1、E q8 q/ 张 波 陈万军 邓小川 汪志刚 李肇基(0 S/v0“ qSE L i, 610054)2009-07-01 l, 2009-09-05 lK1:T 8 V, z8( GaN) A !s ?, 、v q 8 , + Y 5 ( Schrdinger)ZAlGaN /GaN HEM T qI-V# t= 49。 q q7, q A I n M u q ?Y。 H, I n q q、v ,yN1 r、0 %M q、 2DEG i1“9 y GaN q q A I ny 。 “ -,S=GaN q q n。2. 2 / M , GaN/ | vZ,GaN q q7, i“G。B,9
2、AlGaN /GaN HEMT LC/ 。 , LC9 AlGaN /GaN HEM TZ, “ -S= AlGaN、E、 PEZE, Y L s , LC il9 HEMT q。N, AlGaN| q M u2DEGi,V79v qYE;7E EY K|/V J,7 O V e。“ -, 3 PGaNAlGaN1 4,7 O/ a1, q_l、 ?Z1。K,B/ $ LC9 AlGaN /GaN HEM T q q50。/ YV 08ZE| 0( F- )o+E/AlGaN =, 0 O, | 6AlGaN2DEG ,V7o+E/ 2DEG,1。 F 0 V U:Vth = OB /e -
3、de/X- Ec /e+ Ef0 /e - eNb /Cb- eXd0dxx0 NSi (x) - NF(x) dx - edNst /X(4)T,OB -8o+ ;e s ) ; d AlGaN ;NSi(x) Si i;Ec AlGaN /GaNs7 1 f o: q8 q/ ) M ; Ef0 Fermi ?)GaN ?);X AlGaN ; Nb ( Buffer)rJW ;Cb Buffer-2DEGrJW ; e 0,NF(x) i; Nst V JW 。=, C E 3/ 。 “ - EAlGaN /GaN HEMT q q/ K 、KW。 7HEMT qo+EP q # T T
4、 AlGaN /GaN HEM T VE5。 EGaN MOSFET q ?z % 5,7 OGaN MOSFET q HEM T q ) r。 M , “(GaAs)8“E 3/ , MOCVD( Metal-organicchemical vapor deposition)、 ALD ( Atomic layerdeposition)/ | v?Z,t/ H9 GaN MOSFET?Z51。 T. P. Chow q 5lFSACMOSTGaN MOSFET q q。 S. Pearton 5lF E( Ga2O3、 Gd2O3、Sc2O3、 MgO、 MgCaO、 SiNx、GaN)|
5、1 31011cm- 2 。 , “ - E 3/ , %M q PGaN MOSFET LB ,yN C E 3/ E GaN qMOSFET q?Z。 , C L 0/ 、 PGaN/、 x (。 GaN8“ “5 , P/, d ,yNAv P a,7v ? 0 9 ,H4 s q 4。 “ -PGaN “5 b i、 %M q、 x (Ev。o+ 、 x (B4。 ,GaN q V L q 。GaN q7,JW、 J、V ) / 、 Buffer P、v #/o+E |(HEM T q7)、 EV(MOSFETMIS-HEM T7)5YGaN q V L5。 H,SiC qB“, Ga
6、N q9 “ 5G,+Y GaN“SiC ) q , .“ SiC,yNF GaN q 5,V7v qGaN q q 54 -G。2. 3 % / 。 “ -GaN , g ?42jGaN ,7 ON L。; q、 RF q 5w/,GaN | ?Z。 2008 M, IM ECAixtronAG200 mmA AlGaN /GaN,T /GaNq qBvZ,GaN q qv? 52。N, Picogiga、 Nitronex、 IQE、Azzurro、 NTT、 Covalent Materials 7?A4/6jGaN 。 H, 2006 M,ESSoitec“v /Picogiga 7?
7、GaN3SopSiC“ 53 , SiC,yNAM1 q, ? , 6B5 SiC *“ sj,TGaN q8/ ?Z4 B4。 vSiGaN ? , s K, PAGaN q q:_ 0 sK, q ,1 200 V,V7K GaN q qT 5 =。SapphireGaN q q .“ 7K v qZ 。MLSiC “ESiCGaN q qW。yN,? 、GaN GaN q q?Z “GB。3 结束语GaNV 8 $IT?。 GaN q8 ,C ?Z z8SiCq8 q, “GaN ,#GaN q q。;B ( ZENG Yiping) 3, 1961 M 3, = + ,p V 3 =,
8、1V Y8 q。( 10:) 48 Rashmi, Abhinav Kranti, Haldar S, et al. Anaccurate charge control model for spontaneous andpiezoelectric polarization dependent two-dimensionalelectron gas sheet charge density of lattice-mismached AlGaN /GaN HEM Ts J. Solid-stateElectronics, 2002, 46 (5): 621-630.49 Li Miao, Wang
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