1、 内存是电脑必不可少的部件，也是影响电脑性能的关键部件。而对于内存颗粒，则是内存条上必不可少的一部分，同时也与内存的性能息息相关。一条完整的内存条是由 PCB 板、SPD 芯片和内存颗粒构成的，其中以颗粒最为重要，内存的容量、频率等都由内存颗粒决定的。而正因为颗粒的重要性，颗粒也成为了不少奸商造假的地方所在。因此，我们有必要对内存颗粒进行一个完整的认识，从而更好的选购内存。一、内存颗粒巡礼1、内存颗粒介绍相对于市面上越来越多的内存品牌，内存颗粒的生产厂商要显得少了很多，目前主要有三星(SAMSUNG)、现代(Hynix)、英飞凌(Infi neon)、美光(Micron)、勤茂(TwinMOS
2、)、南亚(NANYA)、华邦(Winbond)和茂矽(MOSEL)等等。这些内存颗粒厂商都具有相当实力，其中名列三甲的有三星、现代以及美光。现代 D43 颗粒(Hynix D43)在很多玩家心目中，现代 D43 内存颗粒有着兼容性好、超频出色的特点，而采用 HY D43 芯片的产品更是被众多玩家所追捧。如果我们将它细分的话，D43 内存颗粒又根据生产批次的不同，在编号上分为 AT-D43、BT-D43、CT-D43 和 DT-D43。其中又以 BT-D43 和 DT-D43 最为常见，口碑也是最好的。三星 UCCC 内存颗粒三星(SAMSUNG)内存颗粒被誉为 DDR 时代的终结者，它在 51
3、2MB 时代的 TCCD 和 TCC5 颗粒，1GB 时代的 UCCC 颗粒都是内存界的佼佼者。UCCC 颗粒早期专供服务器高端 ECC 内存使用，后来才逐渐进入民用领域。前期的产品依旧保持着服务器内存的特点，只以稳定性见长，超频性能一般。但三星为了重夺高频内存之王的宝座，在 520 周期以后生产的 UCCC 颗粒做了进一步制程优化，使得高频、海量、稳定三全齐美。三星 TCCC 颗粒(SAMSUNG TCCC)除了上面提到的 TCCD、TCC5、UCCC 内存颗粒，三星还有一 TCCC 颗粒，TCCC 也是一款非常优秀的内存颗粒，被用于三星原厂的“金条”中，它的价格要比 TCCD 便宜得多，而
4、且兼容性也非常好，不过价格还是比普通内存颗粒高了一些。三星 TCCC 内存颗粒除了在三星自有品牌内存上可以看到外，很少在其他品牌内存上出现过。美光 MT-5BC 和 MT-5BG美光(Micron)作为世界第二大内存颗粒制造商，其产品却在国内极少现身。这是因为美光很少将自己的内存颗粒卖给其他内存品牌，其极品颗粒一直是专供自家 DIY 品牌 Crucial使用。目前市场上美光的内存颗粒主要有 MT-5BC 和 MT-5BG 两个型号，其中 MT-5BC 的超频性能更优秀一些。镁光的内存颗粒有非常明显的特点，在芯片的两端分别有个半圆形的缺角，独特的外形让人很容易辨认。2、认识内存颗粒编号含义认识内
5、存的性能参数一般方法是读取 SPD 芯片中的信息，但由于 SPD 信息需要在开机状态下查看，而且有一些不法商家也会刷写 SPD 芯片中的信息来欺骗消费者。因此，认识内存更好的办法是识别内存颗粒的编号，当然不能是被打磨过的。通过查看颗粒编号的含义，可以更好地识别内存是否为正品。下面我们以市面上最常见的 HY 内存颗粒为例简单介绍内存颗粒编号的含义。上图 HY 内存颗粒的编号为 HY5DU56822BT-D43这串编号是由 14 组数字组成的，这 14 组数字代表着 14 组不同的重要参数，分别如下：?“HY”是 HYNIX 的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。?“5D”是内存芯片类型为 DDR
6、，57 则为 SD 类型。?“U”代表处理工艺及电压为 2.5V。(V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)?“56”代表芯片容量密度和刷新速度是 256M 8K 刷新。(64：64M 4K 刷新；66：64M 2K 刷新；28：128M 4K 刷新；56：256M 8K 刷新；57：256M 4K 刷新；12：512M 8K 刷新；1G：1G 8K 刷新)?“8”是内存条芯片结构，代表改内存由 8 颗芯片构成。(4=4 颗芯片；8=8 颗芯片；16=
