收藏 分享(赏)

湖北大学 电子科学与技术专业实验.doc

上传人:精品资料 文档编号:8641094 上传时间:2019-07-06 格式:DOC 页数:6 大小:224.62KB
下载 相关 举报
湖北大学 电子科学与技术专业实验.doc_第1页
第1页 / 共6页
湖北大学 电子科学与技术专业实验.doc_第2页
第2页 / 共6页
湖北大学 电子科学与技术专业实验.doc_第3页
第3页 / 共6页
湖北大学 电子科学与技术专业实验.doc_第4页
第4页 / 共6页
湖北大学 电子科学与技术专业实验.doc_第5页
第5页 / 共6页
点击查看更多>>
资源描述

集成电路工艺与器件模拟实验报告姓 名 学号专 业 13 电科产业 时间 10 月 29 号实验名称 NMOS device simulation using ATLAS(1) 、实验内容用 atlas 模拟仿真 nmos 的 Id-Vgs 关系曲线图(2) 、实验目的和要求了解 atlas 的模拟仿真过程,对 atlas 工作有一定的了解(3) 、实验过程及结果分析1.创建 atlas 输入 deck 文件2.模型定义命令组定义 CVT 模型定义复合模型定义接触性质定义界面性质3.数值方法选择命令组4.解定义命令组激活 solve properties设置 gate 级设置 drain 级5.提取器件参数提取 Vt 值提取 beta提取 theta得出的 IV 关系图6.用 log,solve 和 load 语句产生曲线族(四) 、实验遇到的问题及解决办法做实验的时候总是太马虎,犯了很多不应该的错误。

展开阅读全文
相关资源
猜你喜欢
相关搜索

当前位置:首页 > 企业管理 > 管理学资料

本站链接:文库   一言   我酷   合作


客服QQ:2549714901微博号:道客多多官方知乎号:道客多多

经营许可证编号: 粤ICP备2021046453号世界地图

道客多多©版权所有2020-2025营业执照举报