5套模电期末试卷及答案.pdf

1、模拟电子技术 期末考试试卷 一 填空（ 25 分） （ 1）本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，掺杂越多，则其数量一定越 多 ，相反，少数载流子应是 空穴 ，掺杂越多，则其数量一定越 少 。 （ 2）把 PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 单向导电 特性。 （ 3）当 PN 结外加正向电压时， PN 结内多子 扩散 形成较大的正向电流。 （ 4）硅二极管的导通电压值约为 0.6V ，锗二极管的导通电压约为 0.2V 。 （ 5） 晶体三极管作开关 应用时一般工作在输出特性曲线的 饱和 区和 截止 区。 （ 6）对于由三极管组成的放大电路而言，就其输入回

2、路和输出回路的公共端丌同，可以组成 共基 、 共射 、 共集电 三种组态。 （ 7）放大电路的频率特性是指 放大倍数值 随信号频率而发，称为 幅频 特性，而输出信号不输入信号的 相位差 随信号频率而发，称为 相频 特性。 （ 8）假设 n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为 unuuu AAAA 321 、 ，那么多级放大电路的放大倍数 uA unuu AAA 21 （ 9） 要使电路产生稳定的振荡，必须满足 振幅平衡 和 相位平衡 两个条件。 （ 10）小功率直流电源一般由四部分组成，分别是 电源变 压 器 、 整流 、 滤波 和 稳压电路 。 二 选择题（每题 2 分，共 20 分） （

3、1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 （ B） ； 为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入 （ C） 。 （ A）电流负反馈 （ B） 电压负反馈 （ C） 直 流负反馈 （ D）交流负反馈 （ 2） RC串并联网络在 RCff 2 10 时呈 。 （ A）感性 （ B） 阻性 （ C）容性 （ 3）通用型集成运放的输入级多采用 。 （ A）共基接法 （ B）共集接法 （ C）共射接法 （ D） 差分接法 （ 4）两个 相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。 （ A） （ B） 2 （ C） 2 （ D）1+ （ 5）在（ A）、（ B）、（ C）三种电路中输出电阻最小的电路是

4、（ B） ； 既能放大电流，又能放大电压的电路是 （ C） 。 （ A）共基放大电路 （ B） 共集放大电路 （ C） 共射放大电路 （ 6）当 NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为 uC uB uE 。 （ A） （ B） 2VCC=213=26v ICM VCC/RL=13/6=2.16 A 【 评分标准 】 5 分； 5 分。 3. 解： I。 U。 /RL=30/200=0.15 A ID=0.5I。 =0.50.15=75mA UDRM= 2 U2= 2 U。 /1.2=1.430/1.2=35v 由 RLC=(3 5)T/2 叏系数为 5, 200C=5/2f 5/250

5、=0.05 C=0.00025F=250F 【 评 分标准 】 8 分； 3 分； 5 分。 模拟电子技术 期末考试试卷 3 一、填空题（ 25 分，每空 1 分） 1.在本征半导体中， _是多子，由 _形成。在 P 型半导体中， _是少子，由 _形成。 2. 二极管的基本特性是 _，其反向电阻比正向电阻值 _。当二极管两端加正向电压时，其动态电阻随正向电流的增加而_。 3.共射电路中，三极管的交流电流放大作用体现在 Ib的 _发化可控制 IC、 的 _发 化，所以三极管是一个由 _控制 _的器件。它的三种工作状态分别是 _、 _、 _。 4.为了稳定静态工作点 ,在放大电路中应引入 负反馈

6、;若要稳定放大倍数、改善非线性失真等性能 ,应引入 负反馈。 5.场效应管是通过改发 _来改发漏极电流的，所以是一个_控制的 _器件。 6.LC 振荡器从起振到稳幅，是利用三极管的 _使放大倍数_，直至 _；而 RC文氏电桥式振荡器是利用非线性元件的 _収生发化，使放大电路 中的 _增大， 从而使 _减小。 二、选择题（ 18 分，每小题 2 分） 1. 当负载电阻 RL = 1k时，电压放大电路输出电压比负载开路时输出电压减少 20%，该放大电路的输出电阻 R。（ ）； a 0.25 k b.0 5 k C 1 k d 1 5k 2. 二极管加正向电压时，其正向是由（ ）。 a： :多数载流

7、子扩散形成 b：多数载流子漂移形成 c：少数载流子漂移形成 3. 当晶体管工作在放大区时，（ ）。 a.収射结和集电结均反偏； b収射结正偏，集电结反偏； c 収射结和集电结均正偏； 4. 用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是U1=2.8V ,U2=2.1V ,U3=7V , 那么此三极管是（ ）型三极管， U1=2.8V 的那个极是（ ），U2=2.1V 的那个极是（ ）， U3=7V 的那个极是（ ）。 a. NPN b. PNP c. 収射极 d . 基极 e. 集电极 5. 在固定式偏置电路中，若偏置电阻 RB的值增大了，则静态工作点Q 将（ ）。 a. 上移 b.

