1、电子器件复习提纲课程一 思想（最虚的课）英语为什么要用英语？李约瑟问题？课程为什么要学这门课？【已有课程体系的表】 。为什么要学这些课？为什么要学习？教材为什么要用这本教材？为什么会有这么多教材？教材是怎么写出来的？教材应该怎样教和学？宗旨为什么我要讲这些？课程二 电子（最大的课）物理物理是怎么产生的？物理学有哪些内容？【三大力学体系】 。什么是量子力学？【电流真空电子（射线）原子结构电子能级（能、光）量子第二次波粒大战波动（爱、薛、德）波动力学概率波粒子（哥本哈根派）矩阵力学测不准互补原理（正统解释）坍缩假说。物质，精神。测量，觉察。】宏观物理的本质是什么？【电子】固态电子的日常情形是怎样的
2、？【原子社会说】固体中的电子是怎样的？【三大近似】 【能带论】固体中有多少个电子可以导电？【状态密度】 【费米分布】 【费米能级】 【图形化分析法】 【电中性】导电能力大小由什么决定？【漂移电流】 【扩散电流】 【内建电场】 【介电驰豫】导电可以做什么？课程三 半导体（最熟的课）器件什么是器件？【材料、工艺、结构、功能。 】有哪些材料？有哪些结构？有哪些功能？有哪些工艺？有哪些性能？有哪些模型？说这些做什么？控制为什么要用半导体？怎么控制半导体中的电子？【半导体和掺杂、电、热、光、磁、力、结构】什么是 p-n 结？【图的地形解释法】 【P-N 结的 Q-E-V-E 图】什么是金-半接触？【移带
3、定界，费米补齐】【整流接触、欧姆接触】还有什么结构？【异质结】课程四 晶体管（最小的课）电子管JFET电子管后为什么要研究新的器件？真空管怎么做小做成固态？【原理图、能级图（地形图） 、I-V 特性图】【所有晶体管放大的本质是载流子浓度和费米能级的指数关系】【晶体管定义】【跨导、工作点、负载线】 。JFET 怎么调制（放大）？【JFET 行为方程】 【夹断电压 】【跨导】JFET 怎么开关【线性区、饱和区、截止区】这个管子是怎么造的？课程五 BJT 原理（最乱的课）为了放大第一个晶体管是怎样诞生的？这个管子为什么能轻松实现放大？这个管子可以就这样用了吗？放大PCT 管子的核心原理是什么？【P-
4、N 结理论】【耗尽区费米能级平直】【扩散区扩散电流】【扩散区内建电场】知道了原理，怎么把 PCT 改成实用的管子？（Q1)【双极晶体管，BJT】BJT 仅仅只是一个注入少子来不及复合的二极管吗？（Q4)【基区存储电荷】BJT 怎么控制比较好？（Q3)【基区三角形】【、 】【线性放大】电流线性放大，这是一个偶然吗？（Q8,17,22; E1)【电流线性是由基区电荷三角形的面积（iB）和倾角（iC）线性相关造成的。 】以荷（流）控荷（流）有何好处？这样真的线性控制住了吗？(Q5,6,9,10,18,19,20,21)【B、】除了放大除了放大，BJT 还有哪些特性？(Q2)【I-V 特性曲线 】【线
5、性区、饱和区、截止区】如何统一表示这些 I-V 特性？(Q7,12)【Ebers-Moll 方程 】BJT 可以用作开关吗？课程六 MOS 原理（最反的课）创新总结下来，形成开关、调制的地形要点是什么？已有哪些方式可以改变地势的落差？还有什么地势可以控制落差？反型MOS 结构的落差是怎么控制的？【绝缘层能级形状】 【半导体能级形状】【沟道】 【型】 。栅压不断增加后，情况会怎么变化？【钉扎效应】为什么就被钉扎了呢？(Q7)【耗尽区】 【弱反型区】 【强反型区】 【积累区】【强反型区的判据】钉扎时的栅压有多大？【阈值电压】 【阈值电压公式】 【增强型、耗尽型】阈值电压后的沟道电子浓度是多少？加上
