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第4章存储器3.ppt

上传人:gnk289057 文档编号:9357864 上传时间:2019-08-03 格式:PPT 页数:47 大小:310KB
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资源描述

1、第4章 存储器和高速缓存技术,主要内容:存储器的分类和构成原理存储器的扩展微型计算机存储器体系结构高速缓存技术,4.1 存储器分类和结构 4.1.1 存储器分类,1. 内存储器(内存或主存),功能:存储当前运行所需的程序和数据。,特点:CPU可以直接访问并与其交换信 息,容量小,存取速度快。,2. 外存储器( 外存),功能:存储当前不参加运行的程序和数据。,特点:CPU不能直接访问,配备专门设备才能进行交换信息,容量大,存取速度慢。,3. 半导体存储器分类,4. 存储器的译码结构,(1) 单译码方式,Ap-1,Ap-2,A1,A0,N 取 1 译 码 器,基本存储电路,p个输入,M 位 位 线

2、,D0,D1,DM1,N根字线 N=2p 个地址,W0,W1,选中的字线输出M位,Wn-1,输 出 缓 冲 放 大 器,单译码寻址示意图,(2) 双译码方式,双译码结构示意图,4.1.2 随机存储器,一、静态随机存储器SRAM,六管静态RAM基本存储电路,图中V1V2是工作管,V3V4是负载管,V5V6是控制管,V7V8也是控制管,它们为同一列线上的存储单元共用。,二、动态随机存储器DRAM,刷新放大器,数据I/O线,T1,CS,行选择信号,单管DRAM基本存储元电路,T2,列选择 信号,下图为单管动态RAM的基本存储电路,由MOS晶体管和一个电容CS组成。,4.1.3 只读存储器ROM,一、

3、掩膜ROM,R R R R,VCC,1 2 3 4,字线,位4 位3 位2 位1,输出数据数,二极管ROM阵列,二、可编程ROM (PROM),熔丝式PROM的基本存储结构,三、可擦除、可编程ROM(EPROM),EPROM的基本存储电路和FAMOS结构,(a) EPROM的基本存储结构,(b) 浮置栅雪崩注入型场效应管结构,四、电可擦除可编程ROM(EEPROM),E2PROM是一种在线(即不用拔下来)可编程只读存储器,它能像RAM那样随机地进行改写,又能像ROM那样在掉电的情况下所保存的信息不丢失,即E2PROM兼有RAM和ROM的双重功能特点,如图4.18所示。E2PROM的另一个优点是

4、擦除可以按字节分别进行(不像EPROM擦除时把整个片子的内容全变为“1”)。,E2PROM结构示意图,+VG,+VD,+VG,+VD,五、Flash存储器,闪速存储器(Flash Memory)是一种新型的半导体存储器,由于它具有可靠的非易失性、电擦除性以及低成本(单管),对于需要实施代码或数据更新的嵌入式应用是一种理想的存储器,而且它在固有性能和成本方面有较明显的优势。, 闪速存储器可实现大规模电擦除。, 闪速存储器的擦除功能可迅速清除整个器件中所有内容。, 闪速存储器可以被擦除和重新编程几十万次而不会失效。,固有的非易失性 它不同于静态RAM,不需要备用电池来确保数据存留,也不需要磁盘作为

5、动态RAM的后备存储器。,(2) 经济的高密度 Intel的1M位闪速存储器的成本按每位计要比静态RAM低一半以上。闪速存储器的成本仅比容量相同的动态RAM稍高,但却节省了辅助(磁盘)存储器的额外费用和空间。,(3) 可直接执行 由于省去了从磁盘到RAM的加载步骤,查询或等待时间仅决定于闪速存储器,用户可充分享受程序和文件的高速存取以及系统的迅速启动。,(4) 固态性能 闪速存储器是一种低功耗、高密度且没有移动部分的半导体技术。便携式计算机不再需要消耗电池以维持磁盘驱动器运行,或由于磁盘组件而额外增加体积和重量。用户不必再担心工作条件变坏时磁盘会发生故障。,Ug,Sg,Dg,控制栅极CG,浮空

