1、第九章 半导体传感器主要内容：9.1 气敏传感器9.2 湿敏传感器9.3 色敏传感器半导体传感器特征：半导体式传感器是典型的物理型传感器，它是利用某些材料的电特征的变化实现被测量的直接转换，如改变半导体内载流子的数目。凡是用半导体材料制作的传感器都属于半导体传感器。其中包括：光敏电阻、光敏二极管、光敏晶体管、霍尔元件、磁敏元件、压阻元件、气敏、湿敏等等。91 气敏传感器气敏传感器是用来检测气体浓度和成份的传感器，由于气体种类很多，性质各不相同，不可能用同一种气体传感器测量所有气体。气敏传感器主要有以下应用： 工业天然气、煤气等易燃易爆的安全监测； 环境保护，有害、有毒气体监测； 酒后驾车，乙醇
2、浓度检测等。 911 半导体气敏传感器工作机理气敏传感器是利用气体在半导体表面的氧化和还原反应，导致敏感元件阻值变化，如： 氧气等具有负离子吸附倾向的气体，被称为氧化型气体电子接收性气体； 氢、碳氧化合物、醇类等具有正离子吸附倾向的气体，被称为还原型气体电子供给性气体。 当氧化型气体吸附到 N 型半导体上，半导体的载流子减少，电阻率上升；当氧化型气体吸附到 P 型半导体上，半导体的载流子增多，电阻率下降；当还原型气体吸附到 N 型半导体上，半导体的载流子增多，电阻率下降；当还原型气体吸附到 P 型半导体上，半导体的载流子减少，电阻率上升；图 91N 型半导体与气体接触时的氧化还原反映按半导体的
3、物理特性，气敏传感器可分为电阻型和非电阻型。912 电阻型半导体气敏传感器电阻型气敏传感器是目前使用较广泛的一种气敏元件。 传感器由三部分组成：敏感元件、加热器、外壳； 按制造工艺分为：烧结型、薄膜型、厚膜型。 气敏电阻的材料是金属氧化物，合成时加敏感材料和催化剂烧结，金属氧化物有： N 型半导体，如：SnO2Fe2O3ZnOTiOP 型半导体，如：CoO2PbOMnO2CrO3这些金属氧化物在常温下是绝缘的，制成半导体后显示气敏特性。通常器件工作在空气中，由于氧化的作用，空气中的氧被半导体（N 型半导体）材料的电子吸附负电荷，结果半导体材料的传导电子减少，电阻增加，使器件处于高阻状态；当气敏
4、元件与被测气体接触时，会与吸附的氧发生反应，将束缚的电子释放出来，敏感膜表面电导增加，使元件电阻减小。空气中氧化作用氧被电子吸附电子减少高阻状态；气体接触吸附氧发生反应电子释放电导增加电阻减小。导电机理用一句话描述：利用半导体表面因吸附气体引起半导体元件电阻值变化，根据这一特性，从阻值的变化测出气体的种类和浓度。气敏元件的加热作用：电阻型气敏元件通常工作在高温状态（2000C4500C），目的是为了加速气体吸附和上述的氧化还原反应，提高灵敏度和响应速度；另外使附着在壳面上的油雾、尘埃烧掉。在常温下，电导率变化不大，达不到检测目的，因此以上结构的气敏元件都有电阻丝加热器。加热时间 23 分钟，加
5、热电源一般为 5V。加热方式分为内热式和旁热式。图 92 气敏传感器测量电路913 非电阻型半导体气敏器件非电阻型气敏传感器，是利用 MOS 二极管的电容电压特性变化；MOS 场效应管的阈值电压的变化；肖特基金属半导体二极管的势垒变化进行气体检测。 MOS 二极管气敏元件 在 P 型硅上集成一层二氧化硅（SiO2）层。在氧化层蒸发一层钯（Pd）金属膜作电极。氧化层（SiO2）电容 Ca 固定不变。而硅片与 SiO2 层电容 Cs 是外加电层的功函数。总电容C 也是偏压的函数。曲线 CU 特性中，MOS 二极管的等效电容 C 随电压 U 变化。金属钯（Pd）对氢气（H2）特别敏感。当 Pd 吸附
