1、6.4 晶体管功率放大器的高频特性,晶体管在高频大信号工作时，他的内部物理过程相当复杂。当频率升高时，晶体管的输出电流实际值减小，而且有额外的相移。产生上述现象的原因主要是少数载流子在基极扩散的渡越时间和结的势垒电容的影响。,6.4 晶体管功率放大器的高频特性,图 6.4.1 在低频和高频工作时的发射极电流脉冲波形,6.4 晶体管功率放大器的高频特性,6.4 晶体管功率放大器的高频特性,b,e,c,当发射极电压对基极变成反向偏置（截止）时，在基区内储存的非平衡少数载流子来不及扩散到集电极，又被反向偏置所形成的电场重新排斥回发射极，形成了负脉冲。同时，主脉冲的高度也有些降低。此外，频率升高后，增
2、加了通过发射结电容的电流，使基区电阻上的电压降增大，因而结电压下降。结果减少了由发射极注入基区的载流子，也使主电流脉冲高度降低。,6.4 晶体管功率放大器的高频特性,图 6.4.2 晶体管在高频大信号工作时各极 电流脉冲波形的关系,6.4 晶体管功率放大器的高频特性,6.4 晶体管功率放大器的高频特性,晶体管在高频工作时的一些特点如下： 发射极电流出现负脉冲，而且主脉冲高度有所下降。 发射结的有效激励电压小于外加激励电压，集电极电路流减小，因而在实际调试时应适当加大外加激励电压与激励功率。 集电极电流基波分量落后于激励电压，因此使输入与输出电压的相位出现了附加相移。 基极电流直流分量减小，甚至可能出现反向直流电流。 各极电流不能从晶体管的静态特性曲线求出，特别是基极电流，会产生很大的误差。,
