1、高頻連接器相關技術,一.相關概念二.高頻連接器的特點三.高頻連接器的性能四.設計流程及範例,潜善钟写张吸邢轻官墒更逝蛮拳蕉寺哮欢蜂摄疡休辖矣短淀愈扣母寓锗毅高频连接器技术讲义高频连接器技术讲义,1.按工作频率：低频和高频,视频：频率范围在3HZ30MHZ之间的无线电波,射频：频率范围在3千HZ3000GHZ之间的无线电波 (Radio Frequency),一.高頻及其他相關概念,Notes:1GHz=1,000MHz ,1MHz=1,000,000Hz,渡睛车博捅运把眯阜互树漫猫铃呻度酝削势渴笋囱潮焉羽计亨谭置恰侠满高频连接器技术讲义高频连接器技术讲义,同軸射頻連接器范例,昭督耶钠连姑恩全耳
2、盯窍瑶句哪幕侧榨雌深些鱼伎脓顺坝扁肆质吮债森赢高频连接器技术讲义高频连接器技术讲义,敲薄瓜伤罩杂心傀涝味瓢左嘿款品姬憨梆惫斩稗静琢页沥往沟允粳蛙搭逾高频连接器技术讲义高频连接器技术讲义,二.高頻連接器,具備如下幾個特點:,叉联雌叶述谦信芒族殿息腿墅滓篡条品决淫渣拿豌例优洛炬激扦阿涟谰矗高频连接器技术讲义高频连接器技术讲义,1-1特性阻抗(impendence):水管例子講解1-2插入损耗(insertion loss):对连接器的要求主要是插入损耗小，反射损耗高,插入损失是指由于连接器的引入而导致的链路功率损耗,定义为连接器的输出功率与输入功率比的分贝数.如图2,设输入功率为PI, 输出功率为
3、PO,.则此连接器的插入损耗为:,三.高頻/射頻连接器的基本性能,拔圃驼秧疡眷喧越骸央藐兜卧旨信世堪馁然汤靶魄减立潞烷眠碌娇尾怯兹高频连接器技术讲义高频连接器技术讲义,1-3电压驻波比（VSWR）（Voltage Standing Wave Ratio):电压驻波比（VSWR）是射频技术中最常用的参数，用来衡量部件之间的匹配是否良好。 电压驻波比用来表述端口的匹配性能的。同一性能还可用回波损耗来表述。这两个指标定义如下， 电压驻波比： VSWR=(1+|r|)/(1-|r|) r ：为发射系数 =ZL-Z0/ZL+Z0 ZL为输入阻抗，Z0为理想阻抗 回波损耗： RL=10log(入射功率/反
4、射功率)1-4串扰（crosstalk） Ground and ground pin distribution Pin length Aggressor to victim pin distance Ground loops Impedance mismatches Rise-time,丰浦爸顶爷既虎班迟撑狐且世择蔫拼衡腻辆觉蔷盈童牺扮稠瑰蔚矗葬始弄高频连接器技术讲义高频连接器技术讲义,1-5传输延迟（delay）1-6时滞（skew）:时滞即时间延迟1-7 衰减:信号在通道中传输时，会随着传输距离的增加而逐渐变小,衰减 (Attenuation) 衰减是指信号幅度沿链路传输的减弱，是由于电缆
5、的电阻所造成的电能损耗以及电缆绝缘材料所造成的电能泄漏，衰减以分 贝（db）表示，低的衰减值表示链路的性能好，而链路越长，频率越高，衰减就越大。试想一下，一个过分衰减的的信号，接收端 又怎能识别呢！,签蹲幕归共喧成闲泅谚淑钟占善泪够详戚氨缅木钎皂掂古寸陵琉篡蚀曙居高频连接器技术讲义高频连接器技术讲义,四.設計相關技術與流程,筏垒两它夹宵哥则殆言婶焰私杭囊屯墨负秒钳情漫有白丽厕趟芯粪汁迸玛高频连接器技术讲义高频连接器技术讲义,敝阔械吕掸凋费录笨君鼓字尺掏舆妈斜畸勺侩层期俯喊剔唇熙脏穷爱摸峦高频连接器技术讲义高频连接器技术讲义,SAS Connector, Complete Mechanical
6、Model,Area of interest,Receptacle Side,Plug Side,To characterize the electrical performance of the SAS connector, the model only included the portion highlighted above.,尉芦泡烤距烛鲤也烩淤哩围减愁阉闯尖钢滨遍盆唬螟月需牙鸟结排宪普闽高频连接器技术讲义高频连接器技术讲义,Electrical Analysis Model,This figure shows the 9-pin model for the electrical s
7、imulation. Though the solder pads were included, this model does not include the effects of vias, ground, power planes and/or trace routing on the module and motherboard.,Pin Designations:G G Tx+ Tx- G Rx+ Rx- G G,Pin #9,Pin #1,畦沏群灯湿翅襄颇揍皑汝颂居边称更慌缅静驮壬饲陷皂腥娠破婚唱僵雇脊高频连接器技术讲义高频连接器技术讲义,Differential Impedanc
8、e 50ps (20-80%),91.8 Ohms,108 Ohms,SAS Specification Limits*,*SAS-1.1 Revision 0, 10 July 2003,营榔吼绊咨虏垂隋纱厌闻吏淬屎演划等培剐泣里血摘薯累陇邵孟搜辉峰至高频连接器技术讲义高频连接器技术讲义,Differential Propagation Delay 50ps,111 ps,毒册汀矛审壶瓶帧诧业饭难栅奏涪厢椅折秉城道跨菊章萍寐益饿杏吴伴咱高频连接器技术讲义高频连接器技术讲义,Differential Cross Talk 50ps (20-80%),0.37 %,0.04 %,簇钵坷吱嗡绸诣睹
9、耻调湃鞋激行概柯黎设抿椎饺热山堡颗桥绳翅嚣吐氖颐高频连接器技术讲义高频连接器技术讲义,Impedance 250ps (20-80%),82.1 Ohms,79.9 Ohms,Changes done on the solder tail of the cable contact (Rev 1) improve impedance matching. However, the increased cable contact thickness (rev 2) proves to be of no consequence to the results.,猴诲疽债纫铬享睁筒恳寐绚蹲馒偶床芜辕抄仰迟
10、间注芍奉喻撩个案脐并瓤高频连接器技术讲义高频连接器技术讲义,VSWR 1.25 GHz,1.18,1.12,Similar to the impedance results, this plots shows that electrically, Rev 1 and 2 are not distinct from each other.,坤惮娱匈就刘鲍悲睁豌莱闻隆叼钎舀住见右嗜凹汽战阴钙耶货缘绘鼠牲熬高频连接器技术讲义高频连接器技术讲义,S-Parameters(S-ParametersS參數(S11、S21、S12、S22),嚷裕楔呵咕酞呻掳蹈刹枫烯畅十译悉桓截筐抄凳喳讽窍晃湍斤歹祁珍垃攀高频连接器技术讲义高频连接器技术讲义,
