1、耦合电容的选取耦合与隔直电容串联在电路中，耦合电容选择适当能将保证射频能量得到最大限度的传输。一个实际电容能否满足电路耦合要求，取决于随频率变化的电容相关参数：串联谐振频率 FSR、并联谐振频率 FPR、纯阻抗、等效串联电阻 ESR、插入损耗 IL 和品质因数 Q。上图 50线路中的两个射频放大器由耦合电容 Co 连接，Rs 为 ESR，Ls 为ESL，Cp 为寄生并联电容，与并联谐振频率 FPR 有关。阻抗幅值： ，很大一部分取决于其纯电抗 ，2CL2)X-(ESRZ )X-(LC设计者需要知道电容在整个频带上的阻抗幅值。串联谐振频率： ，即自谐振频率，与本征容值 Co 有关；so21F此频
2、率时，耦合电容阻抗的实部为 ESR，虚部为零。ATC 耦合电容有关参数如下：其中，瓷介质电容 ATC100A101（100pF）的 FSR=1GHz，ESR=0.072，其 Z-F 曲线如下图所示：频率低于 FSR 时，电容纯阻抗表现为容性，阻抗幅值为 ，为双曲线；C1频率高于 FSR 时，电容纯阻抗表现为感性，阻抗幅值为 ，为直线；L测量电容的 S21 可发现：在 FSR 时，电容提供最低阻抗通道；在 FPR 时，电容阻抗猛然升高，引起极大损耗。在耦合线路中，工作频率比 FSR 稍高。只要此时电容的纯阻抗（感性）不高，就不影响电路性能。并联谐振频率 FPR，决定电容的带内插损 。在电容的 F
3、PR 处有明显衰减槽口，若 FPR 落在工作频带内，则要考察衰减槽口深度，线路能否承受该损耗。通常十分之几 dB 的插损是可接受的。ATC100A101（100pF 片式电容，水平安装，电容极板平行于线路板）插损与频率关系如下图：由上图可知，在 200MHz1.5GHz 之间，电容插损0.1dB；若将电容垂直安装，即电容极板垂直于线路板，就能压制 1.6GHz 处的并联谐振窗口，电容的可用范围扩展到 2.4GHz 左右。所以改变安装取向可扩展电容的适用频率范围，用于宽带耦合电路。等效串联电阻 ESR 和品质因数 Q：ESR 是电容内所有串联损耗的总和，由介质损耗 和金属损耗 组成，SDRSM一
4、般为 m级。 SMDRE介质损耗 ，由介质材料特性决定，每种介质材料都有自己的损耗系数，S通常称损耗正切或耗散系数（DF） 。损耗造成介质发热，极端情况下使元件失效。耗散系数（DF）是介质损耗很好的指示，通常在低频（1MHz ）时测得，因为该损耗在低频时起主导作用。金属损耗 ，由电容中所用金属材料的导电性决定，包括电极板、终端SMR和阻挡层等， 造成电容发热，极端情况下使元件失效。高频时，这些损耗包括“趋肤效应 ”，损耗程度和频率关系为 。f产品说明中的“ESR-频率”曲线通常集中在金属损耗为主的频率范围内，介质损耗可忽略不计。品质因数： ，即电容纯电抗与 ESR 的比值。ESRX-QCLN设
5、计者需知道电容在整个工作频带内，特别是高于 FSR 时的 ESR，在趋肤效应开始影响损耗时，ESR 正比于 ，此时趋肤效应为主要损耗来源。衰减f槽口在 FPR 处产生，槽口深度与 ESR 成反比，所以电容的 ESR 对 FPR 处的衰减槽口影响很大。隔直电容取值：（旁路电容也按此取值）100MHz 取 1000pF400MHz 取 100pF900MHz 取 33pF1.2GHz 取 10pF2.5GHz 取 5pF10GHz 取 12pF0.8pF大于 2GHz 采用陶瓷微波芯片电容经验公式： ，f 为要通过的最低频率。f30125C 100kHz 信号用 0.01uf 电容测的输出为 -5dbm，换成 0.1uf 的，输出为 5dBm。除满足 x=1/wc 外，频率太高时要考虑 q 值，要用高 q 值微波电容微波去耦电容也有用微带线设计，有扇形，有方形，尺寸和工作频率相关。
