1、保护板知识讲解1、 保护板的主要保护功能：过充电保护功能过放电保护功能过电流保护电流 包括过流 1 过流 2短路保护2、 主要器件IC 它由精确的比较器来获得保护可靠的保护参数，主要参数：-过充电压-过充恢复电压-过放电压-过放恢复电压-过流检测电压-短路保护电压-耗电MOSFET 串在主充放电回路中，担当高速开关，执行保护动作。我司所用的都是串在 B- P-间。MOSFET 包含三个电极：漏极 （D） 源极（S） 栅极（G） ；当 G 极为高电平时，D 极与 S 极导通，当 G 极为低电平时，D 极与 S 极断开。主要参数:-内阻-耐电流-耐电压-内部是否连通-封装FUSE PTC ：二次保
2、护器件。电流导通流程图：正极:B+ FUSE P+负极:B- MOS(2、3) 脚 MOS（1）脚 MOS（8）脚 MOS（5、6）脚夫 P-通常状态： 当电芯电压在 2。5V-4。2V 之间，IC 的充电控制脚（第 1 脚）和放电管控制脚(第 3 脚)同时处于高电平,充电 MOS、 放电 MOS 同时打开，B-与 P-连通,保护板有输出电压,能正常允放电.-过放状态:当电池接上手机等负载后，电芯电压渐渐降低，同时 IC同部通过 R1 电阻实时监测电芯电压，当电芯电压降到 IC 的过放保护电压时，IC 放电控制脚（第 1 脚）输出电压为 0V，即低电平,放电 MOS 关闭,无输出电压。-过充状
3、态：当电池通过充电器充电时，随着充电时间的增加，电芯电压越来越高，当电芯电压升高到过充保护电压时，IC 将认为电芯处于过充电电压状态，IC 的充电控制脚（第 3 脚）输出为低电平，即 0V；此时充电 MOS 管关闭，B-与 P-处于断开状态，充电回路切断，充电停止。保护板处于过充状态并一直保持。等到 P+ P-之间接上负载后，因此时虽然充电管处于关闭状态，但其内部的二极管的正方向与放电回路的方向相同，故放电回路可以放电，当电芯电压被放低至过充电恢复电压以下时，充电管又导通，电芯的 B-与保护板的 P-又重新接上，电芯又能正常的充放电。-过流及短路保护：当电池的负载电流超过 IC 的过流保护值时
4、,IC 的放电控制脚（第 1 脚）输出低电平，MOS 管关闭。3、 常见的问题点：-内阻大：决定电池内阻的器件有 PCB 的线阻， MOS 管的导通内阻，FUSE 的内阻，电芯内阻及镍片的电阻。解决方法：首先判断电芯内阻（一般要求小于 60m）是否超过标准，其次是测试保护板内阻（一般要求小于 60m） 、FUSE 内阻（一般要求小于 15m） ，最后检查镍片及接触电阻（一般要求小于15m）-无电压无内阻（不能充放电等）：无电压无内阻通常是充电MOSFET 关闭或放电 MOSFET 关闭或充放电 MOS 同时关闭，导致MOS 管关闭的原因有 IC 不能正常工作或 MOS 管自身损坏或 MOS连锡
5、，虚焊。解决方法：先检查 IC 第 5 脚电压电否正常（电压与电芯电压相同） ，第 6 脚与 B-是否连好，电芯电压是否正常，R1 电阻是阻值是否正确，R1 是否虚焊。其次检查 IC 的充电控制脚（3 脚）和放电控制脚（5 脚）电压是否正确（在通常的状态，IC 的 1、3 脚都是高电平，等于电芯电压） 。再次检查 MOS 是否短路，虚焊。无 ID（热敏）：ID 电阻一端连接保护板的 P-端子，一端连接保接保护板的 ID 端子，若有此类问题时，可首先确认线路是否导通，其次可确认电阻本身是否不良或是否连锡。短路保护、过流保护不良：可先检查 R2 是否虚焊，IC 的过流检测端子（IC 的第 2 脚）是否虚焊，若无以上两种不良，那么应是 IC本身损坏。