6、源漏电位以后的情况是怎样的？特性MOS 管的 I-V 特性是怎么样的？（Q10、18、22、26）【萨方程】 【夹断】MOS 管的放大特性怎么样？（Q18、21)MOS 管可以用作开关吗？（Q18)MOS 管是怎么做出来的？课程七 系统（最实的课）硝烟渐起谁适合放大？【增益】谁适合开关？【最大电流】 【漏电流】谁适合组成电路？（Q11、13）【极性匹配】 【增强型、耗尽型】【极性调换】 【扇出（输入电流） 】谁能被做出来？绝地反击为什么人们不肯放弃 MOS？早期 MOS 的致命问题是什么？（Q12）【平带电压】如何精确控制阈值电压？（Q8、9、10、11、13、14、15、16、17、19、2
7、0、25）【完整的阈值电压公式】【调整阈值电压的方法】 【衬底偏置效应、体效应】【充分理解图 6-17 和图 6-20】一决雌雄电子器件发明后，电子技术的发展方向是什么？【电脑】 【数字电路】 【集成电路】 【摩尔定律】大规模数字集成电路迫切关注的是什么问题？【功耗】 【速度】 【体积/面积 】 【隔离】 【可控性】谁能成为大规模数字集成电路系统的“细胞”？【CMOS】 【DRAM】 【EPROM】 【CCD 】【等比例缩小原理】分道扬镳MOS 的优势和发展方向是什么？【高集成度、低功耗、高速度】BJT 的优势和发展方向是什么？【高增益、大电流、高速度】JFET 怎么办？课程八 技术（最难的课
8、）芥子须弥MOS 真的可以按 CE 规则等比例缩小吗？按 CV 规则缩小有什么不好？【热电子】电场加速的，却为什么叫热电子？【速度饱和效应】 P264-265【迁移率退化效应】 P300-302【热电子效应】 P315-320【隧穿效应】 【TDDB】 P291-294【GIDL】 P323-325如何解决热电子引起的 TDDB 灾难？【LDD 技术 】 P452。LDD 之后就解决问题了吗？【短沟道效应族】【有效沟道长度】 P313【短沟道效应】 P322-323【窄宽度效应】 P322-323【沟道长度调制效应】 P322【DIBL】 P320-321这么多效应，设计出来的还是 MOS 吗
9、？（Q22、23）【I-V 特性】 【 S 参数】 。要是这种极端的设计出问题了怎么办？（Q14、15、17）【C-V 特性】 【四大电容，Ci、C 反、C 耗、C 德】【Qit，Qm，VFB，VT ，Ci ，Cd，N 的测法】四大皆空BJT 的大体现在哪些方面？大注入（浓度）不好吗？(Q24）【大注入】【基区电导调制效应=Webster 效应】 P373、378【Kirk 效应】 P380-382【热逃逸效应】 P374【小注入效应】 P373、379【大注入标准】大增益不好吗？（Q11、17）【基区宽度调制效应】 P370-371【简并掺杂效应】 P388【基区掺杂梯度效应】 P369【短
10、发射区效应】 P 387-388【共射极雪崩击穿】 P372-373【Gummel-Pool 模型】 P376大面积不好吗？（Q6，9）【基区电阻效应】 P374-375【射极集边效应】 P374-375大速度不好吗？（Q13、17、21、22、23； MOS Q27）【基区电荷存储效应】 P365-368【少子渡越】 【各种结充电和渡越时间效应】 P382-385【基区掺杂梯度效应】 P369-370【Webster 效应】 P386课程九 新器件（最玄的课）高速负电导器件【隧道二极管】 【IMPATT】 【 Gunn 二极管】大功率器件【P-N-P-N 结构、晶闸管】 【VD/LDMOS、IGBT 】高功率高速器件【GaAs MESFET】 【HEMT】 【HBT】课程十 光（最快的课）天光的传导为什么之前人们不用光做互连？光纤传光有没有限制？光的接收什么叫接收光？光怎么转化为电？光照到 P-N 结上会发生什么？【光照下 P-N 结行为】【I-V 图，三大象限特性 】怎样又快又多地探测光？【APD】光的发射怎样发出光？人们需要什么样的光？【受激辐射】【增益介质（受激辐射载体） 、泵（功率源） 、谐振腔（起振条件） 】怎样用半导体发出激光？【同质结激光器】【粒子数反转条件】【异质结激光器】
