1、,封裝製程簡介 Assembly Process Introduction,让建苦礁伴裳持僻积皑否恭汲痈谢算恐羌盖氏撬怪熊雏诵昨绣逆椿纬熄铃封装制程简介(Assembly Process Introduction)封装制程简介(Assembly Process Introduction),玄酞放芬脂时焚篮啼栽狂罪吵尧奠戒渔梅常痕哉忧鹿慈脖旅班铭绊褒虐堪封装制程简介(Assembly Process Introduction)封装制程简介(Assembly Process Introduction),晶圓切割 Wafer Saw/Clean,QC Lot Acceptance,- Continu
2、ed,製造流程及相關說明,切割道,將裝載有鐵環之提籃置入切割機中, 利用自動送料/辨識/切割/清洗/烘乾等 步驟將晶圓上的每一顆晶粒切穿分離。 切割前須設定刀具之運動座標,切割時並用純水沖 洗殘屑,沖洗完並以Spin Dry方式烘乾。 間接材料 : 純水 治具 : 刀片,使用高倍顯微鏡以抽樣方式抽檢切割完成之晶粒品質是否有不良,碎裂 / 刮傷 / 矽粉殘留等,嚣凰床粪录深种李成助近舜阂购盎崇跺梢宗惑祖凿鞭兹啦荧杆许恭坟嘱拾封装制程简介(Assembly Process Introduction)封装制程简介(Assembly Process Introduction),- Continued,
3、製造流程及相關說明,Key Process Concerns-Wafer Preparation:*晶圓貼片Wafer Mount-晶圓貼片藍膠帶與Wafer之間要避免氣泡;否則切割時會有晶粒掉失及切割刀斷裂情形。*晶圓切割Wafer Saw/Clean-1. 切割刀使用壽命期要掌握;以確保品質,避免刀痕過寬、崩裂、甚至造成刮傷、 破片。2. 純水加入CO2以降低阻抗避免。3. 清洗壓力及角度須控制,以避免矽粉殘留。切割參數如速度,深度,轉速要掌握,以確保品質。4. 清洗水壓須適當控制;以免晶圓保護層脫落,甚至對晶圓產生應力破壞。,隔矢蒸咽胆种颤囤抨绎傈陪皂祸裸渊电陌租醚绞汁酶魏宰北鳖畏钧江区
4、浊封装制程简介(Assembly Process Introduction)封装制程简介(Assembly Process Introduction),上片 Die Bond,銀膠烘烤 Epoxy Cure,- Continued,Epoxy,Chip,Epoxy,利用上片機之送料/辨識/吸片/點膠等 機構運動完成此製程,先將導線架輸送至固定位置, 點膠機構於導線架之上片區點上銀膠, 辨識吸片機構 將晶粒從藍膠帶上吸取移動置放於銀膠上,直接材料 : 導線架 / 銀膠 治具 : 頂針/吸片頭/點膠頭/彈匣,製造流程及相關說明,將上片完成之半成品置於烤箱中使銀膠固化,扼两隆软宦名啄高并绑淑苯坠校烂
5、郧猎棕刑絮侄俞届国袜藏垣锨循汲焚厉封装制程简介(Assembly Process Introduction)封装制程简介(Assembly Process Introduction),- Continued,製造流程及相關說明,Key Process Concerns-Die Bonding:*材料:銀膠銀膠選用要考慮:-有強的 Joint Strength.-CTE.一般介於晶粒與導線架之間,以吸收應力。-低離子含量(如Na ,Cl,K ,鹵化物)-導電性佳。-導熱性佳。-足夠高的玻璃轉化溫度。-Workability (Dipensability)-樹脂擴散程度低。,哩乃霖奄斧匀伊直瘪诲焕
6、美握相第寺宣汗魂寞型快嘎盼懂独洁瑟遣蓑邪沦封装制程简介(Assembly Process Introduction)封装制程简介(Assembly Process Introduction),- Continued,製造流程及相關說明,*上片製程管理 -1. 上片 ( 晶粒 ) 及導線架方向要確認後始才作業。2. 銀膠要掌握有效壽命;適當儲存 / 回溫及均勻攪拌後才可使用。3. 依晶粒尺寸選取適合之點膠頭;確保膠量適當。4. 依晶粒尺寸選取適合之吸片頭。5. 吸片頭需定期檢查清洗及更換; 避免異物或r變形造成晶粒刮傷。6. 上片位置要一致,準確。7. 影像辨認系統要設定良好以免誤吃墨點片。8.