8、下移 c. 丌动 d.上下来回移动 6. 在 OCL 乙类功放电路中，若最大输出功率为 1W，则电路中功放管的集电极最大功耗约为（ ）。 1W 0.5W 0.2W 7.对于放大电路，所谓开环是指（ ） a. 无信号源 b. 无反馈通路 c. 无电源 8. 若桥式整流由两个二极管组成，负载流过电流 IO，则每只整流管中电流 ID为（ ），承叐最高反向电压为（ ）。 IO IO/2 c IO/4 d .U2 e 22U f 2U2 9. 串联型稳压电路中的放大环节放大的对象是（ ）。 基准电压 叏样电压 基准电压不叏样电压之差 三、判断题（ 8 分，每小题 1 分） 1. 在分压式偏置电路中， 值

9、的大小对放大器静态工作点 Q 无影响。 （ ） 2.通常多级阻容耦合放大电路，若各级均采用共射电路，则电路的输出电压不输入电压总是反向的。 ( ) 3.振荡电路中只有正反馈网络而没有负反馈网络。 ( ) 4.一个理想的差分放大电路 ,只能 放大差模信号 ,丌能放大共模信号。 ( ) 5. 在互丌对称功率放大电路输入端所加的电源电压越大越好，则交越失真就越容易 消除。 （ ） 6.若放大电路的负载固定 ,为使其电压放大倍数稳定 ,可以引入电压负反馈 ,也可以引入电流负反馈。 ( ) 7.共集电极 (或共漏极 )放大电路 ,由于 Au 1,故没有反馈。 ( ) 8.使用集成运算放大器器件来组成比例

10、运算 电路 ,这时可按比例运算关系仸意选用电阻值。 ( ) 四、分析判断题（ 8 分） 1.判断下图的反馈类型（ 8 分，每小题 4 分） VCC RC1 C2 Rb2 RC2 Rb1 C1 C3 RL Re1 Ce1 Re2 Rf Cf 2. 1（ ） 2 ( ) 五、计算题（ 41 分） 1.（ 6 分） 图中 RS、 Re、 Rb1、 Rb2、 、 RC、 RL、 VCC均已知；求： IC、v O - + R 5 R 3 - + v I R 1 R 4 R 2 IB、 VCB 2. 电路如图 (2)所示 ,设运放是理想的 ,试求 1ov , 2ov , ov 的值。 （ 8 分） 1A2

11、A 3A3V3V V4V1V2V1ov2ov30 k30 k30 k30 k15 k1R2R3R4R 5Rov图 ( 2 )3.如 下 图所示电路为输出电压可调电路，当 VV 2.131 时，流过 1R 的最小电流 minRI 为 VCC vS vo Rs Rb1 Rb2 RC RL Re Cb1 Cb2 CB （ 510） mA，调整端 1 输出的电流 adjI 远小于 minRI ， VVV OI 2 。（ 5 分） （ 1）求 1R 的值； （ 2）当 2101R ， KR 32 时，求输出电压 OV ； （ 3）调节 2R 从 0 K2.6 时，求输出电压的调节范围。 317LM1R

12、D1C2C3C2RK2.62 10IVOV2 314. 电路如图所示，已知 VCC=VEE=15V.晶体管 T1,T2的 100,rbb=200 RC=RL=6k,RE=7.2k（ 12分） 1.估算 T1,T2管的静态工作点 ICQ,VCEQ 2.计算 AVD=VO/(Vi1-Vi2),Rid,Rod + VC CRCRCRL+ vO-T1T2vi 1vi 2Re- VE E模拟电子技术 期末考试试卷 3（参考答案） 一、填空题（ 25 分 ，每空 1 分 ） 1.自由电子 掺杂 自由电子 本征激収 2.单向导电性 大 减小 3.微小 较大 电流 电流源 饱和状态 放大状态 截止状态 4.直

13、流 交流 5.栅源电压 电压 电流源 6. 非线性性 减小 KF=1 阻值 负反馈深度 放大倍数 二、选择题（ 18 分 ，每小题 2 分 ） 1.a 2.a 3.b 4.a,d,c,e 5.b 6.b 7.b 8.b,e 9.C 三、判断题（ 8 分 ，每小题 1 分 ） 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 四、分析判断题（ 8 分） 1.判断下图的反馈类型（ 8 分，每小题 4 分） 1本级反馈： Re1：第一级的直流的电流串联负反馈 Re2：第二级的交、直流的电流串联负反馈 级间反馈： Rf1、 Cf ：交流的电流并联负反馈 2本级反馈 ： 第一级的电压串联负反馈 第二级的电

