1、TFT工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称第 1页共 22页 一TFT 工艺流程中英文标准名称Array Process Flow 阵列段工艺流程Unpacking 拆包装Initial clean 预备清洗Input投料Particle count 尘埃粒子测试Clean before depo 成膜前清洗Gate （Mo/Al alloy ) Film depo 栅电极成膜RS meter 电阻测量Macro Inspection 宏观检查Clean before PR 涂胶前清洗Pre bake 预烘PR Coating 光刻胶涂布PR vacuum dry(VCD) 光刻胶低压
2、干燥PR soft bake 前烘Expose 曝光Titler Expose/Edge Expose 打标/边缘曝光Develop 显影PR hard bake 坚膜ADI 显影后自动光学检查Mic/Mac Inspection 宏微观检查CD after develop 显影后关键尺寸检查Total pitch 长寸测量Gate Wet etch 栅电极湿刻Contact angle 接触角测量PR strip 光刻胶剥离CD after etch 刻蚀后关键尺寸测量AEI 刻蚀后自动光学检查Micro/Macro Inspection 宏微观检查Gate栅电极层Laser Repair
3、激光修补Clean before depo 成膜前清洗Active film depo Active成膜AOI 自动光学检查Macro Inspection 宏观检查Thickness Measurement 厚度测量Clean before PR 涂胶前清洗Active层Pre bake 预烘TFT工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称第 2页共 22页 PR Coating 光刻胶涂布PR vacuum dry 光刻胶低压干燥PR soft bake 前烘Expose 曝光Develop 显影PR hard bake 坚膜ADI 显影后自动光学检查Mic/Mac Inspection
4、 宏微观检查Active film Dry etch DI water; Deionized Water 去离子水UPW 超纯水Vent 破真空，真空环境下的玻璃送至LoadLock闭锁时，通入氮气平衡压力，以防止剧烈的气压变化造成破片Purge 清洁（用 CF或 NF系列的气体通入 CVD清除器壁累积的硅）Rinse 冲洗Veri-Code 二维码Bar-Code 条形码Vacuum 真空Plasma 等离子 PE (Plasma Etch) 等离子刻蚀机Uniformity 均匀性(类似(大-小)/平均值的概念)Array阵列段Etching Rate 刻蚀速率(=刻蚀厚度/时间)Dete
5、rgent 清洁剂- Butyrolactone -丁内酯, 简称 液, 用于清除 APR版上的 PIPS (Photo Spacer) 光刻胶衬垫料（功能与普通的Spacer相同, 一般用于大尺寸产品, 且可得到较好的 cell gap）UV sealant UV 胶（用于两块玻璃基板组合时假固定用）Polyfron 均压纸（ 基板压合时使用, 用于分隔基板, 可使压力均匀分布以及减少杂质所造成的损害）CDA (Compressed Dry Air) 压缩高压干燥空气Cell制盒段Control box 电源控制箱TFT工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称第 22页共 22页 Val
6、ve 阀门, 控制阀Breaker 电源开关, 继电器Clean booth 洁净工作台Chip 芯片Tape 胶带Screw 螺丝FPC (Flexible Printed Cable) 柔性印刷线路板PCB (Printed Circuit Board) 印刷电路板TAB (Tape Automated Bonding) 自动连带式贴合OLB (Outer Lead Bonding) 外引脚接合ILB (Inner Lead Bonding) 内引脚接合COG (Chip on Glass) 芯片压合在玻璃模块段ModuleACF(Anisotropic Conductive film) Film)各向异性导电膜