7、16 颗芯片；32=32 颗芯片)?“2”指内存的 bank(储蓄位)。(1=2 bank；2=4 bank；3=8 bank)?“2”代表接口类型为 SSTL_2。(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_1?“B”是内核代号为第 3 代。(空白=第 1 代；A=第 2 代；B=第 3 代；C=第 4 代)?能源消耗，空白代表普通；L 代表低功耗型，该内存条的能源消耗代码为空，因此为普通型。?封装类型用“T”表示，即 TSOP 封装。(T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA)?封装堆栈，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；M
8、U=MCP(UTC)，上述内存为空白，代表是普通封装堆栈。?封装原料，空白=普通；P=铅；H卤素；R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。?“D43”表示内存的速度为 DDR400。(D43=DDR400，3-3-3；D4=DDR400，3-4-4；J=DDR333；M=DDR333，2-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200)?工作温度，一般被省略。I=工业常温(-4085 度)；E=扩展温度(-2585 度)因此，通过编号“HY5DU56822BT-D43”的内存颗粒我们可以了解到，这是一款 DDR SDRAM 内存，容量为 256MB，采用 TSOP 封装，速度为
9、DDR400。由上面各个编号可以看出，其中最重要的是第 13 个编号，它明确的告诉我们这款内存实际的最高工作频率是怎样。例如你的内存的颗粒第 13 位编号是“J” ，而又运行在 DDR400的频率下，那么这款内存很可能是被超频使用，超频使用的内存不仅稳定性能大打折扣，而且其寿命也会受到影响。二、见招拆招 教你识别打磨过的内存颗粒打磨，也叫 Remark，是一种比较常见的造假方式，通常的手段是把低频率的颗粒打磨为高频率的，或是杂牌颗粒打磨成品牌颗粒等。这种假冒的内存在容量上一般没有问题，但在运行的稳定性和性能等方面则大打折扣，质量和寿命也都经不起考验，而且被打磨过的内存无法享受正品内存应有的质保
10、服务。如下图所示的内存颗粒就是被打磨过的，第一个打磨的颗粒是通过擦除颗粒上的参数后重新写上。 “BT-H”被打磨成了“BT-D43” ，这样 DDR266 的内存就摇身一变为 DDR400 了。另外一种打磨的手法是，不擦除颗粒上的参数而直接改写，如下图所示。编号为“22DT-J”的颗粒被打磨成“22DT-D43” ，DDR333 的内存也被假冒成 DDR400 了。不法商家在对颗粒进行打磨后便将内存超频使用，以此来提高价格进行谋取暴利。为了防止买到被打磨过的内存，我们在选购时可以通过以下几点来判断。第一，看内存颗粒上的编码是否清晰锐利，各颗粒上的编号是否一致。再用力搓一下编码看是否掉色脱落。第
11、二，看内存颗粒四周的管脚是否有浸锡、补焊的痕迹，电路板和金手指是否干净无划痕。另外对于品牌内存，其 PCB 板一般采用 6 层设计，对于那些 4 层 PCB 板的内存则需要多加小心。第三，看内存金手指上方的排阻与电容用料是否充足，排列是否整齐。同时留意是否有SPD 芯片，以及 SPD 芯片的质量。第四，根据不同的内存品牌看在内存上的防伪标志。例如防伪镭射标签、防伪芯片、防伪序列号等等。三、内存购买全程指导在这个奸商横行的时代，懂得如何区分打磨的内存颗粒还远远不够，对于购买内存的注意事项，有以下的必杀技可供参考。第一，选用名牌大厂的内存颗粒。上面提到，内存颗粒的质量将直接影响到内存的性能和寿命等
12、，因此在购买时应尽量选择名牌大厂的内存颗粒，这些内存颗粒的质量都有着非常好的保证。例如 HY(现代)、Samsung(三星)、Winbond(华邦)、Infineon(英飞凌)、Micron(美光)、南亚(Nanya)等。第二，选用优质 PCB 板的内存。PCB 板作为内存的根基，购买时应该选择做工精良、用料厚实的产品，同时也需要选择金手指较厚实的内存。第三，不可忽视的 SPD(Serial Presence Detect 串行侦测)芯片。SPD 是一颗 8Pin 的小芯片，一般是 1 个容量为 256 字节(2Kbit)的 EEPROM(Electrically Erasable Progr
