TRI-518.ppt

1、TR-518系列ICT训练,KING.LONG主编 2002.6.15,精成科技PCBA事業處ENG-TE,ICT的概念,1. 何谓ICT？ICT即在线测试仪（In Circuit Tester）,是一大堆高级电表的组合。电表能测到，ICT就能测到，电表测不到，ICT可能也测不到。2. ICT能测些什么？Open/Short,R,L,C及PN结（含二极管，三极管，Zener，IC）3. ICT与电表有何差异？ICT可对旁路元件进行隔离（Guarding），而电表不可以。所以电表测不到，ICT可能测得到。4. ICT与ATE有何差异？ICT只做静态测试，而ATE可做动态测试。即ICT对被测机板不

2、通电（不加Vcc/GND），而ATE则通电。,ICT量测原理,1. 量测R：单个R(mode0,1): 利用Vx=IsRx（欧姆定律），则Rx=Vx/Is. 信号源Is取恒流 （0.1uA5mA）,量回Vx即可算出Rx值.R/C(mode2): 信号源Vs取恒压（0.2V），量回Ix，则Rx=Vs/Ix=0.2V/Ix，算出Rx值.,R/L(mode3,4,5): 信号源取交流电压源Vs，籍相位法辅助.|Y|Cos=YRx=1/Rx,并|Y|=Ix/Vs故：Rx=1/|Y|Cos,2. 量测C/L： 单个C/L（Mode0,1,2,3）：信号源取恒定交流压源VsVs/Ix=Zc=1/2fCx

3、,求得：Cx=Ix/2fVsVs/Ix=Zl=2fLx , 求得：Lx=Vs/2fIx,C/R或L/R： 籍相位法辅助|Y|Sin=|Ycx|,即CxSin=Cx求得：Cx=CxSin(Cx=Ix/2fVs)|Y|Sin=|Ycx|,即Sin/Cx=1/Cx求得：Lx=Lx/Sin(Lx=Vs/2fIx),3. 量测PN结：（D、Q、IC）信号源0-10V/3mA or 30mA可程式电压源,量PN结导通电压4. 量测Open/Short：即以阻抗判定：先对待测板上所有Pin点进行学习,R55判为Open.,5. Guarding(隔离)的实现：当Rx有旁路（R1）时，Ix=Is-I1Is,

4、故：Vx/IsRx此时取A点电位Va,送至C点，令Vc=Va,则：I1=(Va-Vc)/R1=0,Is=Ix从而：Vx/Is=Rx,程式的编写,1. 在T测试下，设定P“测试参数”2. 在E编辑下，编写程式：步骤 零件名称 实际值 位置 高点 低点 隔点1 2 3 4 5 删略量测值 标准值 上限% 下限% 延迟 信号 类别 重测 中停 补偿值 偏差%。1 R3 47K A1 21 101 0 0 0 0 0 047K 10 10 0 0 0 0 0 0 02 C22 100n D2 7 52 0 0 0 0 0 0100n 30 30 0 0 0 0 0 0 0,3 L1 22u B2 1

5、87 0 0 0 0 0 022u 30 30 0 0 0 0 0 0 04 D5 0.7V C1 16 19 0 0 0 0 0 00.7V 20 20 0 0 0 0 0 0 0.,1. 进入L学习,做Short Group学习.若有IC，还需做IC Clamping Diode学习。2. 在主画面在下测试，检验程式及开始Debug。,程式的Debug,编写好的程式在实测时，因测试信号的选择，或被测元件线路影响，有些Step会Fail（即量测值超出%限），必须经过Debug。,R：在E编辑下，ALT-X查串联元件，ALT-P查并联元件。据此选好“信号”（Mode）和串联最少元件的Hi-P/

