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半导体湿法腐蚀学习总结.ppt

上传人:精品资料 文档编号:9496559 上传时间:2019-08-10 格式:PPT 页数:12 大小:107.99KB
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资源描述

1、湿法腐蚀学习总结,主要内容,学习计划 学习内容 工艺原理及条件 生产前准备 生产时要求 产品自检 坚膜打胶 小结,学习计划,学习时间:10.16-10.31学习纲要:学习目标: 全面了解湿法腐蚀相关规范及注意事项; 全面了解湿法腐蚀常见异常及处理手法; 提升和完善湿法腐蚀工艺稳定性;,学习内容,内容:半导体湿法腐蚀清洗工艺 定义:通过化学溶液于被蚀刻物质之间的化学反应,来去除表面的原子。 分类:湿法清洗、湿法刻蚀; 湿法清洗:利用化学溶液结合物理方法对产品表面的杂质进行清除; 湿法刻蚀:利用化学溶液的腐蚀机理对产品进行侵蚀硅片表面多余部分;基本流程:,工艺原理及条件,工艺条件及原理:,工艺原理

2、及条件,工艺条件及原理:,生产前准备,生产前准备: 1.按无尘车间要求进行工作服穿戴,进入车间,并完成接班内容,穿戴好防酸手套、袖筒及防酸裙; 2.使用无水乙醇清洁工作岗位台面,货架及机台表面; 3.检查药槽及水槽液位是否达到要求,如不满需补满(药槽按初配比补加),检查水压是否达标,如有异常通知站长; 4.配合QC完成机台Particle量测,量测合格开始准备生产; 5.坚膜、打胶工序每日早班需量测打胶速率是否达标,如不达标则及时通知工艺; 6.BOE、Al腐蚀及PAD腐蚀工序每周一、五需测量腐蚀速率是否达标,如有异常及时通知工艺; 7.生产前需对产品进行试片,试片OK后方可生产;各项指标要求

3、: Particle指标:0.3mPadic变化小于30; 打胶速率:使用512光刻胶,坚膜50min,打胶5min,胶厚变化50-120A/分钟; BOE腐蚀速率:105050A/分钟; 钝化腐蚀速率:4800-6000A/分钟;,生产时要求,湿法腐蚀生产要求: 1.做片前,需仔细查看流程单,按要求设定工艺条件,再次确认槽体液位及水槽是否满,待温度稳定后方可投片,坚膜超过8小时需重新坚膜打胶; 2.金属前去胶工位每次生产需补加100mlH2O2,需在投片前量取好; 3.BOE腐蚀工位,需先在水槽进行浸润,悬空2-3秒才可浸入药槽,以减少带入药槽的水; 4.硅片浸入药槽时需DIP5-8次,DI

4、P时不能提出液面,保证硅片与药液的完全接触后,开始计时; 5.Al腐蚀工位生产时需每隔15-20秒进行一次DIP,DIP要求每次需提出液面,减少硅片表面气泡粘附; 6.钝化腐蚀及冲水时需将遮光帘放下,避免见光,每隔30秒缓慢DIP三次,其他工位生产时也需不时进行DIP三次,每次DIP不可露出液面; 7.生产期间不可离开工位,关注计时表,计时完成前10秒需对硅片进行连续不露出液面DIP; 8.计时完成后,将硅片提出液面,悬空2-3秒后,浸入水槽连续DIP5-8次,进行冲水,将提把取下浸入水槽清洗,关闭药槽槽盖,减少药液挥发; 9.冲水期间关注水压情况,水压低于2kg/cm2时需及时通知站长及工艺

5、; 10.冲水完成后,将花篮拿出水槽,检查是否存在硅片插斜情况,如有需及时更正; 11.硅片放入旋干机时,需保证旋干机对称位置重量尽可能相近; 12.生产期间需及时处理滴落在机台及台面的水渍;(建议配备PH试纸) 13.记录产品生产时间、批号、数量、工艺条件及操作员信息; 14.产品旋干后需对产品进行抽检,确认是否合格,如有异常通知工艺,自检完成后产品方可下走;,产品自检,产品自检要求: BOE腐蚀: 1.膜厚测试:使用膜厚测试仪检测刻蚀区域氧化层厚度是否达到流程单要求; 2.显微镜检测:要求图形线条清晰、腐蚀区域是纯白色、无脱胶、浮胶等,有CD要求测试CD情况; Al腐蚀: 强光灯检测:要求

6、表观无异常颜色及条纹; 显微镜检测:要求刻蚀区域干净无Al残留,刻蚀区域两边线条整齐、无缺口、无毛刺,无脱胶、浮胶等; PAD腐蚀: 强光灯检测:要求表观无异常颜色及条纹; 显微镜检测:要求刻蚀区域纯Al颜色,无脱胶、浮胶等; 金属前后去胶: 强光灯检测:要求表观无异常颜色及条纹; 显微镜检测:硅片表面无异物;注:对产品进行随机抽检3pcs/篮;,坚膜打胶,坚膜、打胶生产要求: 1.确认流程单要求,确认产品数量,设定工艺条件,开始坚膜; 2.硅片放入烘箱后,关闭箱门,开始计时(注意金属前后的放置要求); 3.坚膜结束,带上耐高温手套,取出硅片,静置台面降温; 4.坚膜后硅片需静置10min才可

7、打胶,确认工艺条件,设定好,将硅片手动规范插入石墨舟内,同时检查硅片表面有无异常,如有异常及时通知工艺; 5.用舟插将石墨舟小心避免碰撞摩擦放入腔体,关闭腔门,开始计时; 6.打胶结束,取舟时也需小心避免碰撞、摩擦,将硅片转入片盒,同时检查每片硅片表面有无异常,如有异常及时通知工艺;注意事项: 硅片从花篮转至舟内、从舟内转至花篮时需规范进行操作,避免吸笔、花篮边缘及舟卡槽对硅片造成划伤;,小结,在这一段时间的车间学习中,已完成了以下任务: 湿法腐蚀的工艺原理及相关控制条件; 湿法腐蚀工位的规范操作要求及注意事项; 产品检验的规格要求;正在进行的任务: 常见异常情况分析及处理; 腐蚀清洗中各影响因子的对产品的影响大小; 腐蚀清洗中刻蚀速率波动的根本原因; 干法腐蚀工艺原理及相关控制条件;后续将要进行的任务: 其它工序基本原理及相关控制要求; 其它工序操作规范及注意事项; 产品测试要求及可能影响因素;,Thank you for your attention!,

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