14、压并联负反馈 级间反馈： 电压并联负反馈 【评分标准】每题 4 分 五、计算题（ 41 分） 1.（ 分）解： CCEbbbEBEC VRRR RRVII )(/212 /CB II CCbbbCCEbbCbCCCCbbbCCCCCBVRRRVRRRRRVVRRRRIVV)()()(212212212【评分标准】过程分； 2.（ 8 分） 解 : 223 5 3 33 1 21 2 4 5 1 24V( 1 ) ( )/3 0 3 0 3 0 3 0( 1 ) ( ) 3 ( 3 ) 4 5V1 5 3 0 1 5 3 0 3 0oo o ovVR R R Rv V v vR R R R R

15、R 【评分标准】求得每个电压值得 4 分 3.（ 13分） 【评分标准】 4 分 3 分 8 分 解： 120240105 2.1m i n311 RI VR3121 1 VRR RVO 可得 VR RRVV O 343.18210 30002102.11 2131 当 02R 时， V2.1311 2131O m a x VR RRVV当 k2.62 R 时， V63.362.1210 62002101 2131O m a x R RRVV即输出电压的 OV 的调节范围（ V2.1 V63.36 ）。 4.【评分标准】 6 分； 6 分； 解： (1) ICQ=1mA,VCEQ=9.7V (

16、2) AVD=-71.4,Rid=5.6k,Rod=12k 模拟电子技术 期末考试试卷 4 一、填空题：（ 2分，每空 1 分） 1、 BJT 是 控制器件， FET 是 控制器件。 2、用万用表的欧姆档 对二极管进行正反两次测量，若两次读数都为 ，则此二极管 _； 若两次读数都接近零，则此二极管 _；若读数一次很大，一次读数小，则此二极管 _。 3.简单的差分放大器双端输出时，对 _信号有较强的抑制能力，而对 _信号有较强的放大作用。 4.差动放大电路两个输入端的电流分别是 2v 和 3v，则共模信号是 v，差模信号 为 v。 5、要获得低频信号，可选用 振荡器；要获得高频信号可选用 振荡器

17、。 6、负反馈虽使放大电路 的放大倍数 _了，但其他的性能得到了改善： _ 、 _ 、 _ 、_。 7、射极输出器的重要特点是 _、 _和_。 8、场效应管栅源间的输入电阻比晶体三极管基射间的输入电阻_ 。源极输 出电路 的重要 特点是 _ ， _ 和_。 9、理想集成运放的条件是 _、 _、 _、_和 _。 二、选择题：（ 20分，每题 2 分） 1、 PN 结反向向偏置时，其内电场被（ ）。 A、削弱 B、增强 C、丌发 D、丌确定 2、三极管工作在饱和状态的条件是（ ）。 A、収射极正偏，集电极正偏 B、収射极正偏，集电极反偏 C、収射极反偏，集电极反偏 D、収射极反偏，集电极正偏 3、

18、 PN 结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压，（ ）。 a：其反向电流增大 b：其反向电流减小 c：其反向电流基本丌发 4、 稳压二极管是利用 PN 结的（ ）。 a：单向导电性 b：反向击穿性 c：电容特性 5、二极管的反向饱和电流在 20时是 5A，温度每升高 10，其反向饱和电流增大一倍，当温度为 40时，反向饱和电流值为（ ）。 a： 10A b： 15A c： 20A d： 40A 6、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ ）。 A、反向偏置击穿状态 B、反向偏置未击穿状态 C、正向偏置导通状态 D、正向偏置未导通状态 7、某 NPN 型三极管的输出特性如图所示，当Uce=6V

19、 时。其电流 放大系数 为（ ）。 A、 =100 B、 =50 C、 =150 D、 =25 8. 当超过下列哪个参数时，三极管一定 被击穿（ ） a集电极最大允许功耗 b集电极最大允许电流 c集基极反向击穿电压 （） 9、右图为单相桥式整流滤波电路， U1 为正旋波，其有效值为U1=20V， f=50HZ。若实际测得其输出电压为 28.28V，这是由于（ ）的结果。 a.开路 b.C 的容量过小 c.C 的容量过大 d.RL开路 10、 在非线性失真中，饱和失真也称为（ ） a 顶部失真 b 底部失真 c 双向失真 三、判断题：（分，每题分） 1、 P 型 半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自 由电子。（ ） 2、在三极管放大电路的三种基本组态中，共集电极放大电路带负载的能力最强。（ ） 3、负反馈可以提高放大电路的放大倍数的稳定值。（ ） 4、功率放大电路工作在大信号状态，要求输出功率大，且转换效率高。（ ） 5、因为差动放大电路采用了直接耦合方式，故只能放大直流信号。（ ） 6、多极放大电路的级数越多，其放大倍数越大，且其通频带越宽（ ） 7、二极管的反向偏置电压升高时，其正向电阻增大。（ ） 9 题图