1、在线教务辅导网： http:/ 更多课程配套课件资源请访问在线教务辅导网2018/5/5 1第 8章 微波晶体管放大器 8.1微波双极晶体管和微波杨效应晶体管8.2异质结双极晶体管和高电子迁移率晶体管8.2.1异质双极晶体管 8.2.2高电子迁移率晶体管 8.3微波晶体管的参数 8.3.1微波晶体管参数的定义 8.3.2双极晶体管与场应管参数性能比较 8.4微波晶体管放大器的功率增益8.4.1微波晶体管两端接任意负载及信号源时输入阻抗8.4.2微波晶体管输入、输出功率表达式8.4.3三种功率增益表达式8.5微波晶体管放大器的稳定性8.5.1一些概念 8.5.2图解法判量放大器的稳定性 8.5.
2、3绝对稳定的判别准则 2018/5/5 28.6微波晶体管放大器的噪声系数8.6.1有源两端口网络噪声系数的一般表达式 8.6.2等噪声系数图 8.7小信号微波晶体管放大器的设计8.7.1微波晶体管放大器设计概述8.7.2高增益放大器的设计举例8.7.3微波晶体管放大器电路的计算机辅助设计8.8微波晶体管功率放大器的线性化 8.8.1微波晶体管功率放大器的非线性8.8.2微波晶体管功率放大器的线性化举例2018/5/5 3微波晶体管的主要用途常用微波晶体管的种类微波晶体管有着广泛的应用，它除了最常用的制作微波晶体管放大器外，还可运用于振 荡器、混频器、限幅、鉴频、开关、移相、高速脉冲调制与再生
3、、高速逻辑电路等。微波晶体管分为双极晶体管和单极晶体管两种。双极晶体管是指 PNP或 NPN型这类有两种极性不同的载流子参与导电机构的晶体管，也称为晶体三极管。单极晶体管只有一种载 流子参与导电机构，通常指场效应晶体管。 本章提要2018/5/5 48.1微波双极晶体管和微波杨效应晶体管结构与等效电路（如图 8-1，图 8-2）两个重要参数（ 1）特征频率（ 2）噪声性能1.微波双极晶体管图 8-1微波双极晶体管交指型结构示意图图 8-2微波双极晶体管管芯共发射极简化等效电路2018/5/5 5结构与等效电路（如图 8-5，图 8-6，图 8-7）两个重要参数（ 1）特征频率（ 2）噪声性能2
4、.微波场效应晶体管图 8-5GaAs MES FET结构示意图 图 8-6 MES FET漏电流与漏电压的关系2018/5/5 6图 8-7 MES FET管芯等效电路 2018/5/5 78.2异质结双极晶体管和高电子迁移率晶体管 8.2.1异质双极晶体管 2.异质结双极晶体管1.异质结概念（如图 8-9）由于从发射区向基区注入电子所要克服的势垒高度，比由基区向发射区注入空穴所要克服的势垒高度要小得多，因此阻挡了空穴流，有效地提高了发射极的注入效率。 通常所称 PN结是由一种半导体材料的相邻区进行不同元素的掺杂而构成的，也称为同质结；如果由两种不同的半导体材料构成的结，则称为异质结。 2018/5/5 8图 8-9PN异质结形成前后的热平衡能带图 2018/5/5 9NPN HBT和 D-HEMT结构图（如图 8-11，图 8-12）HEMT的输出特性（如图 8-14）8.2.2高电子迁移率晶体管图 8-11 NPN HBT放大状态的能带图 图 8-12 D-HEMT的结构图 图 8-14 HEMT的输出特性2018/5/5 10