6、栅极FG,N,N,P衬底,Dg,Sg,Ug,字线,位线,氮氧化物,隧道氧化物,控制栅极CG,浮空栅极FG,N,N,P衬底,Dg,Sg 12V,Ug 0V,擦除:从浮空栅移走电子,控制栅极CG,浮空栅极FG,N,N,P衬底,Dg 7V,Sg 0V,Ug 12V,编程:为浮空栅增加电子,字线Ug,位线Ud,源线Us,FLASH存储阵列,举例:使用62256(32K8位)芯片和2164 (64K1位)为8086CPU组织128KB存储系统。,4.1.4 存储器的扩充,62256,A0A14 OE CE,D0D7,24 译码器,62256,A0A14 OE CE,D0D7,62256,A0A14 OE

7、 CE,D0D7,62256,A0A14 OE CE,D0D7,Y0 Y1 Y2 Y3,A0A14,A16,A15,D0D7,2164,A0A15 OE CE,D,D,A0A15 OE CE,D,A0A15 OE CE,A0A15,D7 D1,D0,2164,A0A15 OE CE,D,D,A0A15 OE CE,D,A0A15 OE CE,A16,以上存储器系统存在哪些问题?怎样解决?,62256,A0A14 OE CE,D0D7,24 译码器,62256,A0A14 OE CE,D0D7,62256,A0A14 OE CE,D0D7,62256,A0A14 OE CE,D0D7,Y0 Y1

8、 Y2 Y3,A0A14,A16,A15,A18,A17,A19,D0D7,2164,A0A15 OE CE,D,D,A0A15 OE CE,D,A0A15 OE CE,A0A15,D7 D1,D0,2164,A0A15 OE CE,D,D,A0A15 OE CE,D,A0A15 OE CE,A18,A17,A19,A16,思考题:1、在RAM中,哪种存储器集成度高,哪种存储器访问速度最块?一般在计算机的CACHE系统中,哪种存储器适合组成CACHE?2、在EPROM中,哪种存储器集成度高,并简述USB存储器的基本工作原理?3、在实模式下,CPU能使用到的最大存储空间是多少?为什么?4、有一种

9、存储芯片24256(256K4位),需要组成存储空间为1MB的存储系统,需要这种芯片多少?并画出与CPU连接的简单示意图。,本节次课主要内容:1、微型计算机系统内存体系结构 内存的分布 内存的组织2、高速缓冲技术 CACHE的组织方式 CACHE的数据更新方式,4.2 微型计算机存储器体系结构,一、层次化的存储器体系结构,寄存器组,片内CACHE 主板CACHE,内存(DRAM,ROM),辅助存储器(硬盘、软盘、U盘),CPU,主机板,二、内存的基本结构,基本 内存区,高端 内存区,扩展 内存区,00000H,A0000H 9FFFFH,FFFFFH,1、基本内存区微机启动时,进入实模式,先使

10、用基本内存区,容量为640KB,从00000H9FFFFH,其中00000H003FFH为中断向量表。2、高端内存区高端内存区时主板BIOS等ROM使用的专用地址区,容量为384KB,地址范围:9FFFFH-FFFFFH 其中F0000H-FFFFFH,64KB为BIOS区A0000H-BFFFFH,128KB为显示缓冲区C0000H-DFFFFH,128KB,硬盘、网卡等缓冲区3、扩展内存高档CPU的可以扩展到64GB(36位地址),三、16位微机内存的组织,奇地址,偶地址,A19A1,A0,BHE,D15D0,D15-D8,D7-D0,1、按字节访问A0=0,BHE=1 访问偶地址,数据在

