1、【内存不大全】内存维修的几点经验1.金手指烧坏的心片大部分没事,从废弃主板用单面刀片割一条大小相同的铜帛 502 胶水贴好,用导线连到原线路,90%可以搞定2.开机亮但不稳定,用 DOCMEM(驱动之家有)先做启动软盘,再用 NERO 转成启动光盘(用软盘启动慢而且容易损坏),DOCMEM 可以测试出损坏心片地址,更换即可3.开机不亮:这种故障比较麻烦.我是用自制内存测试仪器来判定.思路是这样:通过转接卡从内存插槽引出两个新插槽,1#上好内存,屏蔽最后一片心片,2#上坏内存,通过开关依次替代好内存上的心片,再用 DOCMEM 测试,从而达到检测目的4.用 DOCMEM 测试通过但进系统却不稳定
2、,目前还没好方法,那位大虾知道请赐教一次维修 DIY 上个月，在玩 Photoshop 时，电脑突然没有反应，画面静止不动，机器无法重新启动，我打开机箱，拔出内存条一看，一个小元件的焊点已熔化，不禁想起前段时间机器有数次启动自检显示乱码死机，重启动又正常的情况，再把内存条拿到朋友的机子上试也点不亮，用电烙铁重焊那个小元件，也不起作用。毫无疑问，我的内存条“罢工”了。内存条小小一块，价格却不低，能否省几两银子呢?我这个“江湖郎中”倒要试试运气！“兵马未动，粮草先行” ，我费尽心机找寻有关资料。市面上芯片级的硬件书几乎没有，咱只好“杀牛偏用宰鸡刀”用放大镜观察，用万用表测量通断。这是一根2MB16
3、 片的杂牌 168 线 SDRAM，据我的经验，集成块的电源引脚通常在最角上，经过反复观察和通断测量，确定引脚 1（正面）和引脚 85（反面）为电源引入脚，我焊掉了焊点熔化的小元件（位于 85 脚上方） ，并用刀片划断 85 脚的铜箔线，抱着试试看的想法，心想剩余的 16M 内存应该正常了吧！重新插入内存，检查一遍连线，开机，我不禁揉揉眼睛，自检 32M 通过，同时运行大型程序 Photoshop 和 3DMAX 没有出现错误，至此故障完全排除。总结一下，内存条两面为对称设计，由电源电路、译码电路和芯片组成。电源由金手指引入，经过小电阻电容后接到芯片的电源脚，地址线经过译码电路译码后连接到芯片
4、的片选引脚。据此，内存条的损坏可分为两类：内存芯片的损坏和外围电路的损坏。值得一提的是，损坏的内存条往往会有焊点发亮，这是过流造成的，根据发亮焊点的位置就可以大概知道是哪部分出了故障。对于前者，表现为开机自检时内存测试不能通过，或者可以开机，但运行程序时频繁死机。它的修理办法是：一、用程序报错的地址推算出损坏的芯片，更换单个的芯片，这种方法可以使它完全恢复。手工焊接并非不可能，水货内存条都是在手工作坊内生产的。二、去掉外围电路的元件或割断金手指的连线，使损坏的单面不工作。内存的容量会减半。后者多为电源电路故障，因为电源电路工作在相对大电流状态。故障表现为开机点不亮，系统不自检，高级的主板还会发
5、出连续的嘀嘀报警声。损坏的小元件会导致电源电路的失常，由我的例子可见，内存两面的电源是通过内存条中许许多多的通孔连接在一起的，只要将损坏的小元件去掉，损坏面的电源脚割断，就 OK 了。以上为个人意见，仅供参考！维修有风险，动手须谨慎！内存的含义解释Samsung 具体含义解释：例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0主要含义：第 1 位芯片功能 K，代表是内存芯片。第 2 位芯片类型 4，代表 DRAM。第 3 位芯片的更进一步的类型说明，S 代表 SDRAM、H 代表 DDR、G 代表 SGRAM。第 4、5 位容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
6、64、62、63、65、66、67、6A 代表 64Mbit 的容量；28、27、2A 代表 128Mbit 的容量；56、55、57、5A 代表 256Mbit 的容量；51 代表 512Mbit 的容量。第 6、7 位数据线引脚个数，08 代表 8 位数据；16 代表 16 位数据；32 代表 32 位数据；64 代表 64 位数据。第 11 位连线“-” 。第 14、15 位芯片的速率，如 60 为 6ns；70 为 7ns；7B 为 7.5ns (CL=3)；7C 为7.5ns (CL=2) ；80 为 8ns；10 为 10ns (66MHz)。知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到
7、一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星 DDR 内存，使用 18 片 SAMSUNG K4H280838B-TCB0 颗粒封装。颗粒编号第 4、5位“28”代表该颗粒是 128Mbits，第 6、7 位“08”代表该颗粒是 8 位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是 128Mbits（兆数位） 16 片/8bits=256MB（兆字节） 。注：“bit”为“数位” ， “B”即字节“byte” ，一个字节为 8 位则计算时除以 8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非 ECC 内存，每 8 片 8 位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种 ECC 内存
8、，在每 64 位数据之后，还增加了 8 位的ECC 校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有 ECC 功能的 18 片颗粒的内存条实际容量按 16乘。在购买时也可以据此判定 18 片或者 9 片内存颗粒贴片的内存条是 ECC 内存Hynix(Hyundai)现代现代内存的含义：HY5DV641622AT-36HY XX X XX XX XX X X X X X XX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 121、HY 代表是现代的产品 2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)； 3、工作电压
9、：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V 4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref 5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32 分别代表 4 位、8 位、16 位和 32 位 6、BANK 数量：1、2、3 分别代表 2 个、4 个和 8 个 Bank，是 2 的幂次关系 7、I/O 界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2 8、芯