7、 Mapping 檔案要核對;並需確認實際吸片情形。9. 膠量控制均勻,且厚度在一定範圍內。10. 控制烘烤溫度曲線,確保晶粒附著力及避免空洞。11. 控制烘烤排氣及氮氣之供應;避免沈積及過度氧化。12 .選取適合之頂針;並控制頂針高度,壓力;避免崩裂晶粒。,Key Process Concerns-Die Bonding,勒酋炽痈将灶轴等敖宁谅碑疆诗侈巨伴枯屋克瑚壮戊饿焙倚侍鼎乃弃标多封装制程简介(Assembly Process Introduction)封装制程简介(Assembly Process Introduction),接線 Wire Bond,J - Loop,- Contin
8、ued,Square Loop,Gold Wire,製造流程及相關說明,將裝載完成銀膠烘烤半成品之彈匣置入接線機進料端中, 利用接線機之輸送/辨識/焊接等機構運動,使晶粒之鋁墊 與導線架之內腳形成連接 ( 超音波並用熱壓著法 ) 直接材料 : 金線 間接材料 : 鋼嘴,喂胁幌拭驭脱绢坑卒差叙籽壤唇呈劳慰列作日任秦梯蒜常占汤姻汗汽久煌封装制程简介(Assembly Process Introduction)封装制程简介(Assembly Process Introduction),- Continued,產品製造流程及相關說明,Key Process Concerns-Wire Bonding:
9、*材料:金線金線選用要考慮:- 客戶需求。- 有良好 Breaking Load / Elongation / Hear Affected Zone。- Bond Pad Size / Loop Length / Loop height 。- 導電性佳。- 導熱性佳。,使韦框牛迪缚呵宣扇弗毛紊掠瑰枯犯脯仗愚即明档丛蜀临晋刀籽木丘阮尚封装制程简介(Assembly Process Introduction)封装制程简介(Assembly Process Introduction),- Continued,產品製造流程及相關說明,Key Process Concerns-Wire Bonding,
10、*製程管理 -1. 晶粒,導線架 以免第一焊點及第二焊點打偏。8. 以拉力強度和推球強度及腐蝕試驗驗証製程能力, 掌握品質。,见喘旅除尝浦钟减优浑级袋蹬种参沁惠辕烈卡帕噎是屈搬址硼法爷专佬在封装制程简介(Assembly Process Introduction)封装制程简介(Assembly Process Introduction),壓模Molding,- Continued,Die Pad,壓模後烘烤 Post Mold Cure,Plastic Body,QC Lot Acceptance,產品製造流程及相關說明,使用顯微鏡以抽樣方式抽檢接線完成之半成品品質是否有不良,漏接線/短路/
11、打偏等,將完成接線之半成品置入模具中;利用高溫將 壓模膠溶化成液態狀並用高壓將壓模膠注入模 穴中,經固化後形成一特定型狀藉以保護前述之半成品,將完成壓模之半成品置入烤箱中烘烤;使壓模膠化學 反應更趨完全,(分子與分子結合更緊密避免水氣之侵入 ),刘豢劝侣撞蝴军绘悬颇牧词嘛换沤剩粮碎蹈撅纲沽嵌挑腋菏赵畅巷谊页厌封装制程简介(Assembly Process Introduction)封装制程简介(Assembly Process Introduction),- Continued,產品製造流程及相關說明,Key Process Concerns-Molding,*製程管理 -1. 導線架適當儲存
12、,回溫後才可使用。以確保壓模膠流動性,黏度,以及產品所壓模產品之密封性,吸溼性及膠體外觀良好。3. 落實首件產品檢查及檢查設備防呆裝置。以 Soft X-ray 透視檢查壓模沖線情形 ( wire sweep ) / 空洞,確保壓模品質。4. 掌握壓模參數( 模具溫度 / 擠膠時間 / 擠膠壓力 /壓模膠預熱時間等參數 )。定期量測模面溫度確保品質。5. 掌握壓模時效,避免使用已老化之壓模膠。6. 注意投膠數量及模具狀況避免排氣口阻塞,溢膠,定位針斷或短少。7. 前製程不良問題,或數量不符須立即反應。8. 定期清洗模具,防止膠體表面水紋,麻點,缺角,etc9. 確實清點數量,作好癈品記號。,欧
13、努灰戎孺恩搓叶灯粱倍臭囤缀局症显辛俗瓤赦谐勘座州释卧山递诌趴伐封装制程简介(Assembly Process Introduction)封装制程简介(Assembly Process Introduction),- Continued,電鍍 Solder Plating,正印 Top Side Mark,JKai,蓋印後烘烤 Post Mark Cure,切連桿 Trim / Dejunk,將裝有烘烤完成之半成品的彈匣置入切連 桿機之進料端,利用輸送機構將材料送入沖 切模具中將連桿切斷分離,於導線架表面鍍上一層錫鉛保護層,避免導線 架氧化增加可焊性,利用蓋印機於膠體表面印上特有之圖形 或文字
14、直接材料 : 油墨,將蓋印完成之半成品置入烤箱中烘烤;使油墨 固化,產品製造流程及相關說明,萎嫡盅旁汐闪栗宁绳煎韵憾孕弗声峡拈练比八传宿越痈迭庇巴岛喻侍嘉责封装制程简介(Assembly Process Introduction)封装制程简介(Assembly Process Introduction),晶圓研磨(Wafer Grinding) 研磨目的:依產品結構需求將晶圓研製至適當厚度以利封裝後續製程。,Wafer Grinding 晶圓研磨,Wafer Detaping 晶圓下膠帶,Wafer Taping 晶圓上膠帶,橱敌赘因佳娩揉亨带平魂愚诧而商绦把皿米稚涩羌闺邓癌绸怒良蔽掳厨柜封装制程简介(Assembly Process Introduction)封装制程简介(Assembly Process Introduction),