分享
分享赚钱 收藏 举报 版权申诉 / 5

类型肖特基势垒 二极管SBD Schottky Barrier Diode,简称肖特基二极管.doc

  • 上传人:精品资料
  • 文档编号:8557626
  • 上传时间:2019-07-03
  • 格式:DOC
  • 页数:5
  • 大小:19KB
  • 配套讲稿:

    如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。

    特殊限制:

    部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。

    关 键  词:
    肖特基势垒 二极管SBD Schottky Barrier Diode,简称肖特基二极管.doc
    资源描述:

    1、肖特基势垒二极管SBD Schottky Barrier Diode,简称肖特基二极管肖特基势垒二极管SBD(SchottkyBarrierDiode,简称肖特基二极管)2011-03-2414:10肖特基二极管Schottkydiode图片:=150)window.open(onload=“if(this.width150)this.width=150;“border=“0“Xiotejierjigun肖特基二极管(卷名:电工)Schottkydiode利用金属和半导体之间形成肖特基结的原理制造的二极管。肖特基结指金属和半导体接触时,在半导体内形成的位垒。这一位垒产生的原因是金属和半导体的功

    2、函数不同,二者接触即产生电位差。另外,半导体的表面态对肖特基结也有重要影响。通常,制造肖特基二级管的材料是半导体硅或砷化镓,金属铅、金或铂等。砷化镓比硅好,因为它有更高的电子迁移率。和PN结二级管相比,肖特基二级管导通时的正向电压降较低(典型值为0.3伏),但是,反向特性一般不如PN结二极管好(见图)。由于肖特基结正向导通时没有非平衡载流子的储存效应,不积累电荷,肖特基二极管能在很高的频率(例如微波波段)下工作。大容量肖特基二极管应用于各种高频电力电子电路。马鹤亭1.结构原理肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多

    3、属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子,贵金属中仅有极少量的自由电子,所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A,B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部,表面电中性被破坏,于是就形成势垒,其电场方向为BA。但在该电场作用之下,A中的电子也会产生从AB的漂移运动,从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后,电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡,便形成了肖特基势垒。典型的肖特基整流管的内部电路结构如图1所示。它是以N型半导体为基片,在上面形成用砷作掺杂剂的N-

    4、外延层。阳极(阻档层)金属材料是钼。二氧化硅(SiO2)用来消除边缘区域的电场,提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻,其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层,其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数,可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒,当加上正偏压E时,金属A和N型基片B分别接电源的正、负极,此时势垒宽度Wo变窄。加负偏压-E时,势垒宽度就增加,见图2。综上所述,肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管,而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管,近年来,采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世,这不仅可节省贵金属,

    5、大幅度降低成本,还改善了参数的一致性。肖特基整流管仅用一种载流子(电子)输送电荷,在势垒外侧无过剩少数载流子的积累,因此,不存在电荷储存问题(Qrr0),使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。但它的反向耐压值较低,一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点,能提高低压、大电流整流(或续流)电路的效率。2.性能比较表1列出了肖特基二极管现超快恢复二极管、快恢复二极管、硅高频整流二极管、硅高速开关二极管的性能比较。由表可见,硅高速开关二极管的trr虽极低,但平均整流电流很小,不能作大电流整流用。半导体器件名称典型产品型?号平均整流电?流正向

    6、导通电压反向恢复时?间反向峰值电?压典型值最大值肖特基二极管161CMQ0501600.40.81050MUR30100A300.81.0351000快恢复二极管D25-02150.61.0400200硅高频整流管PR30060.61.2400800硅高速开关二极管1N41480.150.61.0100肖特基二极管肖特基势垒二极管SBD(SchottkyBarrierDiode,简称肖特基二极管)是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右,而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整

    7、流二极管大多采用封装形式。一、肖特基二极管原理肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子,贵金属中仅有极少量的自由电子,所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A,B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部,表面电中性被破坏,于是就形成势垒,其电场方向为BA。但在该电场作用之下,A中的电子也会产生从AB的漂移运动,从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后,电场引起的电子漂

