1、DCA分子束外延及高真空薄膜沉积系统,宇丰凯电子科技有限公司,DCA 公司简介,DCA Instruments 是一家专业从事分子束外延（MBE）和超高真空薄膜沉积系统及组件的设计和制造的公司。DCA Instruments自1989年成立以来，已经在全球范围内安装了超过100套的超高真空系统。DCA Instruments绝大部分的产品都是针对用户定制设计复杂的沉积系统,该公司许多的标准系统最初都是起源于针对某些客户对沉积过程特殊需求的解决方案,因此在标准系统制造业中有着深厚的为用户定制设计的背景，在用户中具有很好的声誉。,分子束外延系统（MBE）所针对的材料l GaAs、InP和GaSb外
2、延 l HgCdTe外延 l GaN、InN和AlN外延 l -族外延 l SiGe外延 l 氧化物外延,DCA 公司主要产品(1),特 点l 专利的衬底操控器 l 专利的长寿命和高稳定性泄流盒灯丝 l 泄流盒（包括灯丝）两年质保 l 高性能PBN/PG/PBN或SiC衬底加热器 l 快速反应的磁感线性快门 l 衬底加热器两年质保 l 专利的磷裂解器 l 复合的薄膜沉积MBE系统,DCA 公司主要产品(2),物理气相沉积（PVD）系统沉积方式l 磁控溅射 l 脉冲激光沉积（PLD） l 电子束蒸发 l 离子束沉积 l 热蒸发,特 点l 具有独特磁体配置的高均匀度磁溅射源 l 射频、直流、磁性材
3、料和非平衡溅射 l 抗氧化衬底加热器 l 复合薄膜沉积的全自动溅射系统 l 全电脑控制的PLD系统可实现大区域沉积,主要产品介绍（1）,R450(R450C) MBE系统l 最大3英寸样片 l 双区域液氮冷却板 l 8个泄流盒 l 倾斜的腔室设计 l 15KeV RHEED l 500L/s 离子泵 l 8英寸低温泵 l 500L/s 分子泵 l 钛升华泵（TSP） l 带300L/s 离子泵的超高真空（UHV）缓冲室 l 带分子泵的真空进片室,主要产品介绍（2）,P600 MBE系统l 最大4英寸样片 l 双区域液氮冷却板 l 10个泄流盒 l 垂直腔室 l 30KeV RHEED l 50
4、0L/s 离子泵 l 8英寸低温泵 l 1000L/s 分子泵 l 钛升华泵（TSP） l 带300L/s 离子泵的超高真空（UHV）缓冲室 l 带分子泵的盒式真空进片室,主要产品介绍（3）,M600 MBE系统 l 最大4英寸样片 l 液氮冷却板 l 2个电子枪 l 最多可达8个泄流盒 l 垂直腔室 l 30KeV RHEED l 500L/s 离子泵 l 8英寸低温泵 l 1000L/s 分子泵 l 钛升华泵（TSP） l 带300L/s 离子泵的超高真空（UHV）缓冲室 l 带分子泵的盒式真空进片室,主要产品介绍（4）,SGC800 MBE 系统l 最大8英寸（200mm）样片 l 液氮
5、冷却板 l 2个电子枪 l 最多可达6个泄流盒 l 垂直腔室 l 30KeV RHEED l 500L/s 离子泵 l 8英寸低温泵 l 1000L/s 分子泵 l 钛升华泵（TSP） l 带机械式晶片传送的超高真空（UHV）套件 l 带分子泵的盒式真空进片室,主要产品介绍（5）,SGC1000 MBE 系统l 最大12英寸（300mm）样片 l 液氮冷却板 l 4个电子枪 l 最多可达6个泄流盒 l 垂直腔室 l 30KeV RHEED l 800L/s 离子泵 l 10英寸低温泵 l 1000L/s 分子泵 l 钛升华泵（TSP） l 带机械式晶片传送的超高真空（UHV）套件 l 带分子泵
6、的盒式真空进片室,主要产品介绍（6）,迷你MBE系统l 最大1英寸样片 l 液氮主冷却板 l 16个泄流盒 l 泄流盒被分为四组，每组四个，每一组都有单独的阀门与生长腔隔离开 l 15KeV RHEED l 300L/s 离子泵 l 液氮冷却钛升华泵（TSP） l 带分子泵的真空进片室,主要产品介绍（7）,PLD500 脉冲激光沉积系统l 球形腔室 l 6个1英寸目标固定器 l 最大3英寸样片 l 最高温度可达1000的抗氧化加热器 l 520L/s分子泵 l 样片XY扫面 l 目标扫描 l 带分子泵的真空进片室 l 可选超高真空组件 l 可选高压RHEED l 可选计算机控制,主要产品介绍（
7、8）,S450溅射系统 l 溅射器上或下配置的超高真空腔室 l 最多可达6个磁电管 l 最大4英寸的磁性目标直径 l 射频溅射 l 直流溅射 l 二极管溅射 l 非平衡溅射 l 最高温度可达1000的抗氧化加热器 l 最大4英寸样片 l 直流样片偏压 l 520L/s分子泵 l 带分子泵的真空进片室 l 可选超高真空（UHV）组件 l 可选计算机控制,主要产品介绍（9）,L400溅射系统l 溅射器下配置的超高真空（UHV）腔室 l 6个磁电管安装在一个可移动的线性手臂上 l 最大4英寸的磁性目标直径 l 射频溅射 l 直流溅射 l 非平衡溅射 l 最高温度可达1000摄氏度的抗氧化加热器 l 最大3英寸样片 l 直流和射频样片偏压 l 8英寸低温板 l 带分子泵的真空进片室 l 计算机控制磁性参数 l 4个计算机控制的掩模盘进行楔入沉积,谢谢参阅,