13、ammable ROM 电可擦写可编程只读存储器芯片)。SPD 的作用是记录内存的速度、容量、电压等参数信息，当开机时 PC 的 BIOS 将自动读取 SPD 中记录的信息，如果没有 SPD 或者其中的信息错误，则会出现死机、不兼容等现象。因此，选购内存时一定不能选择缺少 SPD 芯片的产品。第四，用料和做工同样重要。有了优质的颗粒、PCB 板和 SPD 芯片后，将他们焊接在一起的制作工艺也显得十分重要。不合格的焊料和焊接技术会产生大量的“虚焊” ，一般肉眼看不出有任何不妥，但在使用一段时间后便会逐渐氧化接着脱焊。因此除了选购知名品牌的内存外，选择售后服务完善的品牌也非常重要。榨血一族 为超频
14、而生的内存对于一个 DIY 发烧友来说，对于硬件大都有着不榨干最后一滴血决不罢休的情怀，内存当然也不能幸免。内存的超频与 CPU、显卡等设备的超频不同，内存超频不仅可以能通过提升工作频率来实现，而且还能从降低延迟入手。频率的提升可以加快内存对数据的存取速度，降低延迟则可以减少等待时间，减少内存存取数据的等待周期，两者同样能起到提升性能的作用。因此对内存进行超频可以选择提升频率或者降低延迟，或者双管齐下。但频率和延迟天生就是一对不可调和的矛盾，提升频率之后往往无法降低延迟，而降低延迟之后也往往无法提升频率，所以唯有在两者中寻求一个恰当的平衡点。封装方式对内存超频的影响一般的内存多采用 TSOP
15、封装的内存颗粒，这种颗粒成长方形，长边有引脚，比较容易辨认。另一种封装形式是 BGA，这种颗粒有正方形和长方形两种，周边都没有引脚，而是通过芯片底部与 PCB 相连，这种封装的内存电气性能更好，容易运行在更高的频率下，所以采用 BGA 封装的内存颗粒在超频性能上更具优势。SPD 助你超频一臂之力在上文中我们了解了 SPD 芯片的基本功能，那么它的实现原理是怎样的呢？计算机在启动之后，主板 BIOS 默认会读取 SPD 中的信息，主板北桥芯片组就会根据这些参数信息来自动配置相应的内存工作时序与控制寄存器，从而可以充分发挥内存条的性能。而当主板BIOS 无法从 SPD 中读取信息或读取错误时，系统
16、便无法启动，此时用户需要手动设置内存的运行参数，这也就给超频玩家有了空子可钻。同 CPU、GPU 一样，内存的频率在出厂时也被锁定在一个比较保守的水平，这体现在写在 SPD 芯片中的数据。通俗一点说，就是 SPD 芯片中的参数设置限制了内存性能的充分发挥。此时可以让系统不读取 SPD 中的信息而采用手动设置内存的运行参数，从而提高内存的运行频率来达到超频的效果。在对内存进行超频之后，就需要手动设置 CPU 与内存的工作频率比例。比如：533MHz FSB 的 P4 外频为 133MHz，要将 DDR333 内存超频到 200MHz 外频使用，那么就需要选择“23”的比值。如果要让 DDR266
17、 内存超频到 DDR333，无疑就要选择“34” 。同修改 SPD 中频率信息一样，SPD 的延迟也是可以修改的。我们知道，内存总延迟时间内存时钟周期CL 数值数据存取时间，因此，只要在 BIOS 中修改内存的相应参数值，就可以提升内存的性能，同样达到超频的效果。另外，与 CPU 的超频一样，对内存的超频可能会引起系统的不稳定，同时超频后的内存也应该注意散热问题。超频极品看颗粒有了优质的 PCB 板，先进的封装方式和信息准确的 SPD 还是不足以组成一条超频极品内存的。内存的颗粒才是内存超频性能的决定性因素，目前被用户公认的超频能力较好的内存颗粒有：编号为 HY5DU56822BT-D43 的现代内存颗粒和编号为 K4H560838E-TCCC、K4H560838E-TCC4 的三星内存颗粒，这些颗粒大部分可以超至 DDR500，甚至 DDR533的水平。随着大容量内存的不断普及和降价，容量已经不再成为制约内存和 PC 发展的瓶颈，相反用户对内存的速度和带宽的要求正在不断升高。因此在选购内存的时候，频率，延迟等参数更应引起我们的重视。