6、Lo-P，并ALT-F7选择Guarding Pin。R/C：Mode2及Dly加大（参考：T=5RC）R/D（or IC、Q）：Mode1R/R：Std-V取并联阻值R/L：Mode3、4、5，根据Zl=2fL，故L一定时，若f越高，则Zl越大，则对R影响越小,C：在编缉下一般根据电容值大小，选择相应的Mode。如小电容（pF级），可选高频信号（Mode2、3），大电容（ nF级）可选低频信号（Mode0、1），然后ALT-F7选择隔离。3uF以上大电容，可以Mode4、8直流测试。C/C：Std-V取并联容值C/R：Mode5、6、7，由Zc=1/2fC,故C一定时，f越高，Zc越小，则R

7、的影响越小。C/L：Mode5、6、7，并且f越高效果越好。,L：F8测试，选择Mode0、1、2中测试值最接近Std-V，然后Offset修正至准确。L/R：Mode 5、6、7。,PN结：F7自动调整，一般PN正向0.7V（Si），反向（2V以上）。D/C：Mode1及加Delay。D/D（正向）：除正向导通测试，还须测反向截止（2V以上）以免D反插时误判。Zener：Nat-V选不低于Zener崩溃电压，若仍无法测出崩溃电压，可选Mode1（30mA），另外10-48Vzener管，可以HV模式测试。,Q：be、bc之PN结电压两步测试可判断Q之类型（PNP or NPN），Hi-P一样

8、（NPN），Lo-P一样（PNP），并可Debug ce饱和电压(0.2V以下)，注意Nat-V为be偏置电压,越大Q越易进入饱和，但须做ce反向判断(须为截止0.2V以上)，否则应调小Nat-V。,不良报表的阅读,A B C D E,以H0代有上限值（标准值，L0代表下限值）：L1表示：量测值介于L0与L0-（H0-L0）10%之间 L2表示：量测值介于L1与L0-（H0-L0）20%之间 VL表示：量测值低于L2 H1表示：量测值介于H0与H0+（H0-L0）10%之间 H2表示：量测值介于H1与H0+（H0-L0）20%之间 VH表示：量测值高于H2,不良记录：*Open Fail*（4

9、8）（45 48）表示48点与短路组（45 48）断开，可能是探针未接触到PCB焊盘，或板上有断路。*Short Fail*（20）（23）表示20点与23点短路（R5），可能是板上有锡渣造成Short，装错零件造成Short，零件脚过长造成Short等。,*Component Fail* 1 R3 M-V：52.06K，Dev：+10.7%，Act-V=47K，Std-V=47K，Loc:A1，Hi-P=21L0-P=101 +LM：+10% -LM：-10%表示：R3偏差+10.7%，可能为零件变值，或接触不良。若偏差+999.9%或很大，可能为缺件、错件超出标准值所在量程上限，（47K在

10、30K300K量程内）；若偏差0.00%或很小，可能为短路，错件超出其标准值所在量程下限。,ICT误判分析,ICT无法测试部分：记忆体IC（EPROM、SRAM、DRAM）并联大10倍以上大电容的小电容并联小20倍以上小电阻的大电阻单端点之线路断线D/L，D无法量测IC之功能测试,2. PCB之测点或过孔绿油未打开，或PCB吃锡不好。 3. 压床压入量不足。探针压入量应以1/2-2/3为佳。 4经过免洗制程的PCB板上松香致探针接触不良。 5PCB板定位柱松动，造成探针触位偏离焊盘。 6治具探针不良损坏。 7. 零件厂牌变化（可放宽+-%，IC可重新Learning）。 8. 治具未Debug好（再进行Debug）。 9. ICT本身故障。,硬体检测,11. 开关板：诊断（D）-切换电路板（B）-系统自我诊断（S）-切换电路板诊断（S）。若有B* C*表示SWB有Fail，请记录并通知TRI。C*有可能为治具针点有Short造成。,12. 系统自我检测：诊断（D）-硬体诊断（S）-系统自我检测（S）有R、D项Fail可能为DC板故障。有C、L项Fail可能AC板Fail。有Power 项Fail可能Power板Fail。也请记录并通知TRI。,