    8、移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡,便形成了肖特基势垒。典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片,在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极(阻档层)金属材料是钼。二氧化硅(SiO2)用来消除边缘区域的电场,提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻,其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层,其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数,可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒,当加上正偏压E时,金属A和N型基片B分别接电源的正、负极,此时势垒宽度Wo变窄。加负偏压-E时,势垒宽度就增加。综上所述,肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通

    9、常将PN结整流管称作结整流管,而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管,近年来,采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世,这不仅可节省贵金属,大幅度降低成本,还改善了参数的一致性。肖特基整流管仅用一种载流子(电子)输送电荷,在势垒外侧无过剩少数载流子的积累,因此,不存在电荷储存问题(Qrr0),使开关特性获得时显改善。其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。但它的反向耐压值较低,一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点,能提高低压、大电流整流(或续流)电路的效率。二、肖特基二极管的结构肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别,它的内部是由阳极金属(用

    10、钼或铝等材料制成的阻挡层)、二氧化硅(SiO2)电场消除材料、N-外延层(砷材料)、N型硅基片、N+阴极层及阴极金属等构成,如图4-44所示。在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳极金属接电源正极,N型基片接电源负极)时,肖特基势垒层变窄,其内阻变小;反之,若在肖特基势垒两端加上反向偏压时,肖特基势垒层则变宽,其内阻变大。肖特基二极管分为有引线和表面安装(贴片式)两种封装形式。采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管(双二极管)式两种封装形式,如图4-45所示。肖特基对管又有共阴(两管的负极相连

    11、)、共阳(两管的正极相连)和串联(一只二极管的正极接另一只二极管的负极)三种管脚引出方式,见图4-45。采用表面封装的肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装形式。三、肖特基二极管的检测肖特基(Schottky)二极管也称肖特基势垒二极管(简称SBD),它是一种低功耗、超高速半导体器件,广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路,作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用,或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。1.性能比较肖特基二极管现超快恢复二极管、快恢复二极管、硅高频整流二极管、硅高速开关二极管的性能比较。由表可见,硅高速开关二极管的trr虽极低,但平

    12、均整流电流很小,不能作大电流整流用。2.检测方法下面通过一个实例来介绍检测肖特基二极管的方法。检测内容包括:识别电极;检查管子的单向导电性;测正向导压降VF;测量反向击穿电压VBR。被测管为B82-004型肖特基管,共有三个管脚,外形如图4所示,将管脚按照从左至右顺序编上序号、。选择500型万用表的R1档进行测量。测试结论:第一,根据、间均可测出正向电阻,判定被测管为共阴对管,、脚为两个阳极,脚为公共阴极。第二,因、之间的正向电阻只几欧姆,而反向电阻为无穷大,故具有单向导电性。第三,内部两只肖特基二极管的正向导通压降分别为0.315V、0.33V,均低于手册中给定的最大允许值VFM(0.55V)。另外使用ZC25-3型兆欧表和500型万用表的250VDC档测出,内部两管的反向击穿电压VBR依次为140V、135V。查手册,B82-004的最高反向工作电压(即反向峰值电压)VBR=40V。表明留有较高的安全系数.四、常用的肖特基二极管主要参数常用的有引线式肖特基二极管有D80-004、B82-004、MBR1545、MBR2535等型号,各管的主要参数见表4-43。常用的表面封装肖特基二极管有FB系列,其主要参数见表4-44。

    展开阅读全文
    提示  道客多多所有资源均是用户自行上传分享,仅供网友学习交流,未经上传用户书面授权,请勿作他用。
    关于本文
    本文标题:肖特基势垒 二极管SBD Schottky Barrier Diode,简称肖特基二极管.doc
    链接地址:https://www.docduoduo.com/p-8557626.html
    关于我们 - 网站声明 - 网站地图 - 资源地图 - 友情链接 - 网站客服 - 联系我们

    道客多多用户QQ群:832276834  微博官方号:道客多多官方   知乎号:道客多多

    Copyright© 2025 道客多多 docduoduo.com 网站版权所有世界地图

    经营许可证编号:粤ICP备2021046453号    营业执照商标

    1.png 2.png 3.png 4.png 5.png 6.png 7.png 8.png 9.png 10.png



    收起
    展开