10、片内核版本：可以为空白或 A、B、C、D 等字母，越往后代表内核越新 9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片 10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-，TD=13mm TSOP-，TG=16mm TSOP- 11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR200、H :DDR266B、 K :DDR266AInfineon（亿恒）Infineon 是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司 Infineon 生产的内存颗粒只有两
11、种容量：容量为 128Mbits 的颗粒和容量为 256Mbits 的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon 的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由 4个 Bank 组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。HYB39S128400 即 128MB/ 4bits， “128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800 即 128MB/8bits；HYB39S128160 即128MB/16bits；HYB39S256800 即 256MB/8bits。Infineon 内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一
12、短线，然后标上工作速率。-7.5表示该内存的工作频率是 133MHz；-8表示该内存的工作频率是 100MHz。例如：1 条 Kingston 的内存条，采用 16 片 Infineon 的 HYB39S128400-7.5 的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）16 片/8=256MB（兆字节） 。1 条 Ramaxel 的内存条，采用 8 片 Infineon 的 HYB39S128800-7.5 的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） 8 片/8=128MB（兆字节） 。KINGMAX 内存的说明Kingmax 内存都是采用 TinyBGA 封装（
13、Tiny ball grid array） 。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用 Kingmax 颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax 内存颗粒有两种容量：64Mbits 和 128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。容量备注：KSVA44T4A0A64Mbits，16M 地址空间 4 位数据宽度；KSV884T4A0A64Mbits，8M 地址空间 8 位数据宽度；KSV244T4XXX128Mbits，32M 地址空间 4 位数据宽度；KSV684T4XXX128Mbits，16M 地址空间 8 位数据宽度；KSV864T4XXX128Mbits，
14、8M 地址空间 16 位数据宽度。Kingmax 内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：-7APC133 /CL=2；-7PC133 /CL=3；-8APC100/ CL=2；-8PC100 /CL=3。例如一条 Kingmax 内存条，采用 16 片 KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为：64Mbits（兆数位）16 片/8=128MB（兆字节） 。Micron（美光）以 MT48LC16M8A2TG-75 这个编号来说明美光内存的编码规则。含义：MTMicron 的厂商名称。48内存的类型。48 代表 SDRAM；46 代表 DDR。L
15、C供电电压。LC 代表 3V；C 代表 5V；V 代表 2.5V。16M8内存颗粒容量为 128Mbits，计算方法是：16M（地址）8 位数据宽度。A2内存内核版本号。TG封装方式，TG 即 TSOP 封装。-75内存工作速率，-75 即 133MHz；-65 即 150MHz。实例：一条 Micron DDR 内存条，采用 18 片编号为 MT46V32M4-75 的颗粒制造。该内存支持 ECC 功能。所以每个 Bank 是奇数片内存颗粒。其容量计算为：容量 32M 4bit 16 片/ 8=256MB（兆字节） 。Winbond（华邦）含义说明：W XX XX XX XX 1 2 3 4
16、 51、W 代表内存颗粒是由 Winbond 生产 2、代表显存类型：98 为 SDRAM，94 为 DDR RAM 3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为 B 和 H； 4、代表封装，H 为 TSOP 封装，B 为 BGA 封装，D 为 LQFP 封装 5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHzAP、Whichip、Mr.STONE、Lei、GOLDElpidaMitsubishi、ToshibaMosel（台湾茂矽）台湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，
17、对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够。这颗粒编号为 V54C365164VDT45，从编号的 6、7 为 65 表示单颗粒为 64/88MB，从编号的 8、9 位 16 可知单颗粒位宽 16bit，从编号的最后 3 位 T45 可知颗粒速度为 4.5nsSEITEC、ATE、JetRam、BQ、Ram BoV-DATA（香港威刚） 、A-DATA（台湾威刚） 、VT威刚科技是台湾的实力品牌，拥有三条 SMT 生产线和应产能调节的五条外包生产线，月产能约九十万条 DRAM 模块。VDATA（可以说它是 ADATA 的廉价版本）内存颗粒编号为 VDD8608A8A-6B H0327，是 6 纳秒的颗粒，单面 8 片颗粒共 256M 容量，0327 代表它的生产日期为 2003 年第 27 周ADATA这是 ADATA 的 DDR500