6、以后，使 Pd 的功函数下降，使 MOS 管CU 特性向左平移（向负方向偏移），利用这一特性用于测定的浓度。图 93MOS 二极管气敏元件结构和等效电路 MOSFET 气敏元件 钯 PdMOSFET 管结构如图 94 所示。Pd 对 H2 吸附性很强，H2 吸附在 Pd 栅上引起的 Pd功函数降低。MOSFET 管当栅极（G）、源极（S）间加正向偏压 UGS，UGSUT 阀值时，栅极氧化层下的硅从 P 变为 N 型，N 型区将 S（源）和 D（漏）连接起来，形成导电通道（N 型沟道）。此时MOSFET 进入工作状态，在 SD 间加电压 UDS，SD 间有电流 IDS 流过，IDS 随 UDS、
7、UGS变化。当 UGSUT 时，沟道没形成，无漏源电流 IDS=0。UT（阀值）电压大小与金属与半导体间的功函数有关。PdMOSFET 器件就是利用 H2 在钯栅极吸附后改变功函数使 UT 下降，检测 H2 浓度。图 94 钯 PdMOSFET 管结构图 95 肖特基二极管 肖特基二极管 金属和半导体接触的界面形成肖特基势垒，构成金属半导体二极管。管子加正偏压，半导体金属的电子流增加，加负偏压，几乎无电流。当金属与半导体界面有气体时，势垒降低，电流变化（金属与半导体界面吸附气体，影响禁带宽度 Eg）。在正向偏压条件下，气体浓度增大，电流增大，输出电压增大。测试电流电压值可知气体浓度。非电阻型半
8、导体气敏传感器主要用于氢气浓度测量。92 湿敏传感器湿度是指空气中的水蒸气含量，通常用绝对湿度和相对湿度表示： 绝对湿度，单位空间所含水蒸汽的绝对含量或浓度，用符号 AH 表示，单位（g/m3）。 相对湿度，被测气体中蒸汽压和该气体在相同温度下饱和水蒸气压的百分比，一般用%RH 表示，无量纲。一般使用湿度，量程 0100%RH。 不同环境所需湿度不同，测量方法很多，但精度不高。目前世界上最高水平湿度测量精度在0.01%左右，理想测湿量程应是 0100%RH，量程越大实用价值越大。921 湿敏电阻 氯化锂湿敏电阻 氯化锂湿敏电阻即电解质湿敏电阻，利用物质吸收水分子而导电率变化检测湿度。在氯化锂（
9、LiCl）溶液中，Li 和 Cl 以正负离子的形式存在，锂离子（Li+）对水分子的吸收力 强，离子水合成度高，溶液中的离子导能力与溶液浓度成正比，溶液浓度增加，导电率上升。当溶液置于一定湿度场中，若环境 RH 上升，溶液吸收水分子使浓度下降，电阻率 上升，反之 RH 下降，溶液吸收水分子使浓度上升，电阻率 下降。通过测量溶液电阻值R 实现对湿度测量。图 95 氯化锂湿敏电阻 半导体陶瓷湿敏电阻 半导体湿敏电阻通常用两种以上的金属氧化物半导体烧结成多孔陶瓷，材料有正温度系数和负温度系数两种。o 负特性半导体瓷湿敏电阻（例：ZnO-Li-V2O5），电阻岁温度增加而下降。由于水分子中 H2 氢原子
10、具有很强的正电场，当水分子在半导体瓷表面吸附时可能从半导体瓷表面俘获电子，使半导体表面带负电，相当表面电势变负，（P 型半导体电势下降，N 型半导体出现反型层）电阻率随湿度增加而下降。 o 正特性半导体瓷湿敏电阻（例：Fe3O4），材料结构、电子能量状态与负特性不同，总的电阻值升高没有负特性阻值下降的明显。 a.负特性 b.正特性图 96 半导体瓷湿敏电阻9.3 色敏传感器半导体色敏传感器是一种半导体光敏器件，工作原理基于光电效应，可将光信号转换为电信号的光辐射探测器。一般光电器件是检测在一定波长范围内的光强度或光子数目。而色敏器件可以直接测量从可见光到近远红外波段内单色辐射波长。半导体色敏传感器相当于两只结构不同的光电二极管，实际不是晶体管而是两个深浅不同的 PN 结，又称光电双结二极管。 浅结的光电二极管对紫外光灵敏度高，深结的光电二极管对红外光灵敏度高； 波长短的光子衰减快，穿透深度浅，波长长的光子衰减较慢，能穿透硅片较深区域。这一特征为色敏器件提供了识别颜色的可能。图 97 色敏传感器结构示意图图 97 色敏传感器检测电路框图第 9 章要点： 气敏传感器，半导体气敏传感器类型及结构，电阻型半导体气敏传感器、非电 阻型半导体气敏传感器工作原理及应用方法； 湿敏传感器，氯化锂湿敏电阻、半导体陶瓷湿敏电阻测湿原理； 色敏传感器工作机理。
