1、电子基础培训,巅峰照明是专业生产照明灯饰的公司，主要产品有高性能电子镇流器、灯箱电子、T8、T5、T4支架、电子变压器等，这些灯具里面的电子整流器也是由各种电子元器件排插在PCB 组成的，电子元器件有电阻、电容、二极管、三极管、磁环、电感、集成块IC等、我们在这里先对构成这些电器设备的电子元器件作一定的了解！,常用的电子元件主要有以下几种 1、电阻2、电容3、二极管4、磁环 5、电感 6、三极管7、可控硅,电阻,1、电阻定义：反映导体对电流起阻碍作用大小的一个物理量。2、电阻用字母表示、电阻单位欧姆,用符号表示。常使用到的单位还有K、M、G，其单位转换为:(1x 10-6 G= 1 x 10-
2、3 M= 1 K= 1x 103)1G =1000M 1M=1000K 1K=1000。3、电阻的主要指标：标称阻值、允许偏差、标称功率、最高工作电压、稳定性、温度特性。,左示图中表示的为四环电阻的读值方法，另外有五环电阻，其读值方法与其大致同，只是前三环颜色表示为实际数值，后两位分别为x 10 n和公差值。,色环电阻的读值方法如下,阻值公差x 10 n第2位数值第1位数值,下图为电阻的实物图,上面为金膜电阻和碳膜电阻、特别注意的是：色码电感与金膜电阻相似、颜色差不多、几种特殊电阻，热敏，光敏、水泥，这里不作详细讲解。,电容定义,1、电容定义：两金属导体中间相互绝缘介质相隔，可以储存电能的容器
3、叫电容。2、电容特性：隔直流通交流。,瓷片电容,电解电容,电容长脚为电容正极，短脚为电容负极，瓷片电容没有正负区分,固定电容使用方法,固定电容就可分为有极性电容和无极性2种电容、使用有极性电容时应注意引线有正、负、区分、在电路中、电容的正极接电位高的一端、负接电位低的一端。如果极性接反了、漏电流增大就损坏电容、严重的会导致电容爆炸。在电路里的符号为“C”，图形符号为“ ”，有极性电容的符号为“ ” 。,电容单位,电容的单位为(法拉)，符号为“F”，常使用到的单位还有uF、nF、pF，其单位转换为:1 F = 106uF 1 uF = 1000nF 1nF= 1000pF,电容器的主要性能指标,
4、1、电容器的主要性能指标有：容量、允许误差、额定工作电压、介质损耗和稳定性。2、标称容量和允许误差：电容标称容量并不是一个准确值，同标称实际容量有误差，按精度可分为“级，5、2级，10 3级，203、额定工作电压：指电容长时间安全工作所能承受的最高直流电压，电容外表壳有标注。,绦纶电容 特殊标法,绦纶电容 与普通电解电容标志不一样，它没有把容量直接标注在外壳上，而是用字母表示，如：耐压：2G：表示400V 2J：表示630V 2E：表示250V， 2A：表示100V 3A：表示1000V。误差J： 允许偏差值为5；K：允许偏差值10。,右图为CBB28/272电容它误差5,二极管特性和参数,二
5、极管定义：在PN结两侧的中性区，各引出欧姆接触的金属电极，就构成闻简单的半导体二极管。伏安特性：二极管的电流随外加偏置电压变化的规律，叫二极管的伏安特性，“单向导电”。正向特性：二极管两端加正偏时，就产生正向电流IF，（锗管约0.20.3V，硅管约0.6 0.7V）。,反向特性：二极管两端加反偏时，就产生反向电流IR、反向电流IR受温度影响较大、硅管每上升8增加一倍、锗管每上升12增加一倍。二极管主要参数：1、最大整流电流I：允许通过二极管的最大的正向平均电流。2、反向击穿电压VBR与最高反向工作电压VRM、：指二极管反向击点的电压，超过此值，二极管损坏。,二极管在电路中常用符号,1、二极管在
6、电路中常用到的几种符号：2、特别注意的时，二极管与DB3外表相同在使用时要注意区分。,右图为二极管与3的实物图,二极管特性图,0.2,0.4,0.6,0.8,10,20,30,5,15,30,IFMA,UF(V),UR(V),IR(um),稳压二极管的特性和参数,1、定义：外加反向电压大到一定数值，击穿时通过管子的电流在很大范围变化，而管子两端电压却几乎不变特性叫稳压。2、稳定电压：指稳定电压范围。3、稳定电流：稳压管工作时的最小电流值，小于该电流时稳压管不起作用，内阻大。4、耗散功率：稳压管所允许的最大功耗，超过此功率时管子将因热击穿而损坏。,三极管的特性和参数,1、三极管的定义：两个相距很
7、近的PN结做成，由两个PN结相互影晌，而具有电流放大功能，2、电流放大系数：在直流和交流两种情况下分别用符号表示，其中电流放大系数为： ,ICICO,IB,3、集电极最大允电流ICM;: 晶体管正常工作时的最大的电流。4、集电极发射极间击穿电压VCEO：基极开路时，加于集电极与发射极的的反向击穿电压。5、集电极最大允许耗散功率PCM:由于集电结是反向接通，通过电流IC后会产生热量使三极管集电结温度上升，特定出集电极的最在允充耗散功率，应满足UCEicPcm.,三极管的测量：,晶体三极管可以用万用表进行管脚识别和检测。检测时将万用表置于“R1K”档。一、 检测NPN管：先用黑表笔接某一管脚，红表
8、笔分别接另外两管脚，测得两个电阻值。再将黑表笔换接另一管脚，重复以上步骤，直至测得两个电阻值都很小，这时黑表笔所接的是基极B。改用红表笔接基极B，黑表笔分别接另外两管脚，测得两个电阻值应都很大，说明被测三极管基本上是好的。,二、检测PNP管：先用红表笔接某一管脚，黑表笔分别接另外两管脚，测得两个电阻值。再将红表笔换接另一管脚，重复以上步骤，直至测得两个电阻值都很小，这时红表笔所接的是基极B。改用黑表笔接基极B，红表笔分别接另外两管脚，测得两个电阻值应都很大，说明被测三极管基本上是好的。基极B确定以后，即可识别集电极C和发射极E，并测量三极管的电流放大系数“或hfe”挡的万用表测量：万用表置于h
9、fe“挡，将三极管插入测量插座（基极插入B孔，另两管脚随意插入），记下读数。再将另两管脚对调后插入，也记下读数。两面三刀次测量中，读数大的那一次管脚插入是正确的。测量时需注意NPN管应插入各自相应的插座。,3、将万用表置于“Rk”挡（以NPN管为例），红表笔接基极以外的一管脚，左手拇指与中指将黑表笔与基极以外的另一管脚捏在一起，同时用左手食指触摸余下的管脚，过时表针应向右摆动。将基极以外的两管脚对调后再测一次。两次测量中，表针摆动幅度较大的那一次，黑表笔所接为集电极，红表笔所接为发射极。表针摆动幅度越大，说明被测三极管的值越大。,由于锗材料三极管的结压降约为0.3V,而硅材料三极管的PN结压降约为0.7v,所以可通过测量b-e结正向电阻的方法来区分锗管和硅管。方法是：万用表仍置于“Rk”挡，对于NPN 管，黑表笔接基极b，红表笔接发射极e,如果测得的电阻值小于1k，则被测管是硅管，对于PNPTP ，则对调两表笔后测量。,
