胶）以及干法刻蚀,P+（100）衬底,P-外延层,n阱,P+,P+,去胶，烧结,P+（100）衬底,P-外延层,n阱,P+,P+,