11、D0D7上传输。A0=1,BHE=0 访问奇地址,数据在D8D15上传输。2、按字访问A00,BHE=0,数据在D0D15上传输。对准方式:1个总线周期非对准方式:2个总线周期,高8位在奇地址,低8位在偶地址。,A31A2,BHE3,D31D0,D31-D24,D23-D16,D15-D8,D7-D0,BHE2,BHE1,BHE0,四、32位微机存储器组织,4.3 高速缓存技术CACHE,一、概述,1、CACHE系统的3个部分CACHE模块:快速的SRAM;主存:DRAM;CACHE控制器 2、CACHE命中率,二、组织方式,1、全相连方式原理:主存中的一个区块可以映射到CACHE的任何地方特

12、点:为映射主存的区块提供的极大的灵活性。缺点:CPU在确定数据是否在CACHE中时,需要比对每个块区的地址,则需要浪费许多的时间。,22位块区地址,4字节数据块,主存,主存32位地址,FFFFFC,FFE2C4,EF526C,20FEF8,13F674,000000,16M DRAM,2816位次SRAM,4096位次SRAM,块内 字节 地址,31 23 2 1 0,DRAM/ CACHE选择,2、直接映像方式原理:主存的一个块区映射到CACHE的一个固定的地方如:将主存划分为64KB的块区,块区内地址从0000HFFFFH,CACHE容量为64KB,其地址与块区内地址相对应。然后主存每块区

13、定义一个索引号,如果该块区的数据在CACHE中,则CACHE的标记字段保存这些索引号。优点:只需比对索引号即可确定CACHE是否命中,提高了比对速度。缺点:主存中,同块区(同索引号)相邻的数据不一定在CACHE中,降低了命中率。,主存32位地址,块内 字节 地址,31 23 15 2 1 0,DRAM/ CACHE选择,FFFC FF FFF80000,54 0008 0004 0000,FFFC 01 FFF80000,00 FFF8 0004 0000,主存 索引 标记,索引,8位标记 数据块,16KB 64KB,3、组相联方式原理:组相联方式与直接映像方式类同,只是一个划分的内存块区中有

14、多个数据与CACHE对应(CACHE被划分为多个块),这样提高了命中率。,主存32位地址,31 23 15 14 0,DRAM/ CACHE选择,7FFC 1FF 7FF80000,054 0008 0004 0000,7FFC 001 7FF80000,000 7FF8 0004 0000,主存 索引 标记,索引,9位标记 数据块,16KB 32KB,32KB,数据块,2位区分块内地址,三、CACHE的数据更新方式问题的提出:1)由于存在CACHE,一个数据即保存在CACHE中,也保存在内存中,当数据更新时,会出现不一致性;2)当有多个处理器时,每个处理器都有自己的CACHE,同一个内存中的

15、数据可能会在多个CACHE系统中,当数据更新时,其一致性不能保证。,第一种问题的 解决方法:1、通写式原理:每当CPU将数据写到CACHE中时,CACHE控制器就会把数据写回到内存中,主存的数据得到及时更新。缺点:每次更新CACHE时,主存都有写操作,总线会很繁忙。2、缓冲通写式原理:在主存和CACHE中加一个缓冲器,当CACHE更新时,先把数据写到缓冲器中,CPU的下一个操作周期时,缓冲器在把数据写到主存。3、回写式原理:在CACHE中,设置一个更新标记位,当CACHE数据更新时,将标记置“1”。当CACHE数据区被新的内存块替换时,才把数据回写到前任主存,并将更新标记清“0”。,第二种问题的解决方法:1、总线监视原理:CACHE控制器监视总线,当发现其它CACHE系统在回写主存,而且该数据在自己的CACHE中,则将自己对应的块区标记为无效。2、硬件监视原理:专门设置一个硬件监视装置,当1个CACHE有写操作时,除了将数据写回到主存外,该监视器还将更新所有CACHE的数据。3、划分不可缓冲主存区原理:划分一个大家公用的内存区,该区被标记为不被缓冲。4、CACHE清除法原理:将CACHE中所有更新的数据写回主存,随后将所有系统中的CACHE清除。,

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