1、1 /25,TFT断面图,Glass面板,Gate(闸门),Source(信号)/Drain(漏极),a-Si,Pixel(像素),Pixel Array(像素陈列),. TFT制造工序,保护膜,n+ a-Si,绝缘膜,1) TFT断面图,2 /25,清洗工序 (Cleaning),绝缘膜及半导体膜 (Insulator & a-Si, n+ a-Si),闸门电极 (Gate Electrode),2.制造工序图,SUBSTRATE(基片),坚膜工序 (Deposition),PR涂屏 (PR Coating),曝光 (Exposure),玻璃面板 (Glass),数据电极 (Source/D
2、rain Electrode),显影 (Develop),脱膜工序 ( Strip),检测工序 (Inspection),湿刻蚀(Wet Etching),干刻蚀(Dry Etching),刻蚀工序 (Etching),坚膜 / 图案工序详细图 (Deposition & Patterning Process in Detail),保护膜 (Passivation),像素电极 (Pixel Electrode),Patterning(图案),Patterning,Patterning,Patterning,Patterning,Photo工序,3 /25,1. 坚膜(Deposition)工序
3、 : 将Gate电极、Data(Source/Drain)电极、像素(Pixel)电极、绝缘膜(Insulator)、保护膜(Passivation)以及半导体膜(a-Si,n+ a-Si), 以物理或化学方法, 使其在Glass(玻璃)上形成膜的工序. - 坚膜方式有, Gate电极、Data(Source/Drain)电极、像素(Pixel)电极是金属物质(铝、铬、ITO、钼)，利用物理方法的Sputtering（溅射）工序。- 还有，绝缘膜(Insulator)、保护膜(Passivation)、半导体膜是SiNx ,a-Si, n+ a-Si，利用化学方式的PECVD 工序.2. 清洗
4、(Cleaning)工序 : 将Glass板上的异物或Particle(偏的), 利用D.I Water去除的工序,对生产率有一次的影响. 特别坚膜前的面板清洗工序是提高膜的黏着性(adhesion)的因素. 3. Photo工序 : 坚膜的Glass上镀感光剂(PR), 在Photo Mask的Pattern(光栅)上透光之后, 利用显像液留下所需的Pattern部分的工序, 与一般照片现像一样.4. 刻蚀(Etching)工序 : 对去除感光剂(PR)部分的膜, 利用物理、化学方法有选择地去除的工序。 刻蚀方式有如下的两个方式。- Wet Etching ；是利用化学溶液刻蚀金属物质(铝,
5、铬, ITO,钼)的方式。- Dry Etching ；是利用Gas Plasma刻蚀SiNx ,a-Si, n+ a-Si的方式。5. 脱膜(Strip)工序 : Etching工序后，去除为形成Pattern而留下的感光剂(PR)的工序。6. 检测(Inspection)工序 : 调查/评价工序、半成品，产品的质量判定良、不良的工序。- MPS方式 ；施加电气性信号而检测TFT的驱动特性及特性不良，线不良、点不良等的方式。- Pattern方式 ：处理Array内的反复的Pattern 图象，检测非正常的Pattern(点不良、线不良)的方式。- Macro方式 ；处理Array内的反复的
6、Pattern图象， 做目力检测的方式。,. TFT工序细节说明,1.工序详细图,4 /25,2.Sputtering方式 : 是Target(主要是金属)和Glass之间的Plasma, 将Target物质贴在Glass上的工序.- Plasma是两个电极之间注入的不活性Gas上施加高电压, 从而成为离子化而生成.- 离子化的不活性Gas在Target上冲突, 在此脱掉的Target物质移到Glass而形成膜.,1.PECVD 方式 : 利用两个电极之间注入Gas之后施加高频率电源而生成的Plasma(等离子), 在Glass上生成膜的方式.- 离子化的Gas在Glass上再结合而形成膜.-
7、 Sputtering方式利用离子的物理性反应(冲突), 但PECVD方式利用离子的化学性反应(再结合). - PECVD是Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition的简称.,2.坚膜工序,5 /25,3. 清洗(Cleaning)工序 : 将初期投入或工序中Glass或膜表面的污染、Particle事先除去，以免发生不良的工序。对确保膜与膜之间的黏着性(adhesion)有所帮助。清洗主要Unit有UV清洗Unit、Brush清洗Unit、Mega Sonic Unit和CJ(Cavitation Jet) Unit. UV清洗Unit是, 使用从低压
8、汞lamp发生的UV光，切断有机物的化学结合，发生氧气反应器而氧化分解有机物的UV清洗Unit。Brush清洗Unit是，在Glass上加物理的力，去除Glass上黏着的Particle的Unit 。Mega Sonic Unit是，因震动而机械性Energy的物理力，将污染物掉落在氢气液中的Unit.CJ(Cavitation Jet) Unit是, 利用强压力而清洗的Unit。而且清洗工序中干燥DI Water的方式采纳利用圆心力而干燥面板上的DI的Spin Dry方式.,4. Photo工序 : 是指, 用膜上形成要制作形态的Mask通过光, 其形态从Mask移到感光剂(PR)的作业，包
9、括感光剂涂屏(PR Coating)、曝光及现像等的工序。PR Coating是将所需厚度的PR在Glass上均匀形成。曝光分为Mask和Glass的整列、光的Exposure，主要注重于将一定的光量均匀电射的Mask和Glass的整列正确度。现像是将曝光的PR部分使用现象液在面板上形成PR Pattern. PR是Photo Resistor的简称，是一种感光剂，由Polymer、Solvent、 Sensitizer构成.,PR Coating,曝光,现象,3.清洗/photo工序,6 /25,5. Wet Etching(湿刻蚀)工序 : 除根据面板上的PR而形成Pattern以外露出的
10、部分,利用化学药品刻蚀的工序,主要用氧将金属膜离子化而刻蚀的工序.- 有Spray方式和Dip方式, 但主要使用以物理冲击可提高Etching Rate及Etching Uniformity的Spray方式.,6. Dry Etching(干刻蚀)工序 : 利用在两个电极之间注入Gas后施加高频率电源而生成的Plasma刻蚀 Glass上的膜.- PR Pattern以外露出的膜上利用物理性化学性反应而刻蚀.,4. Etching工序,7 /25,8. 检测工序 : 调查/评价工序、半成品、产品的质量选别良、不良的工序。检测方法有，施加电气性信号检测TFT的驱动特性及特性不良、线不良、点不良等的MPS方式，还有处理Array内反复的Pattern(图象)，检测非正常Pattern(点不良、线不良)的方式的Pattern方式和目力检测的Macro方式。,7. Strip工序 : Etching工序后, 除去为形成面板上Pattern而留下的感光剂(PR)的工序.- Strip工序的必须条件是完全除去PR, 下部膜不应有损伤, 还要维持为进行下一工序的均匀的表面状态.,5. Strip/检测工